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[发明专利]绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法-CN200910212767.X有效
发明人：李海松;王钦;杨东林;陈文高;陶平;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件采用了二阶场氧化层和二阶场板结构，且二阶场氧化层是通过先淀积氧化层，然后刻蚀氧化层，最后经过热生长工艺形成的，这样能最大限度的抑制工艺中所说的“吃硅”现象和减小漂移区表面浓度的改变。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体制备方法

[发明专利]一种基于深度信念网络特征提取的电子鼻漂移补偿方法-CN201610120715.X有效
发明人：魏善碧;柴毅;罗宇;石华云;夏有田;孙秀玲 -专利权人：重庆大学
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度信念网络特征提取的电子鼻漂移补偿方法，包括以下步骤：通过对电子鼻传感器得到的模拟信号特征进行信号预处理，得到浅度特征；采用逐层贪婪学习算法，训练DBN模型；然后通过这个模型提取浅度特征的深度特征；对得到的深度特征再采取自适应校正方法处理，从而达到电子鼻传感器漂移补偿目的。本发明在已有的电子鼻漂移补偿算法中的自适应校正方法上，提出了采用DBN对电子鼻传感器数据进行深度特征提取的方法，从而在特征层面上抑制了漂移现象的干扰，强化了有效特征间的耦合性；由于DBN的无监督特性，因此自适应校正方法与
一种基于深度信念网络特征提取电子漂移补偿方法

[发明专利]一种海边波浪推力发电装置及其漂浮机构-CN201610110306.1有效
发明人：李广明;李光耀 -专利权人：李广明
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： F03B13/18 文献下载
摘要：漂浮机构包括用于漂浮在海面上的浮子和用于相对于海岸固定设置的支撑架，支撑架上设有用于在浮子升降浮动时对浮子导向的轨道，轨道和/或浮子上设有供浮子在上下浮动的过程中相对于支撑架前后漂移的漂移结构。本发明中支撑架和浮子通过漂移结构实现水平方向的相对移动，这样在浮子受海浪冲击上浮受推或下沉回位的过程中，海浪施加在浮子上的水平分力可通过浮子相对于支撑架在水平方向的漂移释放，以减少浮子作用在支撑架上的水平应力，保证浮子和支撑架之间不会出现相互卡滞的现象，从而本发明中漂浮机构具有在海浪潮汐的作用下平稳动作的优点。
一种海边波浪推力发电装置及其漂浮机构

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202110729639.3有效
发明人：林科闯;刘胜厚;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;孙希国;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口；在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触；刻蚀磁性介质层，形成栅极开口；在栅极开口内的漂移层上蒸镀金属，形成栅极金属，磁性介质层会受到射频信号引入的磁场感应影响，因此，在射频信号引入时，磁性介质层会产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]基于元学习概念漂移检测的新能源智慧运维方法及系统-CN202310586561.3有效
发明人：聂秀山;林熙明;刘新锋;张立伟;尹昱妍 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F17/00 文献下载
摘要：本发明属于智慧运维领域，提供了基于元学习概念漂移检测的新能源智慧运维方法及系统，其引入元学习方法，将各个设备的故障检测看作单独的元学习任务，将概念漂移检测泛化到各个不同的设备上；采用卷积神经网络模型，引入概念漂移检测方法得到预测结果其通过检测已知的数据中是否存在的概念漂移现象，使设备的异常检测及故障预测方法的结果更为准确、合理。
基于学习概念漂移检测新能源智慧方法系统

[发明专利]半导体装置-CN201480019123.8有效
发明人：宫腰宣树 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种在栅极·漏极之间不外置电容以及电阻，且能够抑制由于开关时所导致的栅极振荡现象。一种具有被划定在将低电阻半导体层112与漂移层114层积而成的半导体基板110中的MOSFET部以及栅极衬垫部的半导体装置100，栅极衬垫部包括：低电阻半导体层112，被形成在低电阻半导体层112上的漂移层114，作为在漂移层114上经由场绝缘层134从而被形成为经过栅极衬垫整个面的导电体层的多晶硅层136以及栅极衬垫用电极138；以及在漂移层114的表面中，由与源极电极层128电气连接的p^+<
半导体装置

[发明专利]适应性修正测力装置的漂移现象的方法以及测力装置-CN200610094033.2有效
发明人：琼－莫里斯·特伦巴赫;丹尼尔·雷伯 -专利权人：梅特勒－托莱多公开股份有限公司
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： G01G21/00 文献下载
摘要：一种用于修正出现在电子秤(1)中的漂移现象、特别是蠕变效应的方法，秤具有测量传感器(10)，用于形成代表施加于秤上的负载的测量信号(ms)，经由模数转换器(12)将测量信号传输到由至少一个处理器(130；16)支持的信号处理单元(13)，信号处理单元能补偿漂移偏差，并且信号处理单元通过处理器访问存储于存储单元(15；15A；15B)中并且作为时间依赖型修正值的计算基础的漂移参数(P1、P2、…)，通过修正值修正测量信号的漂移错误本发明以自动控制或由使用者选择的时间间隔(CI1，CI2)，通过处理器和信号处理单元，并且在存储于存储单元中的优化程序(P_OPT)的控制下自动确定漂移参数的新的优化值，并将新的优化值存储于存储单元中
适应性修正测力装置漂移现象方法以及

[实用新型]消除比例阀零位漂移的装置-CN200620111139.4无效
发明人：王含;陈代伦;王渠;黄永清 -专利权人：中铝西南铝板带有限公司
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： F15B13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及消除比例阀零位漂移的装置，包括控制单元PLC和与其输入口联接的编码器，其特征在于：编码器设在与液压缸配合的活塞上，控制单元PLC的输出口与比例阀联接，比例阀设在与液压缸相通的回油管和进油管上本实用新型能有效地消除由于比例阀零位漂移所产生的滑车现象，从而避免由此所带来的安全隐患。
消除比例零位漂移装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201980096756.1在审
发明人：小西和也;樽井阳一郎;丹羽弘树;冈部博明;渡边宽 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供用于抑制回跳现象并且抑制平坦化工序中的集电极层的去除的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的半导体装置具备：漂移层的下表面的一部分中的第1导电类型的漏极层、漂移层的下表面的一部分中的多个第2导电类型的集电极层以及在漂移层的下表面的一部分被多个集电极层夹着的第1导电类型的虚设层
半导体装置以及制造方法

[发明专利]一种中高压屏蔽栅功率MOSFET-CN202210542949.9在审
发明人：张振宇;刘挺;顾书帆;赵群;张博;王毅 -专利权人：扬杰科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种中高压屏蔽栅功率MOSFET，该结构主要包括：半导体漏区；半导体漂移区；第一沟槽，其位于半导体漂移区的侧壁；第二导电类型的半导体柱，且深度不小于第三阈值；第二沟槽；屏蔽栅氧化层；屏蔽栅电极本申请优化了器件阻态时栅极氧化层拐角和屏蔽栅氧化层拐角的电力线聚集现象，同时可以实现高掺杂的漂移区以降低器件通态电阻，提高器件性能。
一种高压屏蔽功率 mosfet

[发明专利]一种纯电动汽车用两档机械式自动变速器换档控制方法-CN201210426916.4有效
发明人：胡建军;陈曦;李涛;吉毅 -专利权人：重庆大学
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： F16H59/02 文献下载
摘要：一种用于纯电动汽车两档机械式自动变速器换档控制的方法，在汽车每次启动后的第一次换档时，不仅以位移传感器信号来判断目标档位是否挂上，同时也加入了换档电机的堵转信号来进行控制，从而判断位移传感器是否发生信号漂移它可以在每次驾驶车辆时，都对位移传感器进行一次诊断，在产生信号漂移现象后，及时进行修正，减小信号漂移对换档过程的影响，以提高整个换档过程的精确性和可靠性。
一种电动汽车用两档机械式自动变速器换档控制方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210071923.7有效
发明人：西井昭人;中村胜光 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明的目的是得到下述半导体器件，即能够与P型阳极层的杂质浓度无关地保持耐压，同时能够利用P型阳极层的杂质浓度控制导通电压，由此不进行寿命控制就能够控制导通电压与恢复损耗的折衷选择性，而且能够抑制阶跃现象解决手段是，在N-型漂移层(1)上设置P型阳极层(2)。贯通P型阳极层地设置沟槽(3)。在沟槽(3)内隔着绝缘膜(4)埋入导电性物质(5)。N-型漂移层(1)与P型阳极层(2)之间设置N型缓冲层(6)。N型缓冲层(6)具有比N-型漂移层(1)更高的杂质浓度。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种中高压屏蔽栅功率MOSFET-CN202221198665.4有效
发明人：张振宇;刘挺;顾书帆;赵群;张博;王毅 -专利权人：扬杰科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种中高压屏蔽栅功率MOSFET，该结构主要包括：半导体漏区；半导体漂移区；第一沟槽，其位于半导体漂移区的侧壁；第二导电类型的半导体柱，且深度不小于第三阈值；第二沟槽；屏蔽栅氧化层；屏蔽栅电极本申请优化了器件阻态时栅极氧化层拐角和屏蔽栅氧化层拐角的电力线聚集现象，同时可以实现高掺杂的漂移区以降低器件通态电阻，提高器件性能。
一种高压屏蔽功率 mosfet

[发明专利]集成的补偿数据通道-CN201480027136.X有效
发明人：戈尔拉玛瑞扎·恰吉;弗拉迪斯拉夫·穆拉维恩;贾马尔·索尼;尼诺·扎西洛维奇;约瑟夫·马塞尔·迪安 -专利权人：伊格尼斯创新公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：一种方法，其用于同时补偿多个劣化现象，其中所述多个劣化现象会对有源矩阵显示器中的电流驱动型像素电路的亮度性能产生不利影响。所述多个劣化现象包括非均匀性现象(其是由工艺非均匀性导致的)、时间依赖性老化现象、以及可能由像素电路中的驱动晶体管的阈值电压的漂移而引起的动态效应现象。
集成补偿数据通道

[发明专利]光波导器件-CN202011545822.X在审
发明人：钉本有纪;村田祐美;近藤胜利 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供一种光波导器件，其能够同时抑制温度漂移现象及DC漂移现象。
波导器件