“片蚀 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果214个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶片蚀刻系统和使用所述晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法-CN201380012136.8无效
发明人：柳基龙;朴生万;内山昌彦 -专利权人：罗泽系统株式会社
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片蚀刻系统和使用该晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法，所述晶片蚀刻系统和晶片蚀刻方法能够平稳地制造和输送薄晶片。
晶片蚀刻系统使用方法

[发明专利]手机镜片蚀刻液、制备及应用方法-CN201910192156.7在审
发明人：郑资来 -专利权人：惠州市清洋实业有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种手机镜片蚀刻液，其包括以下重量百分比的原料：2～12％氟化氢盐、35～70％强酸，余量为水；本发明还公开了一种手机镜片蚀刻液的制备方法，其包括以下步骤：重量百分比为13～55％的水、2～12％的氟化氢盐及35～70％的强酸依次加入配液槽中，获得混合液；搅拌混合液至少30分钟以上，获得蚀刻液；本发明还公开了一种手机镜片蚀刻液的应用方法，其包括以下步骤：制备手机镜片蚀刻液，其浓度为1～7mol/L；手机镜片蚀刻液以1～8um/min的速率蚀刻手机镜片。本发明的手机镜片蚀刻液可抑制蚀刻过程中放大激光加工后手机镜片表面产生的凹点和划伤等缺陷，蚀刻直通率高；本发明提供的手机镜片蚀刻液制备及应用方法简单、易操作，易于工业化推广应用。
手机镜片蚀刻液制备蚀刻重量百分比氟化氢盐强酸应用激光加工混合液配液槽凹点划伤放大

[发明专利]一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台-CN202010742195.2有效
发明人：王兴林;李彬彬;霍曜;李瑞评;苏贤达;梅晓阳;吴福仁;王振;郑皓允 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台，涉及半导体衬底技术领域。所述使晶片蚀刻均匀的方法包括：使晶片与用于承载晶片的第一载具的接触为线接触或类线接触；且第一载具与晶片的接触位置至少为三个；将第一载具由第二载具支撑，第二载具对晶片的蚀刻区域进行避让；使反应气体以与晶片蚀刻表面平行的方向向晶片移动并扩散至晶片蚀刻表面本申请中的使晶片蚀刻均匀的方法通过改变反应气体的流动方向使每个晶片接触到的反应气体的时间和接触面积基本一致，以及通过改变晶片载具的结构，使晶片蚀刻表面接触反应气体的机会均同，从而使蚀刻更加均匀，缩短晶片的蚀刻时间
一种晶片蚀刻均匀方法刻蚀机台

[发明专利]一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用-CN202211725718.8在审
发明人：武文东;侯军;田继升 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用，本发明半导体硅片蚀刻液，包括重量配比如下的各组分：无机酸1‑6份；铵盐7‑20份；有机酸30‑40份；超纯水30‑60份。本发明半导体硅片蚀刻液的制备方法包括以下步骤：按照重量配比分别称取各组份；先将超纯水加入容器中，而后将其他组分加入容器，在搅拌下将容器的温度稳定在20‑40℃内，直至所有组分完全溶解，溶液呈无色或淡黄色，制备得到半导体硅片蚀刻液。本发明半导体硅片蚀刻液是一种安全、环保、高效的蚀刻液，该蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻面平整，对粗糙硅表面具有化学抛光作用，可在半导体领域应用，能解决芯片硅衬底的减薄问题。
一种半导体硅片蚀刻制备方法应用

[发明专利]一种半导体圆片蚀刻系统-CN201910196984.8有效
发明人：甄敬格 -专利权人：江苏奥斯力特电子科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻系统，尤其涉及一种半导体圆片蚀刻系统。本发明要解决的技术问题是提供一种半导体圆片蚀刻效果好、易将半导体圆片固定、操作简单的半导体圆片蚀刻系统。为了解决上述技术问题，本发明提供了这样一种半导体圆片蚀刻系统，包括有支架、液体槽、输送机构、载板、顶板、液压缸、第一安装板、第二安装板、电动吸盘、驱动机构、连接杆、搅拌机构、移动机构、固定板、抽液泵、出液管本发明达到了能够使半导体圆片蚀刻效果好、易将半导体圆片固定、操作简单和能够防止半导体圆片掉落的效果。
一种半导体蚀刻系统

[发明专利]用于硅电极的适配环-CN201180046144.5无效
发明人： T·帕德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了用于改进晶片蚀刻系统的方法和系统。该方法和系统使用适配环（120）来改进设计为与多件式电极一起使用的晶片蚀刻系统，使得在该蚀刻系统中可以使用单件式电极。适配环（120）的一部分设置在晶片蚀刻系统的热联接板（110）中形成的接收器中。适配环的另一部分定位在上部电极（130）中形成的通道中。
用于电极适配环

[实用新型]铜片蚀刻清洗装置-CN201920846665.2有效
发明人：赵作营 -专利权人：佛山市诚易达机电设备有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种铜片蚀刻清洗装置，包括操作箱，卷材式铜片由起始端通过若干导向传动辊和张紧辊配合，穿过操作箱，所述操作箱包括相互衔接的微蚀箱、初洗箱、浸泡箱、碱洗箱、酸洗箱和末端清洗箱，所述微蚀箱内设有针对铜片的激光蚀刻组件本实用新型提供一种铜片蚀刻后清理的非常完整的技术方案，有效降低铜片蚀刻后的粉尘附着问题，提高产品的品质和生产效率。
铜片蚀刻清洗装置

[发明专利]一种用于蚀刻光学镜片的设备-CN202110553263.5在审
发明人：陈旭 -专利权人：陈旭
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于蚀刻光学镜片的设备，包括镜片蚀刻设备箱和观察保护盖，镜片蚀刻设备箱为矩形状的不锈钢箱体，观察保护盖为L型玻璃板，镜片蚀刻设备箱与观察保护盖通过合页转动连接，镜片蚀刻设备箱内设置有激光发生装置
一种用于蚀刻光学镜片设备

[发明专利]一种3D结构陶瓷基板的制备方法-CN202110779311.2在审
发明人：王斌;贺贤汉;周轶靓;葛荘;吴承侃 -专利权人：江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：步骤一，真空烧结：将金属片覆盖于活性金属焊料或者活性金属焊片上，在真空环境下加热使金属片钎焊于陶瓷基板表面；步骤二，依次进行贴膜、曝光、显影、蚀刻以及退膜，进而在金属片上形成沟槽；步骤三，金属片蚀刻‑第一金属层蚀刻成型；步骤四，金属片蚀刻‑第二金属层蚀刻成型；步骤五，金属片蚀刻‑第三金属层蚀刻成型；步骤六，焊料蚀刻。
一种结构陶瓷制备方法

[发明专利]一种可识别片蚀过程中搬运及分离限制性过程的装置-CN202010350940.9在审
发明人：吴冰;许领;李芦頔 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种可以识别片蚀过程中搬运及分离限制性过程的观测装置。并可同步、准确观测片蚀和雨滴分离过程，依据雨滴分离能力与片蚀率演变过程的消长来判定划分片蚀过程中搬运及分离限制性过程的装置。
一种识别片蚀过程搬运分离限制性装置

[实用新型]一种自动移印钢片蚀刻机-CN201621084437.9有效
发明人：莫彦彬;张建秋 -专利权人：东莞市誉博自动化科技有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种自动移印钢片蚀刻机。本申请的自动移印钢片蚀刻机，包括操作平台、蚀刻液储液筒支架、蚀刻液储液筒、毛刷、升降模组和横扫模组；操作平台水平设置，用于放置移印钢片；蚀刻液储液筒支架垂直安装于操作平台旁；横扫模组固定安装于蚀刻液储液筒支架上本申请的自动移印钢片蚀刻机，能自动对移印钢片蚀刻液涂抹、蚀刻，操作人员只需要放置或取出钢片，降低了蚀刻工序安全隐患，无需依赖操作人员经验，提高生产效率的同时，也更利于生产管理。
一种自动钢片蚀刻

[发明专利]一种游星轮片蚀刻法生产工艺-CN200810151016.7无效
发明人：郑建博;王新 -专利权人：彩虹集团电子股份有限公司
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种游星轮片蚀刻法生产工艺，包括设计、制版、上料、清洗、涂墨烘干、曝光、显影、固化、蚀刻、剥膜、清洗、检验、包装过程。本发明的目的在于提供一种游星轮片蚀刻法生产工艺，采用精密蚀刻方式进行生产，本工艺生产的游星轮片加工精度高、产品边缘比较光滑，能提高游星轮片良品率，降低生产成本，由于本发明的游星轮片生产工艺适合于中小规模的生产，一致性较好，因而细小零件的传统的冲裁加工方法可以用本发明的游星轮片蚀刻法生产工艺所替代。
一种游星蚀刻生产工艺

[发明专利]晶片蚀刻装置和使用该装置的晶片蚀刻方法-CN201280064810.2无效
发明人：朴生万;吴丞倍 -专利权人：罗泽系统株式会社
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了高速干法蚀刻Si晶片的晶片蚀刻装置以及使用所述晶片蚀刻装置的晶片蚀刻方法，其中同时安装电容耦合等离子体单元或感应耦合等离子体单元和远程等离子体单元，以便高速蚀刻晶片，从而显著降低蚀刻晶片的操作时间
晶片蚀刻装置使用方法

[发明专利]晶片蚀刻装置及其使用方法-CN201711128280.4在审
发明人：尹炳文 -专利权人：无尽电子有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于湿蚀刻晶片的晶片蚀刻装置，所述晶片蚀刻装置包括：至少一个光源，用于照射晶片；板，设置在晶片的下侧，并设置有至少一个光源；壁，设置在板上，将板分隔成内部空间；以及用于支撑晶片的支撑杆，其中能够调节至少一个光源的强度
晶片蚀刻装置光源照射晶片支撑晶片湿蚀刻支撑杆分隔

[发明专利]碳化硅晶片高效蚀刻设备-CN202211274438.X在审
发明人：张学良;袁巨龙;彭宽栋;罗颖渊;马梦浩 -专利权人：杭州科技职业技术学院
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶片高效蚀刻设备，包括碳化硅晶片蚀刻工装、自动上料装置，碳化硅晶片蚀刻工装的旋转工装吊柱上沿上下向设有多个间隔排列的托盘部件，托盘部件的托盘架四周环设有多个托盘悬臂，托盘悬臂上的蚀刻托盘上设有托盘槽本发明采用改进的碳化硅晶片蚀刻工装与自动上料装置相结合，利用自动上料装置实现向碳化硅晶片蚀刻工装上自动上料，具有蚀刻效率高的特点。
碳化硅晶片高效蚀刻设备

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
下一页»
尾页
共 214 条