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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非挥发性存储器、非挥发性存储器阵列及其制造方法-CN200410092213.8无效
发明人：许正源;洪至伟;宋达 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-03 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器，由基底、多个堆栈栅极结构、间隙壁、多个控制栅极、多个浮置栅极、栅间介电层、穿隧介电层与源极区/漏极区所构成。各堆栈栅极结构从基底起依序为选择栅极介电层、选择栅极与顶盖层。间隙壁位于堆栈栅极结构侧壁。控制栅极位于基底上，填满堆栈栅极结构之间的间隙，且彼此连接在一起。浮置栅极位于堆栈栅极结构之间，且位于控制栅极与基底之间。栅间介电层位于控制栅极与浮置栅极之间。穿隧介电层位于浮置栅极与基底之间。源极区/漏极区分别位于最外侧的两堆栈栅极结构一侧的基底中。
挥发性存储器阵列及其制造方法

[发明专利]具有在FDSOI衬底中形成的垂直选择栅极的存储器单元-CN201510617909.6有效
发明人： A·雷尼耶;J-M·米拉贝尔;S·尼埃尔;F·拉罗萨 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成于半导体衬底(SUB)中的存储器单元，包括在该衬底中所形成的沟槽(TR)中垂直延伸并且通过第一栅极氧化物层(D3)与该衬底隔离的选择栅极(SGC)；在该衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层(D1)与衬底隔离的水平浮置栅极(FG)；和在该浮置栅极上方延伸的水平控制栅极(CG)，该选择栅极(SGC)覆盖该浮置栅极的侧面，该浮置栅极仅通过第一栅极氧化物层(D3)与该选择栅极隔开，并且仅通过第二栅极氧化物层与在该衬底中沿该选择栅极延伸的垂直沟道区域
具有 fdsoi 衬底形成垂直选择栅极存储器单元

[发明专利]具有在FDSOI衬底中形成的垂直选择栅极的存储器单元-CN201910288732.8有效
发明人： A·雷尼耶;J-M·米拉贝尔;S·尼埃尔;F·拉罗萨 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成于半导体衬底(SUB)中的存储器单元，包括在该衬底中所形成的沟槽(TR)中垂直延伸并且通过第一栅极氧化物层(D3)与该衬底隔离的选择栅极(SGC)；在该衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层(D1)与衬底隔离的水平浮置栅极(FG)；和在该浮置栅极上方延伸的水平控制栅极(CG)，该选择栅极(SGC)覆盖该浮置栅极的侧面，该浮置栅极仅通过第一栅极氧化物层(D3)与该选择栅极隔开，并且仅通过第二栅极氧化物层与在该衬底中沿该选择栅极延伸的垂直沟道区域
具有 fdsoi 衬底形成垂直选择栅极存储器单元

[发明专利]半导体存储器装置-CN202210765630.2在审
发明人：朴圣根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置可包括第二导电类型的第一阱、第二导电类型的第三阱、第一导电类型的第二阱、浮置栅极和选择栅极。第一阱可包括第一有源区域。第三阱可包括第三有源区域。第二阱可布置在第一阱和第三阱之间。浮置栅极可与第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域交叠。选择栅极可与第二有源区域交叠。选择栅极和浮置栅极可并排布置。第二有源区域和浮置栅极之间的第二交叠面积可大于第三有源区域和浮置栅极之间的第三交叠面积。
半导体存储器装置

[发明专利]闪存的制造方法-CN01110528.3无效
发明人：黄水钦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-10 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种闪存的制造方法,提供一基底,在基底上形成数个浮置栅极结构,其中浮置栅极由介电层所包覆,且浮置栅极之间的间隔主要是作为源极或是漏极与控制栅极信道的预定位置。接着再形成多晶硅层覆盖于介电层与浮置栅极上,之后再依序形成顶盖层与缓冲层覆盖于多晶硅层上。其中浮置栅极之间较大的间隔,由于上述多层的覆盖将造成明显的凹陷处,此凹陷处会自行对准较大间隔的中央处,使得两旁预留的控制栅极信道长度一致。之后再以数道微影、蚀刻制程同时形成控制栅极、漏极与源极的位置。
闪存制造方法

[发明专利]快闪存储器与其形成方法及快闪存储器结构-CN201811360092.9有效
发明人：朱育贤;钟政桓;庄强名 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：快闪存储器包括基板与浮置栅极结构于基板上。浮置栅极结构包括第一部分，其具有第一上表面与第一厚度。浮置栅极结构亦包括第二部分，其具有第二上表面与第二厚度，且第二厚度不同于第一厚度。浮置栅极结构还包括侧壁表面，其连接第一上表面与第二上表面，且浮置栅极结构的第一上表面与侧壁表面之间的第一角度为钝角。快闪存储器亦包括控制栅极结构于浮置栅极结构的第一部分与第二部分上。
闪存与其形成方法结构

[发明专利]具有电阻率测量图案的闪存器件及其形成方法-CN200510136227.X无效
发明人：梁基洪;朴相昱 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-12-23 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：沟槽形成在自对准浮置栅极(SAFG)方案中的隔离膜内。该沟槽被填埋从而形成电阻率测量浮置栅极。这允许即使在SAFG方案中也可测量浮置栅极的电阻率。用于电阻率测量的接触直接连接到电阻率测量浮置栅极。
具有电阻率测量图案闪存器件及其形成方法

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN201910136912.4有效
发明人：张文岳 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：在所述存储器结构中，第一介电层位于基底上；栅极堆叠结构位于第一介电层上；栅极堆叠结构包括字符线、抹除栅极与第二介电层；第二介电层位于字符线与抹除栅极之间；第三介电层位于栅极堆叠结构的表面上；浮置栅极位于栅极堆叠结构之间，且各自位于对应的栅极堆叠结构的侧壁上；浮置栅极的顶面低于抹除栅极的顶面；第四介电层覆盖第一介电层、第三介电层与浮置栅极；控制栅极位于浮置栅极之间的第四介电层上；掺杂区位于栅极堆叠结构的两侧的基底中。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]用于存储多数据的非易失电可变存储器单元及其制造方法-CN200680002312.X无效
发明人：高任维 -专利权人：纳诺斯塔公司
申请日： 2006-01-12 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：一个存储器单元包括两个控制栅极，其侧向地布置在两个浮置栅极之间，每个浮置栅极能够保持数据。存储器单元通过在其上设置阱的半导体材料的衬底部上设置第一多晶硅来形成。控制栅极优选地通过金属镶嵌工艺形成，其中在形成两个浮置栅极之后将第一多晶硅去除，并在这两个浮置栅极之间设置第二多晶硅。随后在第二多晶硅上进行各向异性蚀刻以形成两个控制栅极。
用于存储多数非易失电可变存储器单元及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法-CN200810090815.8无效
发明人：朴珍俊;郭僖珍;阵范俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-04-02 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：半导体装置包括从基底突出的隔离层、分隔件、隧道绝缘层、浮置栅极、介电层图案和控制栅极。分隔件可以形成在隔离层的突出部分的侧壁上。隧道绝缘层可以在基底上形成在相邻的隔离层之间。浮置栅极可以形成在隧道绝缘层上。浮置栅极接触分隔件，并具有从下部向上部逐渐增加的宽度。介电层图案和控制栅极可以顺序形成在浮置栅极上。
非易失性半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]快闪存储单元及其制造方法-CN200410089722.5无效
发明人：王进忠;毕嘉慧;黄正同 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-02 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种快闪存储单元，主要包括第一导电型基底、第二导电型井区、图案化膜层、第二导电型掺杂区、穿隧介电层、多个浮置栅极、栅间介电层以及多个控制栅极。其中，浮置栅极配置在未被图案化膜层所覆盖的第一导电型基底上，且这些浮置栅极的厚度大于图案化膜层的厚度。由于浮置栅极具有较适当的厚度，因此其与控制栅极所夹的区域可具有较大的面积，进而提高快闪存储单元的耦合率。
闪存单元及其制造方法

[实用新型]形成于半导体衬底中的存储器单元、存储器单元的群组及存储器电路-CN201520749262.8有效
发明人： A·雷尼耶;J-M·米拉贝尔;S·尼埃尔;F·拉罗萨 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种形成于半导体衬底中的存储器单元、存储器单元的群组及存储器电路，该存储器单元包括在该衬底中所形成的沟槽(TR)中垂直延伸并且通过第一栅极氧化物层(D3)与该衬底隔离的选择栅极(SGC)；在该衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层(D1)与衬底隔离的水平浮置栅极(FG)；和在该浮置栅极上方延伸的水平控制栅极(CG)，该选择栅极(SGC)覆盖该浮置栅极的侧面，该浮置栅极仅通过第一栅极氧化物层(D3)与该选择栅极隔开，并且仅通过第二栅极氧化物层与在该衬底中沿该选择栅极延伸的垂直沟道区域(CH2)隔开。
形成半导体衬底中的存储器单元电路

[发明专利]浮置栅极存储单元及其制造方法-CN03108813.9有效
发明人：骆统 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种浮置栅极存储单元(floating gate memorycell)，包括一基板，且基板有一漏极(drain)和一源极(source)并以一通道(channel)隔绝；一浮置栅极，位于通道上方并以一第一绝缘层隔离；和一控制栅极(control gate)，位于浮置栅极上方并以一第二绝缘层隔离。藉由选择适当的沉积条件，使此浮置栅极至少部分为一微晶粒的多晶硅材质，且具有一粒径尺寸范围约在50～500之间。
栅极存储单元及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法和工作方法-CN201910114626.8有效
发明人：马敬;钟伟明;金子貴昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法和工作方法，其中，图像传感器包括：基底，基底包括第一区和包围第一区的第二区；位于基底第一区的光电层；位于光电层表面的所述第一阱区；位于第一阱区表面的所述第一浮置扩散区；位于第一浮置扩散区内的所述第二阱区；位于第二阱区内的所述第二浮置扩散区；位于基底第二区表面的第一栅极结构，第一栅极结构包围光电层、第一阱区和第一浮置扩散区，第一栅极结构与光电层、第一阱区和第一浮置扩散区的侧壁接触；位于第二阱区表面的第二栅极结构，第二栅极结构围绕第二浮置扩散区，第二栅极结构暴露出第二浮置扩散区。
图像传感器及其形成方法工作

[发明专利]图像传感器-CN202210865470.9在审
发明人：朴相千;朴成凤;李范硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：每个像素包括：浮置扩散区域，掺杂有第一导电类型的杂质；传输栅极结构，邻近于浮置扩散区域；以及晶体管。传输栅极结构包括：传输栅电极层；传输栅极绝缘层；以及传输栅极间隔件，在与基底的上表面平行的第一方向上邻近于传输栅极绝缘层，并且传输栅极间隔件的一部分设置在浮置扩散区域与传输栅电极层之间。在每个像素中，连接到浮置扩散区域的浮置扩散接触件在第一方向上设置成与邻近于传输栅极结构相比更邻近于像素隔离膜。
图像传感器

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