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[发明专利]非挥发性存储器的操作方法-CN200510091965.7无效
发明人：张格荥;黄丘宗 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器的操作方法，适用于操作一存储单元列，此存储单元列至少包括位于绝缘层上硅基底中的主体层、位于主体层上的多个浮置栅极、位于相邻两浮置栅极间的主体层中的多个源极/漏极区，以及位于浮置栅极上的控制栅极
挥发性存储器操作方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN200610005890.0无效
发明人：赖亮全 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器，由基底、多个主体层、多个控制栅极、多个浮置栅极与多个掺杂区所构成。基底表面具有一层绝缘层。主体层设置于基底上，主体层呈条状平行排列并往第一方向延伸。控制栅极设置于基底上，控制栅极呈条状平行排列，并往第二方向延伸，其中，第二方向与第一方向交错，且控制栅极填满主体层于第二方向上的间隙。浮置栅极设置于控制栅极与主体层之间。掺杂区则设置于控制栅极之间的主体层中。
挥发性存储器及其制造方法

[发明专利]非挥发性存储器的抹除方法-CN200610005874.1无效
发明人：王国栋;潘燕立;朱国豪;许正源 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器的抹除方法，此方法包括：(a)于各个存储单元列中的奇数编号的选择栅极上施加第一电压，偶数编号的选择栅极上施加第二电压，且第一电压与第二电压的电压差可使注入存储单元的浮置栅极的电子，经由选择栅极而移除(b)进行一切换动作，使第一电压与第二电压以分别施加于各存储单元列中的偶数编号的选择栅极上以及奇数编号的选择栅极上，并使注入这些存储单元的浮置栅极的电子，经由选择栅极拉出而使存储单元成为抹除状态。
挥发性存储器方法

[发明专利]具变换粒径的硅层结构以及通过热工艺形成此结构的方法-CN200310100568.2有效
发明人：黄致远;陈咏生 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-10-20 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：如果此层作为一浮置栅极晶体管结构的一浮置栅极，则较大晶粒的结构要邻接穿隧介电层，以降低尖端或突出物的形成，进而降低漏电。另一方面，较小晶粒的结构要邻接栅介电层，以产生一平滑且较均匀的栅介电层。这种多晶硅转非晶硅的晶体管可通过一温度分布制造，其中温度分布在浮置栅极沉积的启始有利于多晶硅的形成，并且在沉积期间转变温度到浮置栅极沉积的终止为有利于非晶硅的形成。
变换粒径结构以及通过工艺形成方法

[发明专利]改善快闪存储器制作工艺中光刻胶涂布缺陷的方法-CN200910054019.3有效
发明人：杨晓松;余云初;袁伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提出一种改善快闪存储器制作工艺中光刻胶涂布缺陷的方法，包括：提供在半导体衬底上依次形成有栅氧化层、第一导电层、栅间介质层；以刻蚀栅间介质层、第一导电层和栅氧化层，形成浮置栅极；在栅极两侧的半导体衬底内形成源极/漏极；对半导体衬底进行烘烤后，在栅间介质层及半导体衬底上形成第二导电层；刻蚀第二导电层，形成控制栅极；对半导体衬底进行烘烤；于半导体衬底、浮置栅极和控制栅极上形成氮化硅层和图案化第三光刻胶层；以图案化第三光刻胶层为掩膜，刻蚀氮化硅层，在浮置栅极和控制栅极两形成侧墙。
改善闪存制作工艺光刻胶涂布缺陷方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN200610075153.8无效
发明人：久保山贤一;金森宏治 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：提供一种半导体存储装置，由具有沟槽部(1a)的基板(1)、隔着绝缘膜(2)而被配设在与沟槽部(1a)邻接的基板(1)上的选择栅极(3)、被设置在选择栅极(3)下的基板(1)表面上的第一阱(1b)、隔着绝缘膜(8)而被配设在沟槽部(1a)的底部至侧壁部表面上的浮置栅极(6)、被设置在浮置栅极(6)下的沟槽部(1a)底部表面上的第二阱(1c)、被设置在沟槽部(1a)底部表面上的第一扩散区域(7a)、隔着绝缘膜(8)而被配设在浮置栅极(6)之上的控制栅极(11)构成一个单位单元，相对于选择栅极(3)，将沟槽部(1a)的侧壁面至底面附近作为沟道，第一阱(1b)的杂质浓度在第二阱(1c)的杂质浓度以下。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN202211310870.X在审
发明人：卢铉弼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器可以包括：半导体基板，包括第一表面和第二表面，并且还包括光电转换区；掩埋栅极结构，设置在从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板中的掩埋栅极沟槽中；浮置扩散区，包括第一类型杂质并在掩埋栅极结构的一侧设置在半导体基板中；接触，在浮置扩散区上方设置在半导体基板的第一表面上；以及接触屏障区，包括第二类型杂质并在半导体基板中设置在接触和浮置扩散区之间。
图像传感器

[发明专利]图像传感器的单元像素-CN201410041492.9有效
发明人：李浚泽;郑相日;金利泰;梁云弼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器的单元像素，所述图像传感器的单元像素包括：光电转换区域、浮置扩散区域和传输栅极。光电转换区域在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中。光电转换区域产生与入射光相对应的电荷。传输栅极将电荷传输到浮置扩散区域，浮置扩散区域位于有源区域中。传输栅极包括相对于基准线划分的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。
图像传感器单元像素

[发明专利]浮置栅极与非挥发性存储单元的制造方法-CN201510342820.3有效
发明人：施凯侥;王思婷;冯祺凯;尹德源 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种浮置栅极与非挥发性存储单元的制造方法，浮置栅极的制造方法包括下列步骤。提供具有多个隔离结构的基底，隔离结构的顶面高于基底的顶面。在基底上形成第一导体层。在第一导体层上形成牺牲层。以及图案化第二导体层与导体结构，以形成浮置栅极。
栅极挥发性存储单元制造方法

[发明专利]可减小漂移扩散电容的电荷转移器件和电荷转移方法-CN98123537.9无效
发明人：中柴康隆 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-10-27 - 公布日： 1999-05-19 - 主分类号： H01L29/762 文献下载
摘要：所述重置MOSFET包括浮置扩散层(3);导质层(4)重置栅极(9)。所述检测MOSFET包括与浮置扩散层(3)相连的检测栅极(5)。所述浮置扩散层(3)包括第一半导体区(3a)和第二半导体区(3b)。将第一半导体区(3a)的杂质浓度设定为当把重置信号加给重置栅极(9)时,使该第一半导体区(3a)在电压低于重置电压(Vrd)情况下不被消耗的浓度。
减小漂移扩散电容电荷转移器件电荷转移方法

[发明专利]具有隔离结构的非易失性存储器及其制造方法-CN200610137491.X无效
发明人：陈大川;杨政桓 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：继而于各开口的侧壁形成浮置栅极，浮置栅极的顶部低于隔离结构顶面，但高于基底顶面。接着在开口底部的基底上形成源极线，源极线邻接浮置栅极并且横跨这些隔离结构。继而移除源极线外侧的部分隔离结构。
具有隔离结构非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管-CN200910009837.1有效
发明人：小山雅纪;冈部好文;浅井诚;藤井岳志;吉川功 -专利权人：株式会社电装;富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-01-24 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：一种具有IGBT的半导体器件包括：衬底(1)；衬底上的漂移层(2)和基极层(3)；穿透基极层以将基极层分成基极部分(3a-3d)的沟槽(4)；一个基极部分中的发射极区(5)；沟槽中的栅极元件(7a-7c所述一个基极部分提供沟道层(3a)，另一基极部分提供没有发射极区的浮置层(3b-3d)。栅极元件包括与沟道层相邻的栅电极(7a)和与浮置层相邻的虚设栅电极(7b-7c)。浮置层包括与沟道层相邻的第一浮置层(3b)以及远离沟道层的第二浮置层(3c)。虚设栅电极和第一浮置层与基极层上的第一浮置布线(12)电耦合。虚设栅电极与第二浮置层隔离开。
具有绝缘半导体元件半导体器件双极晶体管

[发明专利]具有共享控制栅极的非易失性晶体管对的制造方法-CN200480031809.5无效
发明人： B·洛耶克 -专利权人：爱特梅尔股份有限公司
申请日： 2004-09-01 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一对非易失性存储器晶体管与绝缘衬底(11)上的单个多晶硅浮置栅极(23)分隔开。在采用绝缘材料环绕着多晶硅层浮置栅极之后，除了保留在原来浮置栅极横向两侧上的两个剩余部分(21a和21b)之外，刻蚀掉多晶硅层。这些剩余的部分成为一对适用于晶体管对的新的浮置栅极。如果单个多晶硅浮置栅极具有制造工艺的最小特征尺寸，则在刻蚀之后所保留的一对多晶硅层剩余部分(21a和21b)就会更小，也许可以小于最小特征尺寸所占的比例。
具有共享控制栅极非易失性晶体管制造方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202111305868.9在审
发明人：任东模;金慈明;朴钟银;李范硕;曹官植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器，包括基底；设置在基底内部的光电转换区域；设置在基底内部以包括地区域、浮置扩散区域和用于连接地区域和浮置扩散区域的沟道区域的第一有源区域；设置在沟道区域内部的基底沟槽；设置在基底的表面上以包括填充基底沟槽的一部分并具有第一宽度的下栅极和在下栅极上的具有小于第一宽度的第二宽度的上栅极的传输栅极；以及设置在基底沟槽内部以介于地区域和上栅极之间的栅极间隔物。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]快擦写存储单元浮置栅极的制造方法-CN01123712.0有效
发明人：邱宏裕;苏俊联;吕文彬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-07-27 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种快擦写存储单元浮置栅极的制造方法，是使存储单元(Cell)的平坦化效果得以达成，其基本概念在于利用溅射蚀刻或干蚀刻等技术，来蚀刻多晶硅栅极和高密度等离子体氧化层，以定义浮置栅极。
擦写存储单元栅极制造方法