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[实用新型]照射处理线-CN202022618835.7有效
发明人：袁则锐 -专利权人：泉州润锋节能科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： A43D25/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及照射处理线，包括第一烘干装置、浸泡机构和第二烘干装置，第一烘干装置、浸泡机构和第二烘干装置通过输送带串联连接，浸泡机构包括依次连通的浸泡槽、自动补液槽和储液槽，还包括蓄水池和连通蓄水池的冷水机本实用新型的鞋底照射处理生产线采用隔水振荡，同时制作两个溶剂槽，上槽装UV处理剂，下层槽里装水，水中放超声波振荡子，上槽槽底部分浸入下槽，当超声波工作时通过隔水振荡将声波频率传入上槽溶液中，冷水机配合蓄水池循环冷却降温换水，使得浸泡槽内的药水产生的热量及时传导至蓄水池，UV处理剂受热少，保持附着力强，粘胶效果好，产品合格率大幅度提升。
照射处理

[发明专利]光照射热处理方法及光照射热处理装置-CN200510004769.1有效
发明人：金崎惠美;柴田聪;川濑文俊 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明使光照射开始后的温度上升工序(开路控制工序)中的光照射强度具有分布，通过减轻被加热体的温度偏差可降低被加热体所受应力。本发明是一种光照射热处理方法，在容器内支持被加热体，通过上述被加热体的一个表面相对设置的平面状的光照射加热部件来热处理被加热体，其包括：从光照射加热部件向被加热体照射平面上具有强度分布的光，使被加热体的温度上升的工序光照射开始后的开路控制工序中，通过对多个区域逐一设定光照射强度，可降低被加热体的温度偏差。从而，可以减轻应力，无变形、歪斜、弯曲、龟裂等并抑制埋入被加热体的半导体装置的特性变动，降低可靠性不良。
照射热处理方法装置

[发明专利]UVC照射处理容器-CN202180046917.3在审
发明人：大山宣夫 -专利权人：大山宣夫
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：在与外部在光学上被阻断的容器内通过UVC照射对流体进行的连续杀菌过程中，为了大幅度地提高每单位的UVC能量照射流体中的杀菌分解对象的比例，大幅度地增大自UVC光源接受照射的流体的进深，以均匀的量向流入的流体中的全部杀菌分解对象进行UVC能量照射。光源的放射的角度且以在一个端部使包含流体的流出流入口在内的供流体通过的开口部在相邻之间位于彼此相反侧的端部的方式设置单个或多个由UVC高透射材料形成的分隔壁，从而向该容器流入的流体形成沿着分隔壁的层地流动，从分隔壁的开口部进而向流动层一个接一个地弯折，在容器的整个区域范围内形成互相重叠的一连串的流动层，透射这些层地照射
uvc 照射处理容器

[发明专利]照射模块和包括所述照射模块的基板处理设备-CN202210917317.6在审
发明人：孙源湜;尹铉;崔基熏;梁孝源;金泰熙;郑仁基 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理设备，包括：在处理空间中支撑和旋转所述基板的支撑单元；将液体供应到由所述支撑单元支撑的所述基板的液体供应单元；以及将光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板的照射模块，其中所述照射模块包括：具有容纳空间的外壳；激光单元，其位于所述容纳空间中并且包括照射激光的激光照射单元，以及照射端，所述照射端具有从所述外壳突出的一个端部并且将从所述激光照射单元照射的所述激光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板；以及冷却单元，其位于所述容纳空间中并冷却所述激光照射单元。
照射模块包括处理设备

[发明专利]污染物分析量测系统、光刻设备及其方法-CN202180028075.9在审
发明人： M·E·帕洛斯基;A·本迪克塞;克里斯托弗·迈克尔·多汉;约翰内斯·昂伍李 -专利权人： ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：照射检查系统包括照射系统、检测系统和处理电路。照射系统生成宽带束，并且用照射宽带照射束照射物体的表面。照射宽带束具有连续光谱范围。照射检测系统接收在照射表面处散射的辐射和由照射表面附近的结构散射的辐射。照射检测系统基于对照射宽带照射束的光学响应来生成检测信号。照射处理电路分析照射检测信号。照射处理电路基于照射分析来区分伪信号和对应于照射表面上的缺陷的信号。照射伪信号在照射连续光谱范围的至少一部分被减弱。
污染物分析系统光刻设备及其方法

[发明专利]异物检测装置、基板处理装置以及异物检测装置的动作确认方法-CN202180022635.X在审
发明人：西畑广;志手英男;林圣人;野口耕平;东广大 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01N21/53 文献下载
摘要：异物检测装置(50)是构成为检测基板处理用的处理液中包含的异物的装置。该异物检测装置具备：处理液流路形成部，其形成供向基板供给的处理液流通的处理液流路；检查液流路形成部，其形成供与处理液不同的检查液流通的检查液流路(65)；照射部(74)，其构成为朝向处理液流路和检查液流路分别照射来自光源的照射光；以及受光部(76)，其构成为分别接受通过照射照射光而从处理液流路射出的光和通过照射照射的而从检查液流路射出的光。
异物检测装置处理以及动作确认方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201910700630.2在审
发明人：古闲法久;小西仪纪;饭田成昭;大石雄三;竹下和宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在对基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性。基板处理装置(1)具备：光照射部(30)，其向晶圆(W)的表面(Wa)的比处理对象区域(TA)小的照射区域(A1)内照射处理用的光；驱动部(15)，其使照射区域(A1)在沿着晶圆(W)的表面(Wa)的平面内沿彼此交叉的两个方向移动；以及控制器(100)，其控制驱动部(15)，使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动，该移动图案是以向处理对象区域(TA)的整个区域照射光的方式设定的图案。
处理对象区域基板处理装置方向移动基板处理移动图案照射区域晶圆控制驱动部彼此交叉表面照射存储介质方式设定光照射部照射处理照射位置整个区域控制器对基板均匀性有效地照射光照射量基板图案驱动

[发明专利]流体处理装置、流体处理系统及液体检测方法-CN202110802724.8在审
发明人：砂永伸也 -专利权人：恩普乐股份有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01F23/292 文献下载
摘要：本发明涉及流体处理装置、流体处理系统及液体检测方法。流体处理装置具有包含用于使光漫反射的粗糙化表面的流路。另外，流体处理系统具有：上述的流体处理装置；光照射部，用于向所述流路的所述粗糙化表面照射光；以及光检测部，用于检测从所述光照射部照射并在所述粗糙化表面透射的光或从所述光照射部照射并由所述粗糙化表面反射的光
流体处理装置系统液体检测方法

[发明专利]光学毛发生长调节装置-CN200780050419.6无效
发明人：滨田长生;木下雅登;佐藤安广;乃木田俊辰 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：一种光学毛发生长调节装置通过向皮肤照射调节光来调节毛发生长。该装置提供有用于照射调节光的调节光照射器，用于向目标部位照射用于测量人体的目标部位的测量光的测量光照射器，用于接收从目标部位反射的测量光的光接收器，用于处理光接收器接收的测量光的信息的处理器，以及用于基于处理器的处理结果判断是否从调节光照射器进行光照射的照射判定器照射判定器被配置成基于其判断来控制来自调节光照射器的调节光的照射。该装置能够使用测量光判断出目标部位是否适合作为要被调节光照射的部位，从而防止例如眼球的不适合的部位被调节光意外地照射。
光学毛发生长调节装置

[发明专利]水处理装置-CN200410043127.8无效
发明人：上村美贵;古川诚司;上山智嗣;广辻淳二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：一种水处理装置，可以将氧化剂高速而且高效率地溶解在被处理水中，以高分解率处理处理对象物质。该水处理装置包括紫外线照射部30和氧化剂混合部60，其中紫外线照射部30形成长管状，容纳沿轴线延伸的紫外线照射装置10，使内周面1a和紫外线照射装置10的空间流通被处理水4；氧化剂混合部60与紫外线照射部30的上游邻接设置，使被处理水4与氧化剂混合；紫外线照射装置10向混合有氧化剂的被处理水4照射紫外线，使被处理水4中的处理对象物质分解。
水处理装置

[发明专利]紫外线照射处理装置-CN200810171076.5有效
发明人：远藤真一;山森贤治;冈本敏之 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01J65/04 文献下载
摘要：提供一种紫外线照射处理装置，防止准分子灯与处理体之间的不希望的放电，不会损伤处理体。上述紫外线照射处理装置包括准分子灯，该准分子灯包括在角部具有弯曲部的扁平筒状放电容器，上述紫外线照射处理装置的特征在于，高压电极与接地电极间的沿面放电距离小于高压电极与处理体间的最短放电距离。
紫外线照射处理装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410376692.X有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成初始介质层，所述初始介质层内具有致孔剂；对所述初始介质层进行第一紫外照射处理，所述第一紫外照射处理具有第一处理温度；在所述第一紫外照射处理后，对所述初始介质层进行第二紫外照射处理，形成低k介质层，所述第二紫外照射处理具有第二处理温度，且所述第二处理温度大于第一处理温度。本发明在快速去除致孔剂(即，处理温度较高的第二紫外照射处理过程)之前，对初始介质层进行第一紫外照射处理，使初始介质层进行一定交联反应，使初始介质层的机械强度得到提升，有效避免在第二紫外照射处理过程中发生初始介质层坍塌问题
半导体结构形成方法

[发明专利]图像处理装置、图像处理方法和存储介质-CN201910720788.6在审
发明人：小林刚 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本申请公开了图像处理装置、图像处理方法和存储介质。图像处理装置被配置为从通过放射线成像获得的图像提取照射野，包括：推理单元，被配置为基于推理处理获得在图像中的照射野候选；轮廓提取单元，被配置为基于对照射野候选执行的轮廓提取处理来提取照射野的轮廓；以及领域提取单元，被配置为基于轮廓来提取照射野。
图像处理装置方法存储介质

[发明专利]结晶装置以及结晶方法-CN200710163149.1无效
发明人：秋田典孝;高见芳夫 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶装置，在此结晶装置中，可以使转印到被处理基板上的由光调制元件或金属光圈所形成的光强度分布可视。此结晶装置具有紫外光照射系统以及可见光照射系统，此紫外光照射系统将紫外光区的激光束脉冲照射到被处理基板上，此可见光照射系统对被处理基板上的与紫外光区的激光束的照射区域相同的照射区域，连续照射可见光激光束在因均匀地照射紫外光区的激光束而熔化的区域中，利用可见光激光束的光强度分布来形成晶体成长。结晶装置通过脉冲照射紫外光区的激光束来使被处理基板熔化，并通过连续地照射可见光激光束来使被处理基板结晶化，由此二种方式的组合，使进行结晶处理的激光束可视化。
结晶装置以及方法

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201310049087.7有效
发明人：金田正利 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法，在对晶圆(W)照射紫外线而进行处理时，能够延长紫外线照射部的光源的更换周期，并且抑制生产率的降低。基板处理装置包括液体处理组件和紫外线照射组件，将晶圆(W)分配交接至用于进行彼此相同的一系列处理的多个单位模块。在一个单位模块的紫外线照射组件的照度检测值成为设定值以下之后使用其它的单位模块，并将上述紫外线照射组件的照射时间调整为与照度检测值相应的长度而对已经交接到上述一个单位模块的晶圆(W)进行照射，之后更换照射组件的光源在一个单位模块的照射用光源的使用时间达到设定时间时，停止向该单位模块交接晶圆(W)，对已交接到上述一个单位模块的晶圆(W)进行通常的照射处理。
处理装置以及方法

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