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- [发明专利]切削装置-CN201510103242.8有效
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关家一马
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株式会社迪思科
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2015-03-10
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2019-09-06
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H01L21/301
- 本发明提供切削装置，其紧凑地构成了紫外线照射构件，紫外线照射构件对晶片照射紫外线来赋予亲水性，可防止切削时产生的切削屑附着于晶片表面，并且能够在晶片被分割为一个个器件后对切割带照射紫外线以降低粘接力。切削装置具备对晶片的表面照射紫外线以赋予亲水性并对切割带照射紫外线以使粘接力降低的紫外线照射构件。紫外线照射构件具备：紫外线照射灯，其照射紫外线，紫外线包含对晶片的表面照射而生成臭氧并生成活性氧的波长、和对切割带照射而使粘接力降低的波长；第1框架支承构件，其配设在紫外线照射灯下侧，对借助切割带支承晶片的环状框架进行支承；和第2框架支承构件，其配设在紫外线照射灯的上侧，对借助切割带支承晶片的环状框架进行支承。
- 切削装置
- [发明专利]激光加工装置-CN201210057393.0有效
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关家一马
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株式会社迪思科
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2012-03-06
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2012-09-19
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B23K26/00
- 本发明提供一种无需增大间隔道宽度、也无需在晶片的表面粘贴切割带就能够在晶片的内部沿着间隔道形成变质层的激光加工装置。该激光加工装置用于沿着间隔道对晶片的内部照射激光光线以在晶片的内部沿着间隔道形成变质层，其具备：卡盘工作台，其具备具有用于对晶片进行保持的保持面的晶片保持部；激光光线照射构件，其具备照射波长相对于晶片和切割带具有透射性的激光光线的聚光器；以及移动构件，其使卡盘工作台与聚光器相对移动，晶片保持部由透明部件形成，卡盘工作台构成为使晶片保持部的保持面位于下侧地对晶片进行保持，激光光线照射构件的聚光器构成为从卡盘工作台的晶片保持部的上侧透过晶片保持部和切割带向晶片照射激光光线
- 激光加工装置
- [发明专利]半导体晶片的正向电压偏差减少方法-CN201380001765.0有效
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岩崎真也
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丰田自动车株式会社
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2013-03-06
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2014-11-19
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H01L21/322
- 本发明提供一种正向电压的偏差减少方法，其为减少如下的半导体晶片的正向电压Vf的偏差的方法，所述半导体晶片为N型的半导体晶片，并且在俯视观察半导体晶片时N层中所含有的杂质的密度存在偏差。本说明书所公开的正向电压偏差减少方法为，向N型的半导体晶片照射带电粒子，从而在N层中生成缺陷以减少正向电压的偏差的方法。其中一个方式为，以在俯视观察半导体晶片时根据N层的杂质的密度而使深度方向上的到达位置或照射密度不同的方式，照射带电粒子。例如，以向半导体晶片的中央区域照射的带电粒子的晶片深度方向上的到达位置，与向半导体晶片的边缘区域照射的带电粒子的到达位置相比，较靠近于P型半导体层的方式，照射带电粒子。
- 半导体晶片正向电压偏差减少方法
- [发明专利]光器件晶片的分割方法-CN201210147803.0有效
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上野宽海;星野仁志
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株式会社迪思科
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2012-05-10
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2012-11-14
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H01L21/78
- 本发明提供一种光器件晶片的分割方法，该光器件晶片在通过设定在表面上的多个交叉的分割预定线而划分的各区域上分别形成有光器件，并在里面形成有反射膜，该光器件晶片的分割方法的特征在于包括：激光束照射步骤，将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部，并从光器件晶片的里面侧沿着该分割预定线照射激光束，在光器件晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该激光束照射步骤之后，在光器件晶片上施加外力而沿着该分割预定线分割光器件晶片来形成多个光器件芯片，在该激光束照射步骤中照射在光器件晶片上的激光束的波长相对于该反射膜的透过率为
- 器件晶片分割方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN202110187300.5在审
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一宫佑希;筑地修一郎;小林贤史
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株式会社迪思科
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2021-02-18
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2021-08-24
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H01L21/268
- 本发明提供晶片的加工方法，容易地确认晶片是否在适当的条件下被加工。沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层的晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，从该晶片的背面侧照射第一激光束，在该晶片的内部形成改质层；观察用激光束照射步骤，将输出不超过该晶片的加工阈值的第二激光束的聚光点定位于该晶片的内部或正面并照射该第二激光束；拍摄步骤，利用拍摄单元对该第二激光束的反射光进行拍摄；以及判定步骤，根据在该拍摄步骤中拍摄到的图像，判定该晶片的加工状态，在该观察用激光束照射步骤中照射在该晶片上的该第二激光束成形为与该第二激光束的行进方向垂直的面中的截面形状隔着该改质层不对称
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的激光加工方法-CN201810295763.1有效
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伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-03-30
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2021-10-08
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B23K26/362
- 提供晶片的激光加工方法，抑制因先行的激光束的照射而产生的碎屑等对后续的激光束照射造成妨碍。晶片的激光加工方法使用激光加工装置对晶片进行加工，该晶片由呈格子状设定于正面的多条分割预定线划分，该激光加工装置具有激光束照射单元，该激光束照射单元通过聚光透镜对保持于卡盘工作台的晶片照射由激光束振荡器振荡并由激光束分支单元分支而形成的多个激光束，该晶片的激光加工方法具有加工槽形成步骤，沿着该分割预定线对该晶片照射该多个激光束，在该晶片上形成沿着该分割预定线的加工槽，在该加工槽形成步骤中，使由该激光束分支单元分支而得的该多个激光束呈列状排列在与该多个激光束所照射的该分割预定线的延伸方向非平行的方向上
- 晶片激光加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201711305827.3有效
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田渕智隆;曾砚琳
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株式会社迪思科
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2017-12-11
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2022-12-06
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，并能够抑制器件的损伤。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：保护膜形成工序，形成将晶片(W)的正面整体包覆的保护膜(70)；激光照射工序，沿着间隔道(ST)照射激光(LB)而将功能层(72)去除，并使基板(71)露出；保护膜检测工序，对激光照射后的晶片上的多个器件(DV)区域中的保护膜的包覆状态进行检测；保护膜再形成工序，当在器件区域中存在未包覆保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将各器件区域覆盖；等离子照射工序，对晶片进行等离子照射；以及分割工序，通过沿着间隔道的切削对晶片进行分割。
- 晶片加工方法
- [发明专利]带粘贴装置-CN201911131980.8在审
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姚龙才;马路良吾
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株式会社迪思科
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2019-11-19
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2020-06-09
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H01L21/67
- 提供带粘贴装置，在伴随着将晶片分割成各个器件芯片的加工的实施而实施借助粘接带使晶片和环状框架成为一体的带粘贴以及对粘接带照射紫外线的紫外线照射时，能够实现装置的省空间化，能够抑制设备费。该带粘贴装置将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口部的环状框架的开口部，在环状框架和晶片上粘贴粘接带而进行一体化，其中，该带粘贴装置包含：晶片支承台，其对晶片进行支承；框架支承台，其配设在晶片支承台的外周，对环状框架进行支承；带粘贴单元，其将粘接带粘贴在环状框架和晶片上；以及紫外线照射单元，其隔着晶片支承台而对粘贴有晶片的粘接带照射紫外线。
- 粘贴装置
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