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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010020096.3在审
发明人：时贺光;郝静安 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成硬掩膜层；形成多个贯穿所述硬掩膜层的第一开口；在所述第一开口中填充牺牲层，所述牺牲层的耐刻蚀度小于所述硬掩膜层的耐刻蚀度；去除位于相邻所述牺牲层之间的部分硬掩膜层，形成贯穿硬掩膜层的第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁暴露出所述牺牲层；在所述第一凹槽的侧壁形成侧墙；形成所述侧墙后，去除所述牺牲层，形成第二凹槽，所述第二凹槽和第一凹槽之间被所述侧墙隔离；以所述硬掩膜层和所述侧墙为掩膜本发明实施例有利于保证硬掩膜层的图形完整性，进而提高图形传递的精度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710622852.8有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括相邻的第一器件区和第二器件区；在基底上形成功能层；在第一器件区的功能层上形成有机掩膜层；至少在有机掩膜层靠近第二器件区一侧的侧壁上形成牺牲层；以有机掩膜层和牺牲层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除第二器件区的功能层；去除有机掩膜层和牺牲层。本发明至少在有机掩膜层靠近第二器件区一侧的侧壁上形成牺牲层，所述牺牲层能够有效降低所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液渗入至所述有机掩膜层中的概率，从而降低所述刻蚀溶液经所述有机掩膜层对所述第一器件区的功能层造成刻蚀损耗的概率
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法及应用-CN202211310477.0在审
发明人：黄梅;杜建林;左元呈;李明;文朝军;张欢 -专利权人：成都市精鹰光电技术有限责任公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法与应用。该方法包括：在衬底上沉积一层氮化硅介质薄膜；在氮化硅介质薄膜上均匀的涂覆聚酰亚胺并固化以形成聚酰亚胺牺牲层；在聚酰亚胺牺牲层上沉积一层氮化硅介质作为硬掩膜；在硬掩膜上均匀的涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影、烘焙，使光刻胶上形成掩模版上预定图形；采用ICP干法蚀刻掉部分硬掩膜，使掩模版上预定图形转移至剩余未被蚀刻掉的硬掩膜上；采用ICP干法刻蚀氮化硅下层的牺牲层，使掩模版的图形转移到牺牲层，直到将牺牲层刻蚀完成本发明提供的方法能够使聚酰亚胺牺牲层的刻蚀坡度达到接近垂直。
一种刻蚀聚酰亚胺牺牲方法应用

[发明专利]闪存存储单元的形成方法-CN201310315027.5有效
发明人：曹子贵;贾敏 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种闪存存储单元的形成方法，包括：若干批次的半导体结构包括：衬底、位于衬底表面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层表面的浮栅层、位于浮栅层表面的牺牲层、以及位于牺牲层表面的掩膜层，掩膜层暴露出部分牺牲层表面；以掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺依次刻蚀各批次的牺牲层和部分浮栅层，在各批次的牺牲层和浮栅层内形成第一开口，其中，每一待刻蚀批次的刻蚀时间的确定方法包括：通过待刻蚀批次前一批次的牺牲层厚度、待刻蚀批次前一批次的浮栅层刻蚀厚度、以及待刻蚀批次的牺牲层厚度获得待刻蚀批次的刻蚀时间。
闪存存储单元形成方法

[发明专利]一种硅微电容传声器芯片及其制备方法-CN200510005384.7无效
发明人：徐联;汪承灏;魏建辉;黄歆;李俊红;田静 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：该传声器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极，隔离层位于穿孔背板和振动膜之间以便在它们之间形成空气隙，该空气隙具有无尖角的边界。在该制备方法中，在硅基片的上表面之上形成一第一牺牲层，该第一牺牲层具有无尖角的边界；在第一隔离层之上形成一第二牺牲层，该第一牺牲层的被腐蚀速度大于第二牺牲层的被腐蚀速度，从所述硅基片的下表面开始对所述硅基片进行体刻蚀，去除第一牺牲层和一部分第二牺牲层以形成空气隙。本发明用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法，减小了振动膜的应力，大大提高了振动膜的灵敏度，避免了时效破裂。
一种电容传声器芯片及其制备方法

[发明专利]一种薄膜器件-CN202010215753.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜器件，包括依次向上层叠的基板、底层电介质膜层、膜层组件和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向上依次层叠的银膜层、牺牲膜层和电介质膜层，或所述膜层组件包括沿基板向上依次层叠的牺牲膜层、银膜层和电介质膜层，所述膜层组件还包括AgLa膜层，所述AgLa膜层层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间；或所述AgLa膜层层叠在银膜层下面；或所述AgLa膜层层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间，同时所述AgLa膜层还层叠在银膜层下面；其中，所述AgLa膜层中La的含量≤50at％。本发明可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。
一种薄膜器件

[发明专利]硅化物的形成方法-CN201210364884.X有效
发明人：隋运奇;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种硅化物形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面的栅介质层、栅电极层和第一掩膜层两侧形成侧墙；在衬底表面形成第一牺牲层；去除所述第一掩膜层，在栅电极层顶面和侧墙之间形成沟槽；在所述沟槽内形成覆盖栅电极顶面和沟槽侧壁的第二牺牲层，且位于沟槽侧壁的第二牺牲层宽度均一；在所述第二牺牲层表面形成第二掩膜层且所述第二掩膜层填充满所述沟槽；以第二掩膜层为掩膜，刻蚀第二牺牲层和栅电极层，直至去除部分厚度的栅电极层；在去除部分厚度的栅电极层表面形成硅化物层
硅化物形成方法

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020390281.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次向上层叠的基板、底层电介质膜层、膜层组件和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向上依次层叠的银膜层、牺牲膜层和电介质膜层，或所述膜层组件包括沿基板向上依次层叠的牺牲膜层、银膜层和电介质膜层，所述膜层组件还包括AgLa膜层，所述AgLa膜层层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间；或所述AgLa膜层层叠在银膜层下面；或所述AgLa膜层层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间，同时所述AgLa膜层还层叠在银膜层下面。本实用新型可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。
一种薄膜器件

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610079397.7有效
发明人：张城龙;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：在介质层内形成第一开口，所述第一开口横跨相邻栅极结构；在第一开口侧壁表面形成第一掩膜层，且第一掩膜层横跨相邻栅极结构；在第一掩膜层表面形成填充满第一开口的牺牲层，且第一掩膜层的材料耐刻蚀性大于牺牲层的材料耐刻蚀性；在介质层表面、牺牲层表面以及第一掩膜层表面形成具有第二开口的第二掩膜层，所述第二开口横跨所述牺牲层以及第一掩膜层；以第二掩膜层为掩膜，沿第二开口刻蚀被牺牲层和第一掩膜层暴露出的介质层，在相邻栅极结构之间的介质层内形成分立的接触孔
半导体结构形成方法

[发明专利]一种具有耐氯特性的聚酰胺复合反渗透膜及其制备方法-CN202010103491.8有效
发明人：张潇泰;黄海;张慧峰;冯厚军;李晓明 -专利权人：自然资源部天津海水淡化与综合利用研究所
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B01D71/82 文献下载
摘要：本发明属于有机膜材料技术领域，具体为一种具有耐氯特性的聚酰胺复合反渗透膜及其制备方法，该聚酰胺复合反渗透膜包括多孔超滤膜支撑层、芳香聚酰胺分离层和含硫牺牲功能成分；芳香聚酰胺分离层覆盖在多孔超滤膜支撑层上，在芳香聚酰胺分离层上覆盖含硫牺牲功能成分，且含硫牺牲功能成分与芳香聚酰胺分离层通过共价键连接，形成具有耐氯特性的聚酰胺复合反渗透膜。本发明涉及的含硫牺牲功能成分包括多胺介导单元和含硫牺牲单元，对二者进行共价键合预组装后再通过化学键合的方法引入到芳香聚酰胺分离层表面，含硫牺牲功能成分可有效阻碍活性氯向芳香聚酰胺分离层扩散，进而大幅提升聚酰胺复合反渗透膜的耐氯能力
一种具有特性聚酰胺复合反渗透及其制备方法

[发明专利]新型多层无芯支撑结构及其制作方法-CN200710105226.8有效
发明人： D.·胡尔维茨;E.·埃格纳;B.·斯坦特尼科夫;B.·麦考利;M.·法卡施 -专利权人： AMITEC多层互连技术有限公司
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型多层无芯支撑结构的制作方法，该制作方法包含有阶段：I－在牺牲载体上制作含有由绝缘材料包围的传导通孔的膜；II－从牺牲载体上剥离所述膜，形成独立式的层状阵列；该膜含有位于绝缘材料中的通孔阵列本发明还公开了一种新型多层无芯支撑结构的制作方法，至少包含有阶段：(I)在牺牲载体上制作含有由绝缘材料包围的传导通孔的膜；(II)从牺牲载体上剥离所述膜，形成独立式的层状阵列；(V)减薄、平整；(VII
新型多层支撑结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110091020.4在审
发明人：赵猛;施雪捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层、以及位于待刻蚀层上的初始牺牲层；在初始牺牲层上形成图形化结构，图形化结构内具有开口，所述开口暴露出部分初始牺牲层表面；以图形化结构为掩膜，去除部分初始牺牲层，在初始牺牲层内形成凹槽，所述凹槽的深度小于初始牺牲层的厚度；以图形化结构为掩膜，对凹槽侧壁表面和底部表面的初始牺牲层进行改性处理，形成改性层，使初始牺牲层形成牺牲层；形成改性层之后，在凹槽内形成掩膜结构，掩膜结构表面与牺牲层表面齐平；形成掩膜结构之后，去除牺牲层，在待刻蚀层上形成图形结构，图形结构包括改性层和位于改性层上的掩膜结构。
半导体结构形成方法

[发明专利]发动机-CN202310014324.X在审
发明人：福田育仕;小林悠树;西野正人 -专利权人：洋马控股株式会社
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F01P11/06 文献下载
摘要：发动机具备：牺牲防腐蚀覆膜配管(24)，其被实施了牺牲防腐蚀覆膜处理；以及金属制配管(22)，其与牺牲防腐蚀覆膜配管(24)的两端部的至少一个端部连接。发动机具备：流路部件(中间冷却器侧盖(21)、清水冷却器侧盖(25))，其与金属制配管(22)的两端部中的未与牺牲防腐蚀覆膜配管(24)连接那侧的端部连接；以及牺牲防腐蚀件，其设置于流路部件。
发动机

[发明专利]电容式压力传感器及其制造方法-CN201210039207.0有效
发明人：李刚;胡维 -专利权人：苏州敏芯微电子技术有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明揭示了一种可以用于压力测量的电容式压力传感器及其制造方法，该制造方法利用表面硅微细加工工艺，在硅衬底上淀积氧化硅牺牲层，随后在牺牲层上淀积多晶硅薄膜来作为压力敏感膜。通过多晶硅敏感膜上开的牺牲层释放孔将牺牲层部分腐蚀掉形成电容间隙。而多晶硅敏感膜上的牺牲层释放孔则又通过再次淀积多晶硅薄膜进行填充，从而形成密封腔体。最后，将多晶硅敏感膜上再次刻蚀出导气孔，并通过物理气相淀积(PVD)的方法用金属将此导气孔密封，从而在密封腔体内形成真空。
电容压力传感器及其制造方法

[发明专利]弱粘性薄膜、喷墨印刷显示面板及其制备方法与显示装置-CN201911403461.2有效
发明人：林杰 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：弱粘性薄膜包括环形结构的牺牲部以及连接在掩膜部外边缘的掩膜部，牺牲部上设置有若干像素坑。该方法包括如下步骤：将弱粘性薄膜贴合于基板，弱粘性薄膜上靠内的牺牲部围设基板上的像素坑并覆盖基板上的顶电极搭接电极，弱粘性薄膜上靠外的掩膜部覆盖基板上的输入电极；喷墨印刷；减压干燥；去除牺牲部并露出顶电极搭接电极，待各功能层形成之后，去除牺牲部并露出顶电极搭接电极，制备与顶电极搭接电极电连接的顶电极；去除掩膜部。该方法能在不增加边框宽度的情况下实现牺牲区，保证喷墨印刷显示面板的显示效果。
粘性薄膜喷墨印刷显示面板及其制备方法显示装置

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