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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]与非门型闪存存储单元列及其制造方法-CN200410031227.9无效
  • 陈世昌;许正源;洪至伟 - 力晶半导体股份有限公司
  • 2004-03-26 - 2005-09-28 - H01L27/105
  • 其存储单元列，包括第一、第二层叠栅极结构；控制、浮置栅极；栅间介电层、隧穿介电层、掺杂区以及源区/漏区。第一层叠栅极结构具有擦除栅极介电层、擦除栅极与覆盖层。第二层叠栅极结构具有选择栅极介电层、选择栅极与覆盖层。控制栅极位于各第一层叠栅极结构之间和各第二层叠栅极结构与相邻的第一层叠栅极结构之间。浮置栅极位于控制栅极与衬底之间，且其具有边缘呈尖角状的下凹表面。而栅间介电层位于控制与浮置栅极之间。隧穿介电层则位于浮置栅极与衬底之间。此外，掺杂区位于第一层叠栅极结构下，而源区/漏区位于除第二层叠栅极结构以外暴露出的衬底中。
  • 与非门闪存存储单元及其制造方法
  • [发明专利]半导体存储装置及其制作方法-CN202110772353.3在审
  • 张魁 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-08 - 2021-10-08 - H01L27/108
  • 该半导体存储装置包括：绝缘层；浮置体，形成于绝缘层的靠近上表面的区域内，多个浮置体间隔排列成至少一行或至少一列；有源区，形成于绝缘层以及浮置体的上表面，有源区包括沟道区、源极和漏极，源极和漏极位于沟道区的两侧，沟道区与多个浮置体接触；栅极，形成于沟道区上表面，栅极与沟道区接触，栅极对应同一行或同一列的多个浮置体；字线，形成于栅极的上表面，一个字线连接一个栅极。
  • 半导体存储装置及其制作方法
  • [发明专利]闪速存储器件-CN200710145639.9无效
  • 张郑烈 - 东部高科股份有限公司
  • 2007-09-06 - 2008-03-12 - H01L21/28
  • 本发明涉及闪速存储器件以及闪速存储器件的制造方法，其通过增加浮置栅极的表面面积增加控制栅及和浮置栅极之间的耦合系数。在实施方式中，闪速存储器件通过以下步骤形成：在包括氧化物膜、浮置栅极多晶硅膜和BARC(底部抗反射涂层)的半导体衬底上形成用于形成浮置栅极的光刻胶图案，使用光刻胶图案作为掩模进行第一蚀刻工艺以蚀刻浮置栅极多晶硅膜至预定深度
  • 存储器件
  • [发明专利]闪存存储器及其制造方法-CN201410794626.4有效
  • 宋达;黄明山 - 力晶科技股份有限公司
  • 2014-12-18 - 2018-09-11 - H01L27/11524
  • 本发明公开一种闪存存储器及其制造方法，该闪存存储器包括堆叠栅极结构、第一掺杂区与第二掺杂区、选择栅极以及栅介电层。堆叠栅极结构设置于基底上，堆叠栅极结构从基底起依序包括穿隧介电层、浮置栅极、栅间介电层以及控制栅极。第一掺杂区与第二掺杂区分别设置于堆叠栅极结构两侧的基底中。选择栅极设置于堆叠栅极结构下方的基底中的沟槽内，且选择栅极邻近第一掺杂区并与第二掺杂区相距一距离。栅介电层设置于选择栅极与基底之间。穿隧介电层设置于浮置栅极与选择栅极之间以及于浮置栅极与基底之间。
  • 闪存存储器及其制造方法
  • [发明专利]分离栅极快闪存储单元及其制造方法-CN03155541.1无效
  • 吴陞;黄财煜 - 力晶半导体股份有限公司
  • 2003-08-28 - 2005-03-09 - H01L27/105
  • 一种分离栅极快闪存储单元，由具有元件隔离结构的衬底；设置于衬底上的选择栅极结构；设置于衬底上的具有开口的层间介电层，此开口暴露部分选择栅极结构、衬底与元件隔离结构；设置于开口中，且部分延伸至层间介电层表面的浮置栅极；设置于浮置栅极与衬底之间的隧穿介电层；设置于该开口中，填满开口并延伸至选择栅极结构上方的控制栅极；设置于浮置栅极与控制栅极之间的栅极间介电层；设置于控制栅极未与选择栅极结构相邻的一侧的衬底中的源极区与设置于选择栅极未与控制栅极相邻的一侧的衬底中的漏极区所构成
  • 分离栅极闪存单元及其制造方法
  • [发明专利]图像传感器-CN202211375166.2在审
  • 崔赫洵;安待健 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-04 - 2023-05-12 - H01L27/146
  • 浮置扩散区设置在半导体基板内。浮置扩散区与第一表面相邻。掩埋栅极结构设置在从半导体基板的第一表面朝半导体基板的内部延伸的掩埋栅极沟槽内，掩埋栅极结构包括在与浮置扩散区的第一侧部相邻的第一掩埋栅极沟槽内部的第一掩埋栅电极、以及在与第一掩埋栅极沟槽间隔开并与浮置扩散区的第二侧部相邻的第二掩埋栅极沟槽内部的第二掩埋栅电极
  • 图像传感器
  • [发明专利]沟槽栅极IGBT-CN201711263226.0有效
  • 神田良;松浦仁;菊地修一 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-12-05 - 2023-09-05 - H01L29/06
  • 本公开涉及沟槽栅极IGBT。提供了一种高性能的沟槽栅极IGBT。根据一个实施例的沟槽栅极IGBT包括：半导体衬底(11)；设置在半导体衬底(11)上的沟道层(15)；设置在沟道层(15)两侧的两个浮置P型层(12)，浮置P型层(12)比沟道层(15)深；设置在两个浮置P型层(12)之间的两个发射极沟槽(13)，发射极沟槽(13)分别与浮置P型层(12)接触；设置在两个发射极沟槽(13)之间的至少两个栅极沟槽(14)；和设置在两个栅极沟槽14之间的源极扩散层(19)，源极扩散层(19)与栅极沟槽(14)中的每一个接触。
  • 沟槽栅极igbt
  • [发明专利]半导体装置-CN201580001887.9有效
  • 小野泽勇一;田村隆博 - 富士电机株式会社
  • 2015-02-09 - 2019-04-02 - H01L29/78
  • 在活性区域中，在基板正面侧设有槽栅MOS栅极构造，在沟槽(2)间的台面区域中设有浮置p型区域(9)。在浮置p型区域(9)的、基板正面侧的表面层上，与沟槽(2)分离地设有槽(10)。槽(10)的内部隔着LOCOS等绝缘层(11)而设有第2栅极电极(12)。第2栅极电极(12)覆盖浮置p型区域(9)的、基板正面侧的表面。即，第2栅极电极(12)在浮置p型区域(9)与层间绝缘膜(8)之间配置成埋入浮置p型区域(9)的基板正面侧的表面层，以使基板正面变得平坦。
  • 半导体装置
  • [发明专利]快闪存储器的制作方法-CN200910054503.6无效
  • 张艳红;杨林宏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-07-07 - 2011-01-12 - H01L21/8247
  • 本发明提出一种快闪存储器的制作方法，包括下列步骤：在半导体衬底上依次形成隧穿氧化层、浮置栅极、栅间介质层和控制栅极，并在控制栅极和浮置栅极两侧形成侧墙，在控制栅极和浮置栅极两侧的半导体衬底内形成源极/漏极；在半导体衬底上形成硅化物层，所述硅化物层覆盖控制栅极和浮置栅极；采用干法刻蚀法刻蚀硅化物层，定义硅化物阻挡区；在非硅化物阻挡区形成层间介质层，所述层间介质层内形成有露出源极/漏极、控制栅极的接触孔；在接触孔内壁形成扩散阻挡层后
  • 闪存制作方法
  • [发明专利]图像感测装置-CN202111393560.4在审
  • 申钟焕 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-11-23 - 2022-09-09 - H04N5/374
  • 一种图像感测装置可以包括光电转换元件、浮置扩散区和传输栅极。光电转换元件可以形成在基板的下部区域处。浮置扩散区可以形成在基板的上部区域处。传输栅极可以与浮置扩散区相邻地形成在基板的上部区域处。传输栅极可以包括具有三角形截面形状的凹陷电极。
  • 图像装置
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