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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置及其制造方法-CN201310753193.3在审
发明人：刘思呈 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置，包括：衬底以及衬底上形成的基底绝缘层；栅电极、源电极和漏电极，其中，栅电极设在基底绝缘层上，在栅电极与源电极和漏电极之间形成栅电极绝缘层，氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层包括源区和漏区，和用以提供源电极和漏电极之间导电沟道的沟道区；钝化层，其设在部分栅电极绝缘层、源电极、漏电极以及氧化物半导体层上；遮光层，其设在所述钝化层上用以遮挡外界光射到所述氧化物半导体层；包括第一电极和第二电极的有机发光体，其中所述第一电极的一部分穿过所述钝化层与所述源电极或者漏电极电连接。
一种具有氧化物薄膜电晶体发光装置及其制造方法

[发明专利]一种碳基多端仿生突触器件及其制备方法-CN202111528367.7在审
发明人：张国和;宫晨蓉;刘佳;俞宙;陈琳 -专利权人：西安交通大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明一种碳基多端仿生突触器件及其制备方法，该仿生突触器件从下至上包括衬底、导电层及电介质层，所述电介质层的上表面分别设有第一栅电极、第二栅电极、源电极及漏电极，源电极和漏电极通过半导体沟道相连接，所述导电层包括从下至上设置的金属导电层和半导体导电层该制备方法包括：在衬底的一表面沉积金属导电层；在得到的金属导电层上形成半导体导电层；在得到的基底上形成电介质层；在得到的电介质层上显影出栅电极、源电极和漏电极图案，将电极金属材料沉积在栅电极、源电极和漏电极图案上形成栅电极、源电极和漏电极；在得到的源电极和漏电极之间形成半导体沟道，得到碳基多端仿生突触器件。
一种基多仿生突触器件及其制备方法

[发明专利]一种用于内离子源质谱仪的电子传输方法和装置-CN200910154008.2有效
发明人：吴文明;俞建成;郑毅;汪茂菊;刘立鹏 -专利权人：聚光科技(杭州)股份有限公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种内离子源质谱仪的电子传输方法，特点是：在电子源的一侧依次设置电极a、电极b和电极c，电极上设有孔，各个电极间相互隔离；电源分别为所述电子源、各电极供电；其中，电极a上的电势Va、电极c上的电势Vc都高于电子源上的电势；在离子化阶段，电极b上的电势为Vb1，电子源产生的电子流通过所述孔穿过电极a、电极b和电极c；在非离子化阶段，电极b上的电势变化为Vb2，Vb2＜Vb1，电极b阻挡了电子源产生的电子流的穿过；在上述阶段中，电极c阻挡了离子的穿过；使流经电子源的电流保持稳定，从而使得在所述离子化阶段，从电极c出射的电子流稳定。
一种用于离子源质谱仪电子传输方法装置

[发明专利]具有场电极的晶体管器件-CN201310556439.8有效
发明人： F·希尔勒;A·毛德 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有场电极的晶体管器件。一种晶体管器件包括半导体主体，所述半导体主体具有源区、漂移区以及处于源区和漂移区之间的体区。源电极与所述源区电耦合。邻近所述体区的栅电极通过栅极电介质与所述体区介电绝缘。邻近所述漂移区的场电极通过场电极电介质与所述漂移区介电绝缘，且与所述栅电极和所述源电极之一电耦合。整流元件将所述场电极与所述栅电极和所述源电极之一电耦合。
具有电极晶体管器件

[发明专利]一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件-CN201911127582.9在审
发明人：胡盛东;安俊杰 -专利权人：重庆大学;安俊杰
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件领域，涉及一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，包括依次线性布置的漏极金属、N型衬底层、N型漂移区、N型载流子扩散区、P型沟道层、源极金属；还包括与源极金属连通的槽型栅电极、槽型源电极以及N型源区；所述槽型源电极包括源极P型多晶硅；所述槽型栅电极和槽型源电极上设有P保护层；所述源极P型多晶硅与N型载流子扩散区采用异质结二极管结构。本发明在槽型栅电极和槽型源电极上分别使用P保护层的同时，在槽型源电极中布置源极P型多晶硅，能有效降低器件的导通压降、增加器件的击穿电压以及降低器件的开关损耗。
一种对称异质结碳化硅槽型场氧功率 mos 器件

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置-CN201710995939.X在审
发明人：武新国;王凤国;史大为;刘弘;王子峰;李峰;马波;郭志轩;李元博;段岑鸿;赵晶 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，该薄膜晶体管包括衬底；第一源漏电极，所述第一源漏电极设置在所述衬底上；有源层，所述有源层设置在所述第一源漏电极远离所述衬底的一侧；第二源漏电极，所述第二源漏电极设置在所述有源层远离所述第一源漏电极的一侧，其中，所述第一源漏电极与所述第二源漏电极分别独立地与所述有源层相连。
薄膜晶体管阵列以及显示装置

[发明专利]宽带隙半导体装置-CN201410320367.1有效
发明人：末川英介;鹿口直斗;池上雅明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带隙半导体装置，其能够抑制栅极电极与源极电极之间的静电破坏，而不会增加芯片成本。本发明的宽带隙半导体装置具备第2源极层(n+源极层(4A))，其在p基极层(3A)的表层夹着场绝缘膜(11)形成，且与n+源极层(4)在同一工序中形成；第2栅极电极(栅极多晶硅(7A))，其至少形成于场绝缘膜(11)上，且与栅极多晶硅(7)为同一层；第3栅极电极(栅极电极(12))，其形成于一侧的第2源极层上，与第2栅极电极电连接；以及第2源极电极(源极电极(9A))，其形成于另一侧的第2源极层上。
宽带半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710203142.1有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置，包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极垫与第一漏极垫。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。第二绝缘层置于第一绝缘层上。第一源极垫电性连接源极电极且包含第一下源极分支与第一源极本体。第一下源极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一源极本体置于第二绝缘层上。第一漏极垫电性连接漏极电极且包含第一下漏极分支与第一漏极本体。第一下漏极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一漏极本体置于第二绝缘层上。
半导体装置

[发明专利]电子器件、形成电子器件的方法和电路-CN201910305279.7有效
发明人： J·R-吉塔特;奥罗拉·康斯坦特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：在一方面，电路包括漏极端子和源极端子；HEMT，具有漏极和源极，其中漏极耦接到漏极端子；以及可变电阻器，具有第一和第二电极。第一电极可耦接到HEMT的源极，并且第二电极可耦接到源极端子。在另一方面，电子器件包括源极端子；沟道层和阻挡层之间的异质结；HEMT的源极电极，源极电极覆盖在沟道层上面；第一电阻器电极，第一电阻器电极覆盖在沟道层上面并与源极电极间隔开，第一电阻器电极耦接到源极端子；以及可变电阻器，其中从俯视图看，可变电阻器在源极电极和第一电阻器电极之间沿着异质结设置。
电子器件形成方法电路

[发明专利]集成显示系统电路及其驱动方法-CN202010708280.7有效
发明人：庄振荣;申亨哲;蔡志強;梁佑玮 -专利权人：晶门科技（中国）有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：特别地，显示面板包括多个源电极和多个栅电极，多个源电极具有多个数据线，该显示面板还包括：栅极驱动器，该栅极驱动器被直接并入薄膜晶体管阵列中以形成阵列上栅(GOA)电极；源电极，该源电极传输多个数据驱动信号；栅电极，该栅电极传输栅极驱动信号；VCOM电极，该VCOM电极传输电压驱动信号；显示电极，该显示电极传输显示驱动信号。驱动器电路包括：显示驱动器IC，该显示驱动器IC包括源极驱动器和栅极控制，该源极驱动器被可操作地配置成驱动源电极，栅极控制被可操作地配置成控制栅极驱动器输出；和触控驱动器IC，该触控驱动器IC被配置成从触控感应器生成触控扫描信号
集成显示系统电路及其驱动方法

[发明专利]薄膜晶体管、TFT阵列基板及其制造方法和显示装置-CN201310746662.9无效
发明人：王东方;刘威;陈海晶 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例提供的薄膜晶体管TFT，该TFT的源电极包括第一源电极部，该TFT的漏电极包括第一漏电极部，其中，第一源电极部和第一漏电极部与该TFT的有源层同层设置且分别位于该有源层的两侧，且该第一源电极部和该第一漏电极部分别与该有源层直接接触由于第一源电极部和第一漏电极部与栅电极之间不重叠或重叠区域很小，一般不会形成电容，因此，避免了由于源/漏电极上的电压过大，或者源/漏电极上的静电电荷聚集过多，而导致的栅极绝缘层被击穿的现象。
薄膜晶体管 tft 阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]一种垂直结构的微晶硅薄膜晶体管及其制备方法-CN201110397460.9无效
发明人：陈科;刘畅 -专利权人：上海广电电子股份有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构的微晶硅薄膜晶体管，包括玻璃基板，栅电极，绝缘层，有源层，源电极，漏电极，源电极在玻璃基板上，源电极上面是有源层，有源层上面是漏电极，漏电极上面是绝缘层，漏电极通过绝缘层上设有的通孔延伸至绝缘层的上面，栅电极在绝源层的侧面。即由于源电极、漏电极是上下夹着沟道有源层，沟道电流方向是上下方向垂直于玻璃基板，使沟道电流沿着微晶硅的晶向流动，从而可以减弱微晶硅的晶界影响薄膜晶体管性能。
一种垂直结构微晶硅薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]轻型离子导入疗法装置-CN202010252959.X在审
发明人：陈伟杰 -专利权人：永嘉辉科技股份有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： A61N1/32 文献下载
摘要：一种离子导入疗法装置，包括柔性支撑层及电极层。该电极层具有至少两个电绝缘的电极，固定至该支撑层。回流电极与电极层和柔性支撑层分开。控制模块可拆卸地连接到电极层和回流电极。控制模块用以向至少两个绝缘的电极中的至少一电极提供可变电流源或可变电压源，而不向至少两个绝缘的电极中的其他电极提供可变电流源或可变电压源。
轻型离子导入疗法装置

[发明专利]一种金属半导体场效应晶体管-CN201811549415.9在审
发明人：陶临钢;韩丹惠 -专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属半导体场效应晶体管，包括：衬底层；第一缓冲层，第二缓冲层，外延层，沟道层，第三缓冲层，电极层；电极层包括源电极层、栅电极层和漏电极层；源电极层包括源电极和源极帽层，栅电极层包括栅电极和第三缓冲层，漏电极层包括漏电极和漏极帽层；栅电极层和源电极层、漏电极层之间设置有凹槽。
一种金属半导体场效应晶体管

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200710182177.8有效
发明人：入江由季子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括像素电极；像素开关元件，其具有第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域和栅极电极；保持电容元件，其具有形成为在其间夹置电介质膜的第一电极和第二电极，第二电极与第二源极/漏极区域相连；像素电极接续部，其由导电材料形成，像素电极和第二源极/漏极区域通过像素电极接续部彼此相连；和与第一源极/漏极区域连接的信号配线；当通过反转驱动保持像素电位时，信号配线和第二源极/漏极区域变为电位彼此不同，且像素电极接续部和第二源极
显示装置及其制造方法

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