专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于深度学习的商品定价方法以及系统-CN201910883533.1在审
  • 岳冬;陈翀;唐杰;罗晓宇 - 珠海格力电器股份有限公司;珠海联云科技有限公司
  • 2019-09-18 - 2021-03-19 - G06Q30/02
  • 本发明公开了一种基于深度学习的商品定价方法及系统,该方法包括:根据消费者对各商品的消费量受其他消费者的消费量影响关系,得到各商品的基于网络效应的G邻接矩阵;并根据各商品的总消费量以及出货总价,得到各商品的网络效应程度值;将各商品的基于网络效应的G邻接矩阵值作为深度学习模型的输入,对应的各商品的网络效应程度值作为深度学习模型的输出,训练所述深度学习模型;将待预测定价的商品的G邻接矩阵作为训练好的所述深度学习模型的输入,预测得到待预测定价的商品的网络效应程度值;根据预设的最大利润的最优定价表达式以及待预测定价的商品的网络效应程度值,计算得到待预测定价的商品的最优定价。
  • 基于深度学习商品定价方法以及系统
  • [发明专利]晶体管氧化层不同深度处电离-位移协同效应的仿真方法-CN202211404835.4在审
  • 李兴冀;杨剑群;吕钢;应涛 - 哈尔滨工业大学
  • 2022-11-10 - 2023-03-21 - G16C60/00
  • 本发明提供一种晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真方法,方法包括:在双极晶体管氧化层的不同深度处分别设置预设初始浓度的氧空位缺陷,并根据电子‑空穴对计算模型确定双极晶体管氧化层中的电子‑空穴对数量;基于预设的缺陷演化进程,根据氧空位缺陷和电子‑空穴对不同深度处的电离‑位移协同效应进行仿真,根据仿真结果确定不同深度处的空穴浓度;对不同深度处的空穴浓度进行对比分析,确定双极晶体管氧化层中不同深度处电离‑位移协同效应之间的关系。本发明实现了晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真及研究,提供的仿真方法数据获取过程便捷,获取的数据也不会引入干扰项,分析结果精准可靠。
  • 晶体管氧化不同深度电离位移协同效应仿真方法
  • [发明专利]基于人工智能的相机果冻效应检测方法及系统-CN202210458394.X有效
  • 张玉芹 - 宁夏方博科技有限公司
  • 2022-04-28 - 2022-11-11 - G06T5/00
  • 一种基于人工智能的相机果冻效应检测方法及系统,包括:获取相同视角和范围的三维点云数据和RGB图像,并根据三维点云数据获得深度图像;将三维点云数据划分成多个分区域,根据分区域确定各个候选区域一;在深度图像中找出候选区域一对应的深度区域,在各个深度区域中筛选出候选区域二;将深度图像划分为M个子块区域,并将RGB图像划分为相同的子块区域;根据RGB图像和深度图像中的相对应的子块区域,计算总果冻效应量化指标值;最终得到RGB图像的果冻效应严重程度本发明通过对三维点云数据和RGB图像进行对比分析,获得准确且量化的果冻效应指标,为无人机测绘过程提供了参考依据,使图像的果冻效应判断结果更加准确。
  • 基于人工智能相机果冻效应检测方法系统
  • [发明专利]一种深度负载可调的刻蚀方法-CN201510263208.7有效
  • 符雅丽 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2015-05-21 - 2019-02-19 - H01L21/311
  • 本发明公开了一种深度负载可调的刻蚀方法,涉及半导体技术领域,能够在不增加工艺的前提下,调节硅片的深度负载效应。该深度负载可调的刻蚀方法包括硬掩膜刻蚀步骤、深度负载效应调节步骤和浅沟槽刻蚀步骤;在所述硬掩膜刻蚀步骤中,对大开口处和小开口处的硬掩膜进行刻蚀,直至所述大开口处的硬掩膜完全去除,所述小开口处的硬掩膜部分残留;在所述深度负载效应调节步骤中,对所述小开口处的硬掩膜进行刻蚀,直至所述小开口处的硬掩膜完全去除,对所述大开口处的硅进行刻蚀,所述大开口处的刻蚀深度和所述小开口处的刻蚀深度之间的差异可调;在所述浅沟槽刻蚀步骤中
  • 一种深度负载可调刻蚀方法
  • [发明专利]改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法-CN201711139084.7有效
  • 罗尹虹;陈伟;张凤祁;郭红霞;潘霄宇 - 西北核技术研究所
  • 2017-11-16 - 2019-12-27 - G01R31/00
  • 本发明公开了一种通过改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法,包括:计算相同能损时每单位深度降能片材料在硅中的等效深度;依据一定的步长移去放置在器件前的降能片,使布拉格峰逐渐向器件灵敏区移动,LET值和单粒子效应截面达到最大值;依据步长设定继续移去降能片,基于重离子在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线,读取器件灵敏区处相应的LET值;绘制在该重离子时的单粒子效应截面与LET值的关系曲线。该方法实现对倒封器件、背面减薄等新型器件单粒子效应截面的获取,弥补了低能重离子加速器能量低、射程不足带来的影响,并可通过试验准确获取器件单粒子效应阈值,为准确评价器件抗单粒子能力提供了一种有效的试验方法
  • 改变离子布拉格深度测试器件粒子效应截面方法
  • [发明专利]一种考虑弹塑性变形机制剔除纳米压入尺寸效应的方法-CN202311166158.1在审
  • 邱吉;刘聪;崔伟玲;金涛;树学峰 - 太原理工大学
  • 2023-09-11 - 2023-10-17 - G16C60/00
  • 本发明公开了一种考虑弹塑性变形机制剔除纳米压入尺寸效应的方法,为金属材料微尺度力学领域,将等效应变梯度引入到材料的宏观强化函数中,考虑统计存储位错和几何必需位错之间的作用系数,建立材料在微尺度下的微尺度塑性强化函数;基于等效应变#imgabs0#与SSD密度#imgabs1#,等效应变梯度#imgabs2#与GND密度#imgabs3#之间的关系建立材料的内禀长度尺度函数#imgabs4#;通过剔除压入过程中的弹性变形深度,精确捕获等效应变、等效应变梯度与压入深度之间的关系,结合Tabor关系,建立基于压入硬度#imgabs5#与压入深度#imgabs6#的材料的微压入硬度模型。本发明建立了一个可以精确描述金属材料在纳米压痕测试过程中的尺寸效应理论模型,在纳米压痕的尺寸效应问题上具有意义。
  • 一种考虑塑性变形机制剔除纳米尺寸效应方法
  • [实用新型]一种深度调光电路及其照明装置-CN202220180449.0有效
  • 施慧霞 - 施慧霞
  • 2022-01-24 - 2022-06-14 - H05B45/325
  • 本实用新型提供深度调光电路及其照明装置,涉及照明产品技术领域。深度调光电路包括脉冲宽度调制模块、场效应管、工字电感、以及二极管,场效应管的源极与外部电源电连接,脉冲宽度调制模块分别与场效应管的源极和栅极电连接,场效应管的漏极分别与工字电感的输入端和二极管的正极电连接,二极管的负极用于与LED驱动装置的正极电连接,工字电感的输出端用于与LED驱动装置的负极电连接,场效应管的源极接地。本实用新型通过脉冲宽度调制模块根据不同占空比的PWM信号控制场效应管的导通,结合工字电感控制流过场效应管的电流的大小,实现灵活的深度调光,改善调光效果,同时二极管在场效应管导通时能够防止电流反冲,增加使用安全性
  • 一种深度调光电路及其照明装置
  • [发明专利]一种基于人工智能的可变阻尼调节果冻效应方法及系统-CN202110099855.4在审
  • 李小红;孙猛猛 - 李小红
  • 2021-01-25 - 2021-05-07 - G06T7/00
  • 本发明涉及人工智能技术领域,具体涉及一种基于人工智能的可变阻尼调节果冻效应方法及系统。该方法包括:通过无人机上部署的相机采集当前RGB图像和深度图像;对RGB图像进行处理获得灰度图像;判断灰度图像是否出现果冻效应;当判定出现果冻效应时,通过筛选图像最大目标建筑,对最大目标建筑进行分析,获得最大目标建筑的目标建筑角点并划分感兴趣区域;分别对感兴趣区域内及对应的深度图像的区域内进行聚类分析,通过像素点密度差异获得果冻效应程度;根据果冻效应程度对云台阻尼进行调节。本发明利用图像处理方法量化了果冻效应程度,通过果冻效应程度调节云台阻尼实现调节果冻效应的功能。
  • 一种基于人工智能可变阻尼调节果冻效应方法系统

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