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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非易失性存储器装置-CN202110901484.7在审
发明人：朴圣根;宋在永 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：非易失性存储器装置可包括基板、第一浮置栅极、第二浮置栅极、第三浮置栅极和第四浮置栅极。基板可包括有源区域。第一至第四浮置栅极可形成在基板上。第一至第四浮置栅极可径向布置以与有源区域部分地交叠。第一浮置栅极和第三浮置栅极可沿第一方向彼此面对。第一浮置栅极和第三浮置栅极可具有不对称平面形状。第一浮置栅极和第二浮置栅极可在基本上垂直于第一方向的第二方向上彼此面对。第一浮置栅极和第二浮置栅极可具有不对称平面形状。第三浮置栅极和第四浮置栅极可沿第二方向彼此面对。第三浮置栅极和第四浮置栅极可具有不对称平面形状。第四浮置栅极和第二浮置栅极可沿第一方向彼此面对。第四浮置栅极和第二浮置栅极可具有不对称平面形状。
非易失性存储器装置

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN201811557539.1有效
发明人：刘振强;许正源;宋达 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中该存储器结构包括至少二浮置栅极、二硬掩模条、一抹除栅极以及二选择栅极。至少二浮置栅极配置于基底上。二硬掩模条分别配置于浮置栅极上方，并裸露出部分浮置栅极。浮置栅极的裸露部分彼此面对。抹除栅极配置于浮置栅极之间的基底上。二选择栅极配置于浮置栅极外侧的基底上。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]具有沟槽侧壁晶体管的非易失性存储器件及其制造方法-CN200510106921.7有效
发明人：朴珉彻;许星会;崔正达;李知晅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括半导体衬底、器件隔离层、隧道绝缘层、浮置栅极、埋入浮置栅极以及控制栅极。沟槽位于衬底上，用于限定与沟槽相邻的衬底的激活区。器件隔离层沿沟槽位于衬底上。隧道绝缘层位于衬底的激活区上。浮置栅极位于对着衬底的激活区的隧道绝缘层上。埋入浮置栅极位于沟槽内的器件隔离层上。栅极间介质层位于浮置栅极和埋入浮置栅极上，而且在它们之上延伸。控制栅极位于栅极间介质层上，而且在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸。
具有沟槽侧壁晶体管非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]存储器结构及其编程方法与读取方法-CN201910014961.0有效
发明人：许家荣;孙文堂 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构及其编程方法与读取方法，其中该存储器结构包括：第一选择晶体管、第一浮置栅极晶体管、第二选择晶体管、第二浮置栅极晶体管与第七掺杂区。第一选择晶体管包括选择栅极、第一掺杂区与第二掺杂区。第一浮置栅极晶体管包括浮置栅极、第二掺杂区与第三掺杂区。第二选择晶体管包括选择栅极、第四掺杂区与第五掺杂区。第二浮置栅极晶体管包括浮置栅极、第五掺杂区与第六掺杂区。第二浮置栅极晶体管中的浮置栅极的栅极宽度大于第一浮置栅极晶体管中的浮置栅极的栅极宽度。浮置栅极至少覆盖部分第七掺杂区。
存储器结构及其编程方法读取

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010927132.4在审
发明人：施秉嘉;庄贵雅;阙壮鑫;蔡明哲;王雯琳;邓仪君;刘思吟;廖万春 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包括：基材、栅极介电层、浮置栅极、第一介电层以及控制栅极。栅极介电层设置在基板上。浮置栅极设置在栅极介电层上，浮置栅极具有至少一尖端，此至少一尖端位于浮置栅极的顶表面上。第一介电层设置在浮置栅极上。控制栅极设置在第一介电层的上方，控制栅极至少部分重叠浮置栅极。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制作方法-CN200710148996.0有效
发明人：廖伟明;张明成;黄建章 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及一种非挥发性存储器，其包括栅极结构以及源极/漏极区。栅极结构配置于基底上。栅极结构包括一对浮置栅极、穿隧介电层、控制栅极以及栅间介电层。浮置栅极配置于基底上。穿隧介电层配置于每一个浮置栅极与基底之间。控制栅极配置于此对浮置栅极之间的基底上，且覆盖每一个浮置栅极的顶面与至少侧壁。栅间介电层配置于控制栅极与每一个浮置栅极以及穿隧介电层之间，以及配置于控制栅极与基底之间。源极/漏极区配置于栅极结构二侧的基底中。因此增加了控制栅极所覆盖的浮置栅极的面积，进而提高了控制栅极与浮置栅极之间的耦合率。
挥发性存储器及其制作方法

[发明专利]双位闪存存储器结构及其制造方法-CN201510081567.0有效
发明人：张明丰;廖宏魁 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开一种双位闪存存储器结构及其制造方法，该存储器结构包含位于基材上的选择栅极氧化物层、容置于选择栅极氧化物层中的选择栅极，选择栅极两侧各有一组复合栅极层。各别复合栅极层包含浮置栅极氧化层、浮置栅极、复合材料层、控制栅极与间隙壁。浮置氧化硅位于基材上。浮置栅极位于浮置氧化层上。复合材料层位于浮置栅极上。控制栅极位于复合材料层上。间隙壁位于控制栅极上。
闪存存储器结构及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201510393338.2有效
发明人：郑宗文;郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司;郑宗文;郑育明
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该存储器包括存储单元，存储单元包括：堆叠栅极结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区与漏极区、控制栅极和栅间介电层，堆叠栅极结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，浮置栅极的顶部具有转角部。抹除栅极包覆转角部。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠栅极结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，进而增加存储器元件的可靠度。
非易失性存储器及其制造方法

[实用新型]非易失性存储器-CN201520483612.0有效
发明人：郑宗文;郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司;郑宗文;郑育明
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该存储单元包括：堆叠栅极结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区与漏极区、控制栅极和栅间介电层，其中堆叠栅极结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，浮置栅极的顶部具有转角部。抹除栅极包覆转角部。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠栅极结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，进而增加存储器元件的可靠度。
非易失性存储器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110846173.5在审
发明人：张思宇;李越;李志国;刘玉丽;隋振超 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10B41/00 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有浮置栅极和栅极介质层；控制栅极，位于所述栅极介质层表面；浮置栅极连接结构，位于所述控制栅极两侧，所述浮置栅极连接结构的一部分贯穿所述栅极介质层并延伸到所述浮置栅极中；隔离结构，位于所述控制栅极和所述浮置栅极连接结构之间，用于隔离所述控制栅极和所述浮置栅极连接结构；层间介质层，覆盖所述半导体衬底、所述控制栅极、所述浮置栅极连接结构和所述隔离结构；第一接触结构、第二接触结构和第三接触结构，贯穿所述层间介质层且分别电连接所述控制栅极、所述浮置栅极连接结构和所述半导体衬底中的有源器件。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]栅极结构、快闪存储器及其制作方法-CN200710046811.5有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种栅极结构，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的隧穿氧化层，位于隧穿氧化层上的浮置栅极，位于浮置栅极两侧的半导体衬底中的源/漏极，位于源/漏极以外半导体衬底及浮置栅极上的栅间介电层，位于浮置栅极上的控制栅极及位于浮置栅极和控制栅极以外的层间介电层，所述控制栅极在字线方向包覆浮置栅极。本发明还提供一种栅极结构的制作方法、快闪存储器及制作方法。本发明浮置栅极与控制栅极在位线方向是堆叠式的，因此可以按工艺要求减小栅极的尺寸，提高半导体器件的集成度。同时，在字线方向控制栅极包覆浮置栅极，使擦除和编程效率提高。
栅极结构闪存及其制作方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201310575138.X有效
发明人：朴圣根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括浮置栅极，其形成在衬底上；接触插塞，其形成在该浮置栅极的第一侧，并设置为平行该浮置栅极，且具有限定于其间的间隙；和间隔物，其形成在该浮置栅极的侧壁上，并填充该间隙，其中该接触插塞与该浮置栅极具有足够大的重迭面积，以致能该接触插塞操作如用于该浮置栅极的控制栅极。
浮置栅极接触插塞非易失性存储器件控制栅极间隔物侧壁衬底重迭填充平行制造

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201510060039.7有效
发明人：郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司;郑育明
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：存储单元具有堆叠结构、浮置栅极、隧穿介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区、漏极区、控制栅极以及栅间介电层。堆叠结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠结构的第一侧的侧壁。隧穿介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201910808137.2有效
发明人：范德慈;黄义欣;郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：存储单元包括源极区与漏极区、选择栅极、虚拟选择栅极、浮置栅极、抹除栅极、控制栅极。选择栅极设置于源极区与漏极区之间的基底上。浮置栅极设置于选择栅极与源极区之间的基底上，且浮置栅极的顶部两侧具有二对称的转角部。浮置栅极的高度高于选择栅极与虚拟选择栅极的高度，抹除栅极设置于源极区上，且抹除栅极包覆浮置栅极的源极侧的转角部。控制栅极设置于抹除栅极与浮置栅极上。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]一种存储装置-CN201210365277.5有效
发明人：夏维 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该存储装置包括：基板；位于所述基板上的源极；位于所述基板上的漏极；位于所述基板上的浮置栅极介电层；位于所述浮置栅极介电层上的浮置栅极，所述浮置栅极包含金属；位于所述浮置栅极上的选择栅极介电层；以及位于所述选择栅极介电层上的选择栅极，所述选择栅极包含金属。
一种存储装置

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