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[发明专利]显示单元、阵列显示器、显示面板及控制显示单元的方法-CN200510081006.7有效
发明人：胡硕修 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：此显示单元包括一发光二极管、一驱动晶体管以及一电压源系统。此发光二极管具有一阳极及一阴极。此驱动晶体管具有一源极、一漏极及一栅极，其源极接收一第一电压，其漏极经由发光二极管耦接一第二电压，而其栅极接收一第三电压。电压源系统耦接至驱动晶体管的漏极，用以根据驱动晶体管的漏极电压，提供第二电压。
显示单元阵列显示器面板控制方法

[发明专利]对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法-CN201210081754.5有效
发明人：王磊 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：一种对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法中，由第一源-测量单元在0≤UD≤U1内调整场效应管的漏极电压UD，并控制漏极电流是否达到特定值；第二源-测量单元向该场效应管施加-U2≤US≤0内可调的源极电压US；第二或第三源-测量单元向该场效应管施加与源极电压US数值相等的栅极电压UG；从而对漏极和源极之间电压需要在0~a范围内调整的场效应管进行测试，其中电压值a=|U1|+|U2|，且a大于等于该场效应管标称的漏源击穿电压因此，本发明可以使用两个或三个较小电压调节范围的源-测量单元SMU，对漏源击穿电压超过单个源测量单元测量范围的器件进行测量，简化操作，节约成本。
测量范围击穿电压进行装置方法

[发明专利]一种低漏电高速锁相环电荷泵电路-CN201310381514.1无效
发明人：刘雄 -专利权人：苏州苏尔达信息科技有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。
一种漏电高速锁相环电荷电路

[实用新型]低漏电高速锁相环电荷泵电路-CN201320529264.7有效
发明人：刘雄 -专利权人：苏州苏尔达信息科技有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。
漏电高速锁相环电荷电路

[发明专利]供电控制装置-CN201680073574.9在审
发明人：真濑佳祐;杉泽佑树;小田康太;泽野峻一 -专利权人：株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H02J1/00 文献下载
摘要：在供电控制装置(11)中，控制电路(23)通过调整半导体晶体管(20)的栅极的电压来调整半导体晶体管(20)的漏极和源极之间的电阻值。控制部(56)在控制电路(23)使漏极和源极之间的电阻值降低之后，判定电压检测部(21)检测出的源极的电压是否为基准电压以上。在由控制部(56)判定为源极的电压为基准电压以上的情况下，控制电路(23)使漏极和源极之间的电阻值再次降低。在由控制部(56)判定为源极的电压低于规定电压的情况下，控制电路(23)将漏极和源极之间的电阻值调整为进行判定的时刻的电阻值以上。
源极控制电路电阻漏极判定半导体晶体管供电控制装置基准电压电阻值调整判定电压检测

[发明专利]自适应电压钳位器及相关方法-CN201980014097.2在审
发明人： E·J·金;S·阿拉斯;A·拉赫曼 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H03K17/0814 文献下载
摘要：示例装置(100)包括：电压钳位器(102)，当晶体管(110)的漏极‑源极电压(154)超过第一电压时，电压钳位器将该漏极‑源极电压(154)钳位到第一电压；以及控制器(130)，其基于故障信号生成控制信号(150)，以引导电压钳位器(102)将漏极‑源极电压(154)钳位到与第一电压不同的第二电压。
自适应电压钳位器相关方法

[发明专利]一种半导体器件的电性测量方法及电子设备-CN202211009276.7在审
发明人：杨家诚;汪文婷;许静 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：且所述电性测量方法至少包括：在半导体器件的漏极施加漏极电压，在半导体器件的栅极施加栅极电压，并测量所述半导体器件的源极电压；以及判断所述源极电压的幅值是否大于所述目标源极电压；当所述源极电压的幅值小于或等于所述目标源极电压时，则将此次测量的所述栅极电压作为临界起始电压；当所述源极电压的幅值大于所述目标源极电压时，将此次测量的所述栅极电压和所述源极电压的差值作为下一次测量的所述栅极电压，并保持所述漏极电压不变，再次量测所述源极电压，直至所述源极电压小于或等于所述目标源极电压。
一种半导体器件测量方法电子设备

[发明专利]脉冲模式的功率放大器及其控制方法-CN202310595870.7在审
发明人：虞民洪;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03F3/00 文献下载
摘要：该功率放大器包括具有栅极、漏极及源极的功率开关器件、直流偏置电压模块、漏极和源极直流平衡电压模块及电源输入处理模块。直流偏置电压模块连接至栅极。漏极直流平衡电压模块连接至漏极，漏极还用于接收脉冲信号。源极直流平衡电压模块连接至源极，源极还用于接收射频信号。电源输入处理模块用于接收电源的输入并对电源进行处理，其包括用于控制直流偏置电压模块开启的第一开关、用于控制漏极直流平衡电压模块开启的第二开关、及用于控制源极直流平衡电压模块开启的第三开关，其中，第一开关
脉冲模式功率放大器及其控制方法

[发明专利]单片集成HEMT和电流保护器件-CN201310218277.7有效
发明人： O.赫贝伦;W.里格 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：HEMT具有源极、漏极和栅极。HEMT当施加到栅极的电压超过HEMT的阈值电压时导通并且从源极向漏极传导电流。保护器件与HEMT单片集成，使得保护器件与HEMT共享源极和漏极并且进一步包括电连接到源极的栅极。保护器件当HEMT关断并且源极和漏极之间的反向电压超过保护器件的阈值电压时从漏极向源极传导电流。保护器件的阈值电压小于HEMT的阈值电压和用于关断HEMT的栅极电压的差。
单片集成 hemt 电流保护器件

[发明专利]一种电流镜像电路-CN201110446787.0有效
发明人：张立国;蔡新午;赵骞;潘文杰;周建波 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流镜像电路，通过在电流镜像电路中设置电压复制电路和放大电路，将电流镜源端子电路的漏极电压与电流镜镜像端子电路的漏极电压进行放大比较，通过放大电路的负反馈机制保证电流镜源端子电路的漏极电压与电流镜镜像端子电路的漏极电压相等，使得电流镜源端子电路和电流镜镜像端子电路的源极、栅极、漏极电压相等，进而使得流过电流镜源端子电路的源漏电流与流过电流镜镜像端子电路源漏电流相同，避免因组成镜像电路的元器件的尺寸的影响导致电流源镜像电路的偏置电流不准的情况发生
一种电流电路

[发明专利]超低功耗低压带隙基准电压源-CN201710751421.1有效
发明人：徐江涛;赵希阳;高静;史再峰;聂凯明 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域，为提出能工作在较低的电源电压下，对电源电压的变化不敏感，且具有极低的功耗电压源。本发明，超低功耗低压带隙基准电压源，PMOS管M3、M4、M5栅极相连，源极接电源VDD，M3栅漏极相连；NMOS管M1漏极接M3漏极，源极接地，NMOS管M2漏极接M4漏极，源极通过电阻R_PTAT接地，M1、M2栅极相连，并和地之间接电阻R_CTAT；PMOS管M6源极接电源VDD，漏极接M1、M2的栅极，栅极接M7的栅极；PMOS管M7源极接电源VDD，漏极通过电阻R_OUT接地，同时与M5的漏极相连；跨导运算放大器的负输入和正输入端分别接M3、M4的漏极。本发明主要应用于电压源设计制造。
功耗低压基准电压

[发明专利]电压跟踪电路及其操作方法-CN202011577552.0在审
发明人：郑湘蕙;张家荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种电压跟踪电路及其操作方法。该电压跟踪电路包括第一、第二、第三和第四晶体管。第一晶体管在第一阱中，并且包括第一栅极、第一漏极和耦合至第一电压源的第一源极。第二晶体管包括第二栅极、第二漏极和第二源极。第二源极耦合至第一漏极。第二栅极耦合至第一栅极和焊盘电压端子。第三晶体管包括第三栅极、第三漏极和第三源极。第四晶体管包括第四栅极、第四漏极和第四源极。第四漏极耦合至第三源极。第四源极耦合至焊盘电压端子。至少第三晶体管在与第一阱不同的第二阱中，并且沿第一方向与第一阱分离。
电压跟踪电路及其操作方法

[发明专利]有机发光二极管像素电路-CN201010238315.1有效
发明人：蔡宗廷;吴元均 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机发光二极管像素电路，其包括有第一至第四晶体管、一个电容与一个有机发光二极管。第一晶体管的其中一源/漏极接收显示数据，第二晶体管的栅极耦接第一晶体管的另一源/漏极，并通过电容耦接第三晶体管的其中一源/漏极与第四晶体管的其中一源/漏极，而第二晶体管的其中一源/漏极耦接第一电源电压，第三晶体管的另一源/漏极耦接第二晶体管的另一源/漏极，第四晶体管的另一源/漏极接收参考信号。有机发光二极管的阳极与阴极分别耦接第二电源电压与第二晶体管的另一源/漏极。其中，第二电源电压大于第一电源电压。
有机发光二极管像素电路

[发明专利]基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法-CN202111273846.9在审
发明人：蔡文必;张永明;魏鸿基;林义书 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法，包括：基于外部输入的栅极电压、漏极电势和源极电势，获得栅极沟道电压；基于栅极电荷密度、栅极根数、栅极长度和单根栅极的宽度，获得栅极电荷；基于漏极电势和源极电势，获得漏源电势差；基于所述栅极沟道电压、栅极电荷和漏源电势差，建立用于表征晶体管器件开启后电荷值与漏源电压相关性的电荷模型；对所述电荷模型的电荷值进行微分，建立用于表征栅源电容、栅源电压和漏源电压相关性的电容模型。本发明支持基于GaN工艺的HEMT晶体管的电荷/电容描述，特别是沟道开启后栅源电容、栅源电压和漏源电压的关系描述，模型准确性高。
基于 gan 工艺 hemt 晶体管电荷模型建立萃取方法

[发明专利]一种功率放大器-CN201110077931.8有效
发明人：刘孝辉;龚夺;杨云 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种功率放大器，包括：共源晶体管、共栅晶体管以及电容，所述共源晶体管的源极连接地信号，所述共源晶体管的栅极用以连接第一偏置电压；所述共栅晶体管的源极与共源晶体管的漏极连接，所述共栅晶体管的栅极用以连接第二偏置电压，所述共栅晶体管的漏极耦合一直流电压源，所述电容连接所述共栅晶体管的栅极和漏极。由于共栅晶体管的栅极和漏极之间连接有一电容，在该栅极和漏极之间形成一高通通路，使该栅极和漏极的压差减小，这样能够使漏极具有一个更大信号摆幅而不会达到栅极和漏极的击穿电压。
一种功率放大器