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[发明专利]一种可实现源内聚焦的光电离和/或光化学电离源-CN202011332415.0在审
发明人：李海洋;万宁波;花磊;蒋吉春;李函蔚 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明为一种可实现源内聚焦的光电离和/或光化学电离源装置，包括紫外光源、离子推斥电极、离子加速电极、离子传输电极、离子聚焦电极、电离源出口电极、进样毛细管、侧抽阀门和电离源腔体；离子推斥电极、离子加速电极、离子传输电极、离子聚焦电极和电离源出口电极均平行、绝缘、同轴放置于电离源腔体内。
一种实现聚焦电离光化学

[发明专利]双极性离子迁移谱仪的离子门及方法-CN200810119974.6有效
发明人：彭华;张清军;林津;李元景;陈志强;毛绍基;代主得;曹士娉;张仲夏;张阳天;林德旭;王清华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2008-10-20 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J49/34 文献下载
摘要：公开了一种双极性IMS的离子门和方法，该离子门包括：离子源；第一门电极，设置在离子源的一侧；第二门电极，设置在离子源的另一侧；第三门电极，设置在第一门电极的远离离子源的那侧；第四门电极，设置在第二门电极的远离离子源的那侧；其中，在离子存储阶段，第一门电极在轴上相应位置的电位与离子源的电位和第三门电极的电位存在差异；第二门电极的电位与离子源的电位和第四门电极的电位存在差异。根据本发明，样品气体进入离子门后，在第一门电极和第二门电极之间与反应离子进行电荷交换，正负离子在电场的作用下，源源不断地被存储到相应的离子滞留区中，提高了离子的利用效率。采用简单地对组合电极进行控制的方法，将离子滞留区中的离子分步引出。
极性离子迁移方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法-CN202210555540.0在审
发明人：朴晙皙;林志勋;金宰范;林俊亨;孙暻锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。
薄膜晶体管阵列面板相关制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法-CN201710790406.8有效
发明人：朴晙皙;林志勋;金宰范;林俊亨;孙暻锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。
薄膜晶体管阵列面板相关制造方法

[发明专利]芯片封装结构与其制作方法-CN201610098276.7有效
发明人：卢东宝;徐子涵 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构与其制作方法，包括芯片、线路层、无源组件材料以及基材。线路层配置于芯片的表面上，其中线路层包括多个凸块与多个无源组件电极。凸块与无源组件电极具有相同材质，且具有相同厚度，而无源组件电极电性连接至部分凸块。无源组件材料配置于无源组件电极之间，使无源组件电极与无源组件材料构成位于芯片的表面上的无源组件。芯片配置于基材上，并以表面面对基材，使芯片与无源组件藉由凸块电性连接至基材。本发明还揭示一种芯片封装结构的制作方法。本发明提供的芯片封装结构与其制作方法通过改变无源组件的配置方式而具有良好的操作效能。
芯片封装结构与其制作方法

[发明专利]功率模块-CN202211537646.4在审
发明人：桂盈盈;周彦;林才胜;杰拉尔多·希门尼斯·奧罗茲科;王泽;理查德·约瑟夫·汉波;阿贾伊·瓦苏迪奧·帕特瓦汉;李忠树 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本公开提供一种功率模块，包含第一电极端、第二电极端、第一开关组件、第二开关组件、第一开尔文源极引脚及第二开尔文源极引脚。第一电极端及第二电极端用于电连接电源。第一开关组件电连接于第一电极端。第二开关组件电连接于第一开关组件与第二电极端之间，且包含分别电连接于第一开关组件及第二电极端的漏极和源极。第一开尔文源极引脚电连接于第二开关组件的源极，并用以接收架构于驱动第二开关组件的栅极驱动信号。第二开尔文源极引脚电连接于第二开关组件的源极，并架构于电连接缓冲电路。
功率模块

[发明专利]一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺-CN201510291419.1有效
发明人：王韬;龙继东;杨振;彭宇飞;蓝朝晖;董攀 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C01B6/02 文献下载
摘要：本发明公布了一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，包括（a）采用金属钛作为原料制造电极源片工件，并对其表面进行预处理；（b）将步骤（a）得到的预处理电极源片工件在真空下进行高温退火；（c）将退火后的电极源片工件进行吸氢反应；（d）设置降温曲线使得吸氢反应进行一定时间，将吸氢后的工件进行冷却至室温，得到成品电极源片。本发明生产出的电极源片表面均匀的氢化层没有宏观裂纹，在强磁脉冲放电的情况下，各个部位的氢化层受到的外部冲击是一样的，不会发生并形成喷裂，大大提升了产品的放电稳定性，也极大地延长了电极源片的寿命。
一种裂纹氢化电极制备工艺

[发明专利]有机发光晶体管及包含此的显示装置-CN201310367397.3在审
发明人：金基栖 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：有机发光晶体管包含：基板；有机半导体层，布置于所述基板上；源电极和漏电极，与所述有机半导体层接触且相互隔开而布置；栅电极，与所述有机半导体层、源电极及漏电极形成绝缘，且被布置为与所述有机半导体层叠置；以及辅助电极，与所述源电极或所述漏电极叠置。
有机发光晶体管包含显示装置

[发明专利]半导体开关元件和半导体电路装置-CN200710128682.4有效
发明人：矢船宪成;J·K·特怀南 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-07-05 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种半导体开关元件，其中在形成于衬底上的半导体层上，或半导体衬底上，以预定间隔沿衬底表面的方向设置源电极和漏电极；且第二栅电极被设置在源电极和漏电极之间，第二栅电极与源电极电连接并用具有彼此不同高度的肖特基势垒的两种类型的电极材料层来构成
半导体开关元件电路装置

[发明专利]用于石墨烯MOSFET的氮化物栅极电介质-CN201280013918.9有效
发明人： P·阿沃里斯;D·A·诺伊迈尔;朱文娟 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：一种半导体结构，其包括：衬底；所述衬底上的石墨烯层；所述石墨烯层上的源电极和漏电极，所述源电极与所述漏电极分开预定尺寸；所述石墨烯层上的氮化物层，其位于所述源电极与所述漏电极之间；以及所述氮化物层上的栅电极，其中所述氮化物层为用于所述栅电极的栅极电介质。
用于石墨 mosfet 氮化物栅极电介质

[发明专利]有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法-CN201980088620.6在审
发明人：金明花;金宰范;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机发光显示装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一有源层，具有在所述第一区域中设置在所述基底上的源极区域和漏极区域；第一栅极电极，设置在所述第一有源层上；第一源极电极，设置在所述第一栅极电极上，所述第一源极电极连接到所述源极区域；牺牲层结构，设置为与所述第一源极电极间隔开，所述牺牲层结构具有开口；保护绝缘层，设置在所述第一源极电极和所述牺牲层结构上；第一漏极电极，设置在所述保护绝缘层上，所述第一漏极电极通过所述开口连接到所述漏极区域，所述第一漏极电极与所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第一源极电极一起被限定为第一晶体管；以及子像素结构，设置在所述第一晶体管上。
有机发光显示装置制造方法

[发明专利]电容耦合等离子体处理装置-CN202310275919.0在审
发明人：常庆环;游加加 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供一种电容耦合等离子体处理装置，包括壳体、第一电极、第二电极、第一射频偏压源和第二射频偏压源，壳体具有容置腔，第一电极和第二电极均位于容置腔中且至少部分相对设置，待处理件位于第一电极朝向第二电极的一侧；第一射频偏压源与第一电极电连接，第二射频偏压源与第二电极电连接，第一射频偏压源和第二射频偏压源的频率相等，且间隔半个周期。第二射频偏压源可以阻碍电子朝向第二电极运动，阻碍第二电极附近的电子鞘的形成，以降低电子鞘对阳离子的吸引，提高阳离子朝向第一电极的运动速度。
电容耦合等离子体处理装置

[发明专利]非易失性可重构晶体管及制造方法-CN202210121720.8在审
发明人：李黄龙;杨逸飞 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请提供了一种非易失性可重构晶体管，包括栅电极，其上表面覆盖有绝缘层；绝缘层远离栅电极的表面内形成有沟道层、含碲源电极及含碲漏电极，含碲源电极及含碲漏电极位于沟道层的相对两侧且均与沟道层电连接；其中，通过在含碲源电极与含碲漏电极之间施加预设时间的预设激励电信号，使含碲源电极及含碲漏电极中的碲原子在电场作用下发生迁移，改变沟道层的极性，以使晶体管极性重构。上述非易失性可重构晶体管中，通过设置含碲源电极与含碲漏电极，在源电极与漏电极之间施加预设激励电信号时，使沟道层极性发生改变，且在撤去激励电信号时，沟道层仍然能够稳定的维持极性不变，从而实现晶体管在极性重构过程中的非易失特性
非易失性可重构晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、电路及其制造方法及显示装置-CN201310293757.X有效
发明人： K.M.奥尼尔;J.P.V.马斯 -专利权人：创造者科技有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种底部栅极底部接触式薄膜晶体管，包括栅极电极、源极电极、漏极电极、介电层及由半导体氧化物所构成的半导体氧化层。介电层设置于栅极电极与半导体层之间，且半导体层覆盖源极电极及漏极电极。源极电极及漏极电极至少包括由氧还原材料所构成的第一电极部，及由不同于氧还原材料的另外的材料所构成的第二电极部。漏极的第二电极部中面向源极的一侧将漏极的第一电极部中背向介电层的主要表面的至少一局部表面暴露于半导体层，且其中源极的第二电极部中面向漏极的一侧将源极的第一电极部中背向介电层的主要表面的至少一局部表面暴露于半导体层
薄膜晶体管电路及其制造方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、具备其的液晶显示装置-CN201911040109.7有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管基板具备基底基板和薄膜晶体管，上述薄膜晶体管具有：上述基底基板上的栅极电极；栅极绝缘层；源极电极和漏极电极；以及氧化物半导体层，其至少隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对，并且第1端部和第2端部分别重叠在上述源极电极和上述漏极电极上从而连接到上述源极电极和上述漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极各自具有第1导电层和包覆上述第1导电层的第2导电层，上述第2导电层包含从包括钼、钽、钨以及镍的组中选择的至少1种元素，上述源极电极与上述漏极电极之间的区域下的上述栅极绝缘层的膜厚比上述源极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小，并且比上述漏极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小。
薄膜晶体管及其制造方法具备液晶显示装置