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[发明专利]接触插塞及接触插塞的形成方法-CN200910194790.0有效
发明人：牛孝昊;王琪 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触插塞及接触插塞的形成方法，其中接触插塞的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有介质层，所述介质层内形成有接触孔；在所述接触孔底部、侧壁和介质层表面形成阻挡层；在所述阻挡层表面形成填充所述接触孔的金属层；去除部分金属层、形成在介质层表面的阻挡层、部分介质层和部分接触孔内的金属层，形成接触孔，所述接触孔侧壁的阻挡层高于接触孔内的金属层。本发明能够避免相邻的接触孔导通失效现象出现。
接触形成方法

[发明专利]插塞接触件-CN201780025094.X有效
发明人： R.格斯克 -专利权人：菲尼克斯电气公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01R12/51 文献下载
摘要：示出了描述了一种用于电接触电路板（2）的插塞接触件（1），所述电接触借助于将所述插塞接触件（1）插入到所述电路板（2）的接触孔（3）中来实现，所述插塞接触件具有两个相对于彼此弹动的接触腿（4、5）、接头区域（6）和连接区域（7），其中，所述连接区域（7）使所述两个接触腿（4、5）彼此连接并且与所述接头区域（6）连接，并且其中，所述插塞接触件（1）由金属的扁平材料冲制并且折弯。根据本发明的插塞接触件（1）由此确保了多个插入循环和拉出循环，而没有损坏接触孔（3）的内壁（9），其方式是：所述两个接触腿（4、5）分别具有接触区域（4a、5a），所述接触区域在插入状态下接触所述接触孔（3），其中，所述两个接触腿（4、5）在所述接触区域（4a、5a）中的外轮廓（8）的横截面分别构造成弓形，并且其中，所述外轮廓（8）的半径小于所述电路板（2）的、对应的接触孔（3）的半径。
接触

[发明专利]插塞接触件-CN201780025147.8有效
发明人： A.沙夫迈斯特;R.格斯克 -专利权人：菲尼克斯电气公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01R12/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于借助将插塞接触件（1）插入电路板（2）的接触孔（3）中来电接触电路板（2）的插塞接触件（1），具有两个相对彼此弹性的接触支脚（4、5）、接头区域（6）和连接区域（7），其中连接区域（7）使两个接触支脚（4、5）相互连接并且与接头区域（6）连接，并且其中插塞接触件（1）由金属的扁平材料冲压出和弯曲。根据本发明的插塞接触件（1）即使在扁平材料的很小的材料厚度的情况下也能够以如下方式实现可靠的接触：两个接触支脚（4、5）分别具有第一区段（4a、5a）和沿插塞接触件（1）的插入方向（E）与之连接的第二区段（4b、5b），其中两个接触支脚（4、5）从连接区域（7）的平面弯曲，从而连接区域（7）和两个接触支脚（4、5）的与连接区域（7）连接的第一区域（4a、5a）一起形成U形的轮廓，并且在两个接触支脚（4、5）的第二区段（4b、5b）的彼此背对的外侧分别构造有在插入状态下与接触孔（3）接触的接触区域（4c、5c）。
接触

[实用新型]接触插塞结构-CN202021410397.9有效
发明人：刘安淇;詹益旺 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种接触插塞结构。该接触插塞结构包括衬底以及设置于衬底上的介质层，接触插塞结构还包括：第一接触孔，位于介质层中并贯穿至衬底中，第一接触孔具有位于介质层中的第一通孔段以及位于衬底中的第一凹槽，第一通孔段与第一凹槽连通，且在平行于衬底表面的方向上，第一凹槽截面的最大面积大于第一通孔段截面的最大面积；阻挡层，至少部分覆盖于第一凹槽的侧壁上；导电垫层，位于第一凹槽的底面上；导电芯层，接触设置于导电垫层上，且阻挡层包裹导电芯层和导电芯层。
接触结构

[发明专利]插塞接触件和用于制造插塞接触件的方法-CN201680066115.8有效
发明人： R.格斯克 -专利权人：菲尼克斯电气公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01R12/58 文献下载
摘要：示出和描写了一种插塞接触件（1），所述插塞接触件（1）用于借助插塞接触件（1）进到电路板（2）的接触孔（3）中的插入来电接触电路板（2），所述插塞接触件具有两个扁平的、相对于彼此弹性的接触腿（4、5）和连接区域（6），从所述连接区域出发，所述两个接触腿（4、5）在所述插塞接触件（1）的插入方向（E）上延伸，其中，所述插塞接触件（1）以一件的形式由金属的扁平材料冲制出。就根据本发明的插塞接触件（1）而言，在小的尺寸时也实现了高的接触‑法向力，使得插塞连接器在接触孔（3）具有小的直径时也确保了良好的并且持久的电接触，在所述连接区域（6）中，与所述两个接触腿（4、5）邻接地构造凹部（7），从所述凹部（7）出发，所述两个接触腿（4、5）具有彼此之间的、在其自由端部（4a、5a）的方向上增大的距离，其中，所述两个接触腿（4、5）相对于彼此具有叉开状态，并且，所述两个接触腿（4、5）一起具有宽度（B），所述宽度等于或者仅略小于在所述电路板（2）中的、对应的接触孔（3）的直径（D）。
接触用于制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202211205444.X在审
发明人：俞东昊;李志银;黄德性;金基珹;徐承莹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：位线结构，在衬底上；接触插塞结构，在衬底上位于位线结构之间；以及电容器，电连接到接触插塞结构。接触插塞结构可以包括依次堆叠的第一接触插塞、第二接触插塞和第三接触插塞。第二接触插塞的上表面包括上凹部。第三接触插塞可以填充上凹部，并且可以在上凹部上方突出。第三接触插塞的上表面可以高于位线结构的顶表面。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910374990.8在审
发明人：李相炫;康诚右;裴根熙;安学润;吴省翰;吴怜默 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面
接触插塞绝缘间隔物上表面栅电极半导体器件栅极绝缘层侧壁间隔衬底接触方向延伸相邻栅极间隔物侧壁衬底

[发明专利]一种SRAM接触插塞测试结构-CN202310485965.3在审
发明人：谷东光;应翌黛;常建光 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种SRAM接触插塞测试结构。所述SRAM接触插塞测试结构通过基于SRAM存储单元版图的真实结构环境设置接触插塞测试结构，将部分有源区进行分隔，并将分隔后的有源区上的部分正常接触插塞设置为共享接触插塞，保持接触插塞周围结构基本不变的情况下形成接触插塞串联结构，串联结构以外的组件作为虚拟图案不形成电路，不影响测量结果，实现模拟SRAM存储单元版图真实结构环境对共享接触插塞性能进行测试，以减少共享接触插塞接触不良问题。
一种 sram 接触测试结构

[发明专利]接触孔插塞的制造方法-CN200810146017.2有效
发明人：刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔插塞的制造方法，包括提供介电层，其包括多个接触孔插塞，上述多个接触孔插塞穿过上述介电层，以接触多个导电区域。形成穿过上述介电层的开口之后，利用电镀方式，在上述多个导电区域和上述多个接触孔插塞之间形成接触孔插塞阻障层，而上述开口用于形成上述多个接触孔插塞。然后，对上述接触孔插塞阻障层进行处理步骤，以填满上述接触孔插塞阻障层的晶界，因而改善接触孔插塞的电阻。在另一个实施例中，在形成上述介电层之前，利用电镀方式，在上述多个导电区域上形成上述接触孔插塞阻障层。本发明可以降低接触孔插塞的电阻，且可防止铜材料迁移而和邻近的材料层产生不想要的反应。
接触孔插塞制造方法

[发明专利]半导体器件的接触件及其制造方法-CN200910169150.4无效
发明人：金明洙 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的接触件及其制造方法，所述接触件用于防止通过接触插塞生成或引进噪音，其中所述接触插塞连接不同层中的布线。该接触件包括：下布线，覆盖所述下布线的绝缘层，通过所述绝缘层连接到所述下布线的接触插塞，环绕所述接触插塞的导电管且在所述接触插塞和所述导电管之间具有绝缘层，以及连接到所述接触插塞的上布线。本发明的接触件用来防止通过接触插塞生成和流入噪音。
半导体器件接触及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010596889.X在审
发明人：金镇泳;李俊杰;周娜;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成接触沟槽；在所述接触沟槽沉积接触材料层；图形化所述接触材料层以形成接触插塞。本公开的接触插塞的制造方法，通过将现有的氧化物层间介质层的沉积直接替换为沉积多晶硅接触插塞材料，从而将后续的刻蚀开孔以沉积接触插塞材料形成接触插塞替换为刻蚀去除多余的多晶硅插塞材料以形成接触插塞，从而克服了在接触插塞制备中底部开孔不充分
半导体结构及其制作方法

[发明专利]包括虚设接触的半导体器件-CN201810461568.1在审
发明人：吴寅旭;金东铉;朴斗焕;朴晟根;朴哲弘;黄盛昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体器件包括穿过衬底上的绝缘层的多个主接触插塞和多个虚设接触插塞。多个上部互连在绝缘层上。所述多个虚设接触插塞包括第一虚设接触插塞。所述多个上部互连包括重叠第一虚设接触插塞的第一上部互连。第一虚设接触插塞的垂直中心轴位于第一上部互连外部。
接触插塞虚设互连绝缘层半导体器件垂直中心轴主接触插塞衬底穿过外部

[发明专利]磁存储器及其制造方法-CN201480017080.X有效
发明人：玖村芳典 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：所述磁存储器包括衬底以及设置在所述衬底上的接触插塞。所述接触插塞包括第一接触插塞，以及设置在所述第一接触插塞上并且具有比所述第一接触插塞的直径更小的直径的第二接触插塞。所述磁存储器进一步包括设置在所述第二接触插塞上的磁阻元件。所述第二接触插塞的直径比所述磁阻元件的直径更小。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及接触插塞-CN201711292996.8有效
发明人：李义福 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件以及接触插塞。一种半导体器件具有高的电连接可靠性并且包括：基底基板，具有连接目标层；下接触插塞，形成在基底基板之上并电连接到连接目标层；以及上接触插塞，形成在下接触插塞之上，其中下接触插塞包括：下插塞层，具有从下插塞层的顶部分向内延伸的间隙部分；间隙覆盖层，填充间隙部分；以及上覆盖层，覆盖下插塞层的顶表面。
半导体器件以及接触

[发明专利]半导体装置-CN201910119085.8在审
发明人：全辉璨;洪瑟气;金贤洙;李相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。
接触插塞栅极结构绝缘中间层上表面源图案半导体装置连接图案延伸穿过栅电极接触栅极绝缘层栅电极侧壁覆盖基底图案

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