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[发明专利]具有增强浮置栅极的闪速存储器结构及其形成方法-CN201910537987.3有效
发明人：黄宏书;刘铭棋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：选择栅极在衬底上方设置在源极区和漏极区之间，并且浮置栅极在衬底上方设置在选择栅极和源极区之间。控制栅极设置在浮置栅极上方。浮置栅极的侧壁限定从浮置栅极的下表面向下延伸的突出物以限定浮置栅极底部内的凹槽。本发明的实施例还提供了闪速存储器结构的形成方法。
具有增强栅极存储器结构及其形成方法

[发明专利]非挥发性存储单元及其制造方法以及其操作方法-CN200510092037.2无效
发明人：郭辉宏;陈琮珑;许正源 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-08-16 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种非挥发性存储单元，包括配置在基底上的一选择栅极，配置在选择栅极的一侧壁上的浮置栅极间隙壁，配置在选择栅极与浮置栅极间隙壁之间的栅间介电层，配置在浮置栅极间隙壁与基底之间的穿隧层，配置在浮置栅极间隙壁侧边的基底中的源极区，配置在选择栅极的另一侧壁的侧边的基底中的漏极区。
挥发性存储单元及其制造方法操作方法

[发明专利]在3D NAND存储器结构和相关设备中的隧道氧化层形成的方法-CN201580010754.8有效
发明人： D.范;S.科卡;G.哈勒;J.霍普金斯;S.苏尔蒂;A.罕德卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：在一些实施例中，这样的结构可以包括布置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的控制栅极材料和浮置栅极材料，布置在浮置栅极材料和控制栅极材料之间的多晶体间电介质（IPD）层，使得IPD层将控制栅极材料与浮置栅极材料电隔离，以及与控制栅极材料相对的沉积在浮置栅极材料上的隧道电介质材料。
nand 存储器结构相关设备中的隧道氧化形成方法

[发明专利]记忆体元件、记忆体阵列与其操作方法-CN201310384702.X在审
发明人：林崇荣;金雅琴 -专利权人：林崇荣;金雅琴
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：记忆体元件包含具有第一导电型的基板、具有第二导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的第二掺杂区、第一浮置栅极、第二浮置栅极与字符栅极。第一与第二掺杂区位于基板中。第一浮置栅极位于基板上方，且电性耦接第一掺杂区。第二浮置栅极位于基板上方，且电性耦接第二掺杂区。字符栅极位于基板的上方与第一与第二掺杂区之间，其中字符栅极包含延伸至第一浮置栅极上方的第一部件与延伸至第二浮置栅极上方的第二部件。
记忆体元件阵列与其操作方法

[发明专利]非挥发存储器及其制造方法-CN200510108812.9无效
发明人：姜盛泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供了一种非挥发存储器，包括设置在半导体基底上的绝缘的浮置栅极、形成在浮置栅极至少一个侧表面上的绝缘的编程栅极、和靠近浮置栅极设置的绝缘的擦除栅极。
挥发存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201910431266.4有效
发明人：范德慈;黄义欣;郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：存储单元包括源极区与漏极区、选择栅极、虚拟选择栅极、浮置栅极、抹除栅极、控制栅极。选择栅极设置于源极区与漏极区之间的基底上。浮置栅极设置于选择栅极与源极区之间的基底上，且浮置栅极的顶部两侧具有对称的转角部，高度低于选择栅极的高度，抹除栅极设置于源极区上，且抹除栅极包覆源极侧的转角部。控制栅极设置于抹除栅极与浮置栅极上。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]分离栅极式快闪存储器及其制造方法-CN02140327.9有效
发明人：谢佳达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-07-01 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种分离栅极式快闪存储器，包括：一基底、一隧穿介电层、一浮置栅极、一栅极间介电层以及一控制栅极。其中，隧穿介电层设置于具有一源/漏极区的基底上。浮置栅极设置于隧穿介电层上，且浮置栅极的底角为锐角。栅极间介电层设置于浮置栅极上。控制栅极设置于栅极间介电层上。再者，此存储器还包括：设置于控制栅极上的上盖绝缘层、设置于控制栅极及浮置栅极侧壁的介电间隔部、相邻于介电间隔部且与该源/漏极区连接的插塞以及设置于基底、上盖绝缘层及插塞上方的选择栅极，且分别与基底及插塞绝缘
分离栅极闪存及其制造方法

[发明专利]使用源极沟渠的分离栅极式快闪存储器元件制作方法-CN02106271.4有效
发明人：谢佳达;郭迪生;林崇荣;朱文定 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-08 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种使用源极沟渠的分离栅极式快闪存储器元件制作方法，至少包括下列步骤：形成栅极氧化层于一半导体底材上；形成浮置栅极堆叠于该栅极氧化层上表面，其中该浮置栅极堆叠包括了下层的浮置栅极与上层的绝缘层；形成层间介电层于该栅极氧化层、与该浮置栅极堆叠的外表面；制作控制栅极于该浮置栅极堆叠侧壁外缘的该层间介电层表面上；进行第一次离子植入程序，以形成漏极区域于邻接该浮置栅极堆叠的该半导体底材中；形成光阻于此半导体底材上，并制作图案露出欲掺杂的源极区域表面；蚀刻此欲掺杂的源极区域表面，以形成一沟渠结构；进行第二次离子植入程序，以便在邻接该浮置栅极的该半导体底材中形成源极掺杂；去除光阻；进行热回火；且形成氧化层于源极沟渠表面。
使用沟渠分离栅极闪存元件制作方法

[发明专利]分离式栅极快闪存储器元件及其形成方法-CN201810066762.X在审
发明人：马洛宜·库马;恩凯特·库马;李家豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离式栅极快闪存储器元件及其形成方法。上述分离式栅极快闪存储器元件包括半导体基板、位于上述半导体基板上的浮置栅极介电层以及浮置栅极。上述浮置栅极包括位于上述浮置栅极介电层上的导电层、位于上述导电层的顶表面上的成对的导电间隔物。上述分离式栅极快闪存储器元件亦包括覆盖上述浮置栅极的栅极间介电层。上述栅极间介电层覆盖上述导电层与此些导电间隔物的侧壁。上述分离式栅极快闪存储器元件亦包括位于上述栅极间介电层上的控制栅极。
快闪存储器元件分离式栅极浮置栅极栅极间介电层导电层半导体基板导电间隔物介电层控制栅极成对的顶表面侧壁覆盖

[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法和动作方法-CN00120253.7有效
发明人：小林孝;仓田英明;小林直树;久米均;木村胜高;佐伯俊一 -专利权人：株式会社日立制作所;日立器件工程株式会社
申请日： 2000-07-14 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：实现微细化、提高动作速度并降低绝缘膜缺陷密度的集成电路装置具有衬底中的阱101;阱中的源极/漏极扩散层;在衬底上通过绝缘膜形成的浮置栅极;和浮置栅极之间存在着绝缘膜而形成的控制栅极;连接上述控制栅极的字线;和上述半导体衬底、浮置栅极、控制栅极之间存在着绝缘膜而形成、且与辅助栅极和控制栅极不同的第3栅极,被形成为埋入到位于与字线和沟道垂直的方向上的浮置栅极的间隙内。
半导体集成电路装置及其制造方法动作

[发明专利]非挥发性记忆体及其制造方法-CN201310695133.0有效
发明人：詹耀富 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：此非挥发性记忆体包括衬底、穿隧介电层、浮置栅极、多个保护层、控制栅极以及栅间介电层。衬底具有主动区。穿隧介电层配置于主动区中的衬底的表面上。浮置栅极配置于穿隧介电层上。多个保护层分别配置于浮置栅极的部分侧壁上。控制栅极覆盖浮置栅极的顶面与部分侧壁以及每一保护层的至少一部分。栅间介电层配置于浮置栅极与控制栅极之间以及配置于保护层与控制栅极之间。
挥发性记忆体及其制造方法

[发明专利]分离栅极快闪存储装置及其制造方法-CN200710005731.5无效
发明人：刘世昌;罗际兴;蔡嘉雄;何企伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种分离栅极快闪存储装置，包括：一浮置栅极，形成于一基底上，其中该浮置栅极的一侧壁包括一侧向凹陷；一组合介电层，形成于该基底、该侧壁以及该浮置栅极的该侧向凹陷上；一控制栅极，形成于该组合介电层上，且覆盖至少部分的该浮置栅极；以及一介电层间隙壁，形成于该侧向凹陷中，且位于该组合介电层与该控制栅极之间。根据本发明，浮置栅极的独特轮廓可同时获得低FTV及高RTV，进而可改善分离栅极快闪存储装置的程序化及擦除的性能。
分离栅极闪存装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200880021052.X有效
发明人：家田义纪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：抑制了具有浮置栅极的存储器元件的可靠性的降低。本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件具有：岛状半导体膜，该岛状半导体膜在绝缘表面上形成，且包括沟道形成区和高浓度杂质区；在岛状半导体膜上形成的隧穿绝缘膜；在隧穿绝缘膜上形成的浮置栅极；在浮置栅极上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的控制栅极；以及在隧穿绝缘膜与浮置栅极之间形成的第一绝缘膜。第一绝缘膜由浮置栅极的材料的氧化膜形成，因此防止浮置栅极的材料扩散到隧穿绝缘膜中。
半导体器件

[发明专利]自对准浮置栅极阵列的形成方法及包括该阵列的闪存器件-CN200610169069.2无效
发明人：崔钟云 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开一种包括自对准浮置栅极阵列的闪存器件，以及一种用于闪存器件的自对准浮置栅极阵列的形成方法。该闪存器件包括：多个器件隔离层，通过硅衬底的氧化所形成；和浮置栅极阵列，在由多个器件隔离层所划分的有源器件区域中形成，在所述浮置栅极阵列中，浮置栅极的侧壁与多个器件隔离层自对准。
对准栅极阵列形成方法包括闪存器件

[发明专利]制造金属氧化物半导体存储器的方法-CN201210129157.5有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：于半导体基底的多个有源区上形成隧穿层、位于隧穿层上的多个浮置栅极、位于多个浮置栅极上的垫层、和围绕有源区的沟槽。形成第一氧化物层，使它填满沟槽和多个浮置栅极两两间的空间。将垫层移除。于多个浮置栅极上和第一氧化物层上形成氧化物-氮化物-氧化物层(简称ONO层)。于ONO层上依序形成控制栅极材料层及栅极导体层。对栅极导体层、控制栅极材料层、和氧化物-氮化物-氧化物层通过图形化的硬掩模进行蚀刻，以于多个浮置栅极上形成和多个有源区相交的多个栅极导体线和多个控制栅极线。如此，ONO层不沿着浮置栅极侧壁形成，所以没有栏状突出物的问题。
制造金属氧化物半导体存储器方法