“漂移现象”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果670802个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法-CN202210195724.0在审
发明人：周琦;罗志华;党其亮;邓超;蔡永莲;母彧丞;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明以薛定谔泊松方程、费米狄拉克统计为基础，考虑氮化镓HEMT器件高频、高漏源电压开关条件下阈值电压漂移，基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应，将器件阈值电压漂移模型构建为与器件漏源电压和器件开关频率相关本发明的GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型建立方法，解决了目前主流模型在电路仿真平台中无法预测GaN HEMT器件在不同频率不同漏源电压下的阈值电压漂移与电流崩塌现象的缺陷，提升了GaN HEMT
一种 gan hemt 器件阈值电压电流模型建立方法

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT-CN202210188984.5在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT-CN202210188969.0在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结沟槽逆导型 igbt

[发明专利]一种风电功率曲线异常数据剔除方法-CN202211203369.3在审
发明人：陈雷;战鹏;张中伟;连亚龙;张凯;赵斌;刘龙龙;曹征;徐启钊;曹雷;张睿骁;张彦琪;张延凯;葛智平;李乔森;陈军 -专利权人：甘肃新泉风力发电有限公司;兰州陇能电力科技有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G06F16/215 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分区间孤立森林和均值漂移聚类的风电功率曲线异常数据剔除方法，包括以下步骤：(1)采用分区间孤立森林算法剔除风力曲线中的分散型异常数据和弃风限电数据；(2)判断风力曲线中是否存在弃风数据，若是，转步骤(3)，否则得到符合风电机组运行规律的数据样本；(3)采用均值漂移聚类算法对剩余异常数据进行剔除，得到符合风电机组运行规律的数据样本。本发明通过提出分区间孤立森林和均值漂移聚类组合算法的数据处理手段，该算法不仅对于常规文献着重讨论的风电功率曲线有效，对于发生严重弃风现象的风电机组的功率曲线也能发挥作用，从而在一定程度上缓解风电机组的异常数据问题
一种电功率曲线异常数据剔除方法

[发明专利]一种分数阶双向耦合永磁同步电机的模拟电路-CN202211103838.4在审
发明人：罗绍华;张钧星;李枫韵;李昊 -专利权人：贵州大学
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02P6/34 文献下载
摘要：该电路由乘法器、放大器、直流电源、电阻和电容构成，具体包括：六个结构相同的分数阶积分电路、六个结构相同的反向比例运算放大电路、四个乘法器和六个积分漂移漏阻；六个积分电路用于映射积分双向耦合永磁同步电机的状态变量；六个反向比例运算放大电路的输出端分别与电源连接，对应的电压状态变量与双向耦合永磁同步发电机的状态变量有映射关系；积分漂移漏阻与单元电路并联，用来避免积分漂移造成的饱和截止现象；乘法器通过电阻与积分电路中放大器连接
一种分数双向耦合永磁同步电机模拟电路

[发明专利]基于均值漂移的灰关联红外成像目标分割方法-CN201110001186.9有效
发明人：刘靳;李棉;姬红兵;杨金龙;姬雪峰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2011-01-05 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于均值漂移的灰关联红外成像目标分割方法，主要解决现有同类方法过分割现象严重，分割精度低的问题。其实现步骤是：(1)对原始图像进行均值漂移滤波；并依据当前像素点与邻域点的相似性来判断是否计算均值漂移收敛值；(2)合并相同类别的像素并标记，得到初分割图像；(3)从初分割图像的区域中分别选取背景参考值和目标参考值
基于均值漂移关联红外成像目标分割方法

[发明专利]一种医学X光影像滤波处理的二级修正方法-CN201710838804.2有效
发明人：张一荃;徐心怡;曹武强 -专利权人：浙江莱达信息技术有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明在灰阶度过分漂移的图像区域，根据漂移的强度，适应性地对本地频率过滤的特征频率做二级修正，有效地抑制了灰阶度过分漂移的现象，明显提高了处理后影像的可读性。
一种医学影像滤波处理二级修正方法

[发明专利]高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法-CN200810019332.9有效
发明人：李海松;钱钦松;孙伟锋;易扬波;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2008-01-04 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种高压N型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱上设有P型接触孔、N型源及场氧化层，在N型漂移区上设有N型漏及场氧化层，其特征在于位于P型阱上方的栅氧化层部分的厚度小于位于N型漂移区上方的栅氧化层部分并由此分别形成薄栅氧化层和厚薄栅氧化层，在P型阱内设有P型杂质注入区且该P型杂质注入区位于薄栅氧化层的下面。本发明有益效果在于大幅降低了鸟嘴区域热载流子注入现象，提高了器件整体寿命；保证器件开启电压、饱和电流等基本电特性和普通结构器件保持一致；具有较好的兼容性。
高压金属氧化物半导体及其制备方法

[发明专利]一种SOI-RC-LIGBT器件及其制备方法-CN201711026290.7有效
发明人：张金平;赵倩;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI‑RC‑LIGBT器件及其制备方法，包括N型衬底、埋氧化层和N型漂移区、沟槽栅极结构、P型基区、N+源区和P+接触区、发射极、氧化层、N型缓冲区、P型集电极区；在P型基区和N型缓冲区之间的N型漂移区表面具有N型条，N型条下方漂移区中具有P型埋层；N型条的右侧及P型埋层的右侧，与N型缓冲层的左侧及P型集电极区的左侧之间具有介质槽结构；N型条和介质槽结构之间具有N+集电区；本发明提出的SOI‑RC‑LIGBT，在消除IGBT导通特性snapback现象的同时，提高器件的击穿电压，降低器件的正向导通压降，提高关断速度，减小关断损耗，同时
一种 soi rc ligbt 器件及其制备方法

[发明专利]单片硅基SOI高温低漂移压力传感器-CN200510028919.2无效
发明人：沈绍群 -专利权人：复旦大学
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G01L9/08 文献下载
摘要：本发明属力敏传感器技术领域，具体涉及一种单片硅基SOI高温低漂移压力传感器。10^－6Vs/℃以下；采用梁－膜－岛结构提高传感器的灵敏度和线性度；采用在掺浓硼的多晶硅引线表面覆盖铝引线组成传感器的内引线，避免铝引线与多晶硅力敏电阻连接时因“台阶”引起的断裂现象；采用浓硼自终止技术制作超薄硅膜的高灵度高温低漂移压力传感器。本发明提出的单片硅基SOI高温低漂移压力传感器，制作工艺简单，成品率接近100％，生产成本低，适宜于大规模生产。
单片 soi 高温漂移压力传感器

[实用新型]一种用于解决超导磁铁低温震动引起物相漂移的磁铁基座-CN202020634122.7有效
发明人：彭波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于解决超导磁铁低温震动引起物相漂移的磁铁基座，包括底座，所述底座的上表面固定安装有支撑板，支撑板的上表面固定安装有T形板，所述支撑板的侧表面和T形板的侧表面均开设有半圆形的卡槽，两个卡槽组成一个完整的圆形通槽本实用新型用于解决超导磁铁低温震动引起物相漂移的磁铁基座，通过纯应力将磁铁压缩氦气带来的振动减小并阻止振动向样品台的传播，极大程度上减轻了超导磁体本身磁场模块振荡引起的振动转移，并减轻了在微米级的光学成像下出现的物相漂移现象
一种用于解决超导磁铁低温震动引起漂移基座

[实用新型]一种漂移窗用的漂移组件-CN202022110798.9有效
发明人：黄瑞军 -专利权人：黄瑞军
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： E05D15/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种漂移窗用的漂移组件，属于门窗配件技术领域。所述漂移组件包括底座、固定座、传动杆和滑轮组件，所述固定座的一端通过第一固定柱与底座连接，固定座的另一端通过第二固定柱与传动杆的一端连接，所述传动杆的另一端与滑动轮组件连接；所述传动杆下方设有第一限位柱本实用新型通过在底座上设置挡块，在传动杆上设置限位柱，使关窗的时候限位柱在挡块的阻挡作用下，传动杆向弹性阻挡组件方向移动，推动弹性阻挡组件向外移动，限位柱和挡块可避免窗扇错位的现象发生。
一种漂移组件

[发明专利]一种车辆稳态漂移的闭环切换控制方法-CN202111273058.X在审
发明人：于树友;施竹清;黄绍文;陈虹 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： B60W30/09 文献下载
摘要：本发明属于漂移控制技术领域，公开了一种车辆稳态漂移的闭环切换控制方法，包括：S1.计算车辆的稳态漂移域及稳态漂移平衡点，并基于所述稳态漂移域将车辆的漂移过程分解为接近稳态漂移域的过渡阶段和进入稳态漂移域的稳态阶段；S2.基于二自由度车辆模型设计所述过渡阶段的过渡漂移控制器，并基于所述过渡漂移控制器控制车辆接近稳态漂移域，所述过渡漂移控制器包括纵向PID控制器和横向LQR控制器；S3.判断车辆当前状态量偏差是否进入稳态漂移域，是进入步骤S4，否返回步骤S2；S4.基于三自由度车辆模型设计所述稳态阶段的稳态漂移LQR控制器，控制车辆跟踪稳态漂移平衡点；综上，基于切换控制能够实现车辆漂移的闭环控制，具有一定的抗干扰能力。
一种车辆稳态漂移闭环切换控制方法

[实用新型]一种喷雾防护装置及喷雾设备-CN202221150024.1有效
发明人：王冰;程广森 -专利权人：禹城市亚泰机械制造有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： A01M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种喷雾防护装置，包括支撑架，支撑架上连接有至少两个第一防漂移装置，第一防漂移装置间隔设置，相邻第一防漂移装置之间设有第二防漂移装置；第一防漂移装置、第二防漂移装置之间形成喷雾区，喷雾区包括至少一个开口，本实用新型还公开了一种喷雾设备，本实用新型将第一防漂移装置和第二防漂移装置围成用于喷雾设备工作的喷雾区，当喷雾设备喷出的雾滴漂移至第一防漂移装置或第二防漂移装置上时，会被第一防漂移装置或第二防漂移装置阻挡，起到防止雾滴落入喷雾区以外的作用；同时第一防漂移装置和第二防漂移装置还能起到防风的作用，避免风力对喷雾工作的干扰，防止雾滴随风漂移而无法落入待喷洒区域。
一种喷雾防护装置设备

[发明专利]一种双足压电直线电机的驱动电路-CN201510615171.X在审
发明人：李福霞 -专利权人：李福霞
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H02N2/06 文献下载
摘要：该电路结构简单、设计灵活，可以设计多端输入、多端输出电路，克服了现有直线电机驱动电源存在零点漂移现象，且在低频段动态特性较差、频带较窄、抗干扰能力弱等缺点，提高直线电机驱动电路的抗噪性能、拓宽频带。
一种压电直线电机驱动电路