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[发明专利]一种VDMOS器件及其制作方法-CN201710967264.8在审
发明人：赵喜高 -专利权人：深圳市可易亚半导体科技有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，该制作方法包括以下步骤在有源区内形成氧化掩膜；在该氧化掩膜两侧形成第一注入窗口、第二注入窗口以及多晶硅栅极；通过该第一注入窗口和第二注入窗口对该外延层进行第一离子的注入和驱入形成第一体区和第二体区；通过该第一注入窗口和第二注入窗口对该外延层进行第二离子的注入和驱入形成源区；去除该氧化掩膜形成第三注入窗口，通过该第三注入窗口对该外延层进行第一离子的注入和驱入形成深体区；以及在该介质层上生长金属层形成该本发明的VDMOS器件及其制作方法设置氧化掩膜可同时完成体区、源区注入以及掺杂工艺，减少光刻工艺，提升生产效率的同时提升器件整体性能。
一种 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]MOSFET器件的制备方法-CN202110853782.3在审
发明人：何志强;蔡文必;陶永洪;王海龙 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种MOSFET器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在宽带隙漂移层上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；去除部分第二掩膜层界定第一注入窗口；通过第一注入窗口注入形成阱区，得到第一器件结构；在第一器件结构上形成第三掩膜层，刻蚀部分第三掩膜层界定第二注入窗口；通过第二注入窗口注入形成重掺杂区，得到第三器件结构；在第三器件结构上形成第五掩膜层，刻蚀部分第五掩膜层露出第三掩膜层，去除第二掩膜层，界定第三注入窗口；通过第三注入窗口注入形成JFET注入区，得到第四器件结构。
mosfet 器件制备方法

[发明专利]碳化硅器件外延结构及其制备方法-CN202110202787.X有效
发明人：徐少东;蔡文必;于旺;柴亚玲;陶永洪 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上生长碳化硅外延层；在碳化硅外延层上沉积第一阻挡层；刻蚀第一阻挡层以形成露出碳化硅外延层的第一窗口，通过第一窗口注入N型离子以在碳化硅外延层内形成N型离子注入区；在第一阻挡层上和第一窗口内生长连续的第二阻挡层，第二阻挡层在第一窗口内围合形成第二窗口；刻蚀第二阻挡层以露出位于第二窗口处的N型离子注入区，并保留位于第一窗口侧壁的第二阻挡层以形成侧墙结构；通过离子注入在N型离子注入区内形成P型离子注入区，P型离子注入区在碳化硅外延层的注入深度大于N型离子注入区在碳化硅外延层的注入深度。
碳化硅器件外延结构及其制备方法

[发明专利]功率器件及其制备方法-CN202211728275.8在审
发明人：罗加聘;洪昊哲;沈宸棋 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：制备方法包括步骤：提供硅基底，于硅基底内形成阱区、位于阱区内的漂移区和位于漂移区内的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构和硅基底之间形成有衬垫隔离层，漂移区上定义有注入窗口，注入窗口与浅沟槽隔离结构相邻，注入窗口显露出硅基底；对漂移区的注入窗口进行离子注入，以于对应注入窗口的硅基底表面形成以非晶硅为主的破坏层；对对应破坏层的区域进行热氧化处理，以于注入窗口内形成高压栅氧层，高压栅氧层与浅沟槽隔离结构相邻接。
功率器件及其制备方法

[发明专利]带有N面非注入区窗口的半导体激光器-CN202110875998.X在审
发明人：林涛;穆妍;解佳男;李亚宁;孙婉君 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：带有N面非注入区窗口的半导体激光器结构，包括从上至下依次设置的P面电极，欧姆接触层，上限制层，上波导层，量子阱，下波导层，下限制层，衬底，N面非注入区窗口一，N面非注入区窗口二，N面电极；本发明带有N面非注入区窗口的半导体激光器结构，通过在较厚的N面衬底制作非注入区窗口来降低前后腔面处的载流子浓度，减少非辐射复合，光吸收相对减少，降低腔面处产生的热量，提高COD阈值，提升器件特性。
带有注入窗口半导体激光器

[发明专利]P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN202210181654.3在审
发明人：张龙;何乃龙;崔永久;张森;王肖娜;林峰;马杰;刘斯扬;孙伟锋 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]适于SiC功率器件的自对准工艺-CN202310434533.X在审
发明人：骆勇;马金蕊;肖雨;黎力;陈超 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及一种适于SiC功率器件的自对准工艺，其包括：提供器件衬底；在所述器件衬底上方制备侧墙窗口层，其中，侧墙窗口层支撑于器件衬底上的刻蚀终止层上；对上述的侧墙窗口层图形化，以形成若干贯通所述侧墙窗口层的侧墙窗口，其中，侧墙窗口的侧壁相对刻蚀终止层表面呈倾斜分布；进行侧墙材料沉积，以得到至少填充侧墙窗口内的侧墙基体；去除上述侧墙窗口层，以形成若干隔离侧墙基体的侧墙基体隔离窗口；制备注入阻挡层，其中，所述注入阻挡层至少覆盖侧墙基体的侧壁，以利用覆盖侧墙基体侧壁的注入阻挡层进行离子注入时的阻挡。本发明制备的侧墙能精确控制离子注入，提高对SiC功率器件沟道长度的控制精度，与现有工艺兼容。
适于 sic 功率器件对准工艺

[发明专利]基于MOSFET工艺的硅基单电子器件结构及其制备方法-CN200610085390.2无效
发明人：陈杰智;施毅;郑有炓;龙世兵;刘明 -专利权人：南京大学
申请日： 2006-06-13 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：硅基单电子器件结构的制备方法，以(100)晶向的表层硅SOI为衬底；低压化学气相沉积LPCVD在表层硅上依次淀积氮化硅、多晶硅、氮化硅，并对作为顶栅材料的多晶硅层进行磷离子注入掺杂；以电子束光刻EBL显影，感应耦合等离子体刻蚀将在氮化硅上图形转移到多晶硅层；用各向异性腐蚀液腐蚀形成硅的点接触的结构；以光学光刻开源漏注入窗口，注入窗口与顶栅略有重叠，经磷离子注入并热退火RTA；以等离子体化学气相沉积PECVD法在注入窗口沉积二氧化硅绝缘层；以光学光刻注入窗口上光刻接触窗口，以氢氟酸腐蚀去掉接触窗口中的二氧化硅；以光学光刻电极窗口并制备铝电极。
基于 mosfet 工艺硅基单电子器件结构及其制备方法

[发明专利]适用于平面型SiC MOSFET器件的自对准工艺-CN202211444273.6在审
发明人：王荣华;梁凯;许龙来;章文红 -专利权人：无锡美偌科微电子有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：其包括：提供SiC衬底；在上述SiC衬底的正面制备自对准掩膜层；选择性地掩蔽和刻蚀上述自对准掩膜层，以得到若干所需的离子注入第一窗口；利用上述离子注入第一窗口对SiC衬底的正面进行第一导电类型杂质离子的注入，以在SiC衬底内形成第一导电类型源区；对上述与离子注入第一窗口对应的离子注入阻挡层进行横向刻蚀，以在横向刻蚀后，基于离子注入第一窗口形成所需的离子注入第二窗口；利用上述离子注入第二窗口在SiC衬底的正面进行第二导电类型杂质离子的注入
适用于平面 sic mosfet 器件对准工艺

[发明专利]离子注入方法及掩膜层结构-CN201811003639.X在审
发明人：武济;张振中;林盛杰;和巍巍;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入方法，包括在基底材料表面形成第一覆层和第一窗口区的过程，还包括以下过程：在第一窗口区的表面形成第二覆层，并形成第二窗口区；在暴露于第二窗口区内的基底材料表面进行离子注入。本发明还提供一种掩膜层结构，包括基底、覆于基底表面的第一覆层和形成于第一覆层中的第一窗口区，第一窗口区的侧壁覆有第二覆层。通过本发明形成比第一窗口更窄的第二窗口区，使离子注入在更窄的第二窗口区内进行，最终实现缩减离子注入区的尺寸，达到了与采用昂贵的高等级光刻机同样的工艺水平，大幅节约了成本。
窗口区覆层离子基底材料表面掩膜层离子注入区表面形成工艺水平基底表面光刻机侧壁基底暴露节约

[发明专利]浏览器防注入方法、浏览器客户端和装置-CN201410740794.5有效
发明人：党壮;梁志辉;王天平 -专利权人：北京奇虎科技有限公司;奇智软件（北京）有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种浏览器防注入的方法，涉及浏览器技术领域。所述方法包括加载用于拦截窗口消息的窗口消息钩子函数；针对操作系统中的窗口消息，通过所述窗口消息钩子函数进行拦截；判断所述窗口消息是否为劫持浏览器的窗口消息；如果所述窗口消息是劫持浏览器的窗口消息，则停止所述窗口消息的传输根据本发明的浏览器防注入的方法，可以通过加载全局的窗口消息钩子函数，拦截操作系统中的窗口消息，判断该窗口消息是否为劫持浏览器的窗口消息，由此解决了其他应用程序向浏览器注入dll导致浏览器不安全的问题，取得了可以防止其他应用程序向浏览器注入不安全的
浏览器注入方法客户端装置

[发明专利]一种阱离子注入方法-CN202011589507.7在审
发明人：张文娅;徐怀花;刘聪慧;季明华 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供一种阱离子注入方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层上涂敷光刻胶；在所述光刻胶上形成顶部抗反射层；图形化所述顶部抗反射层和所述光刻胶，形成具有注入窗口的掩膜；对所述掩膜进行等离子体处理，增加所述注入窗口侧壁的粗糙度，并使所述注入窗口的侧壁向外倾斜；经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。本发明在阱离子注入前采用等离子体处理掩膜，使注入窗口的侧壁粗糙、硬化并呈现倾斜的形状，从而使侧壁处注入的离子不易落入半导体衬底中，可减少散射离子进入半导体阱区的边缘，从而有效抑制阱邻近效应，提高阱区掺杂的均匀性
一种离子注入方法

[发明专利]LDMOS器件的源端工艺方法-CN202111440107.4在审
发明人：王星杰;杨新杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件的源端工艺方法，在衬底或外延表面涂覆光刻胶，然后在LDMOS器件源端打开光刻胶形成源端的注入窗口，对源端进行第一次离子注入，在衬底或者外延中形成源区；然后对源区光刻胶进行部分去除，形成新的源端注入窗口，重新定义出源区及沟道；在重新形成的源区窗口的定义下对窗口内的多晶硅层进行刻蚀，去除窗口内的多晶硅层，露出多晶硅层下方的氧化硅层；对源区窗口内进行第二次掺杂离子注入。本发明在高能量注入后，通过再次干法刻蚀少量去胶及多晶硅刻蚀重新定义LDMOS的沟道，以减少高能量注入对LDMOS沟道的影响。
ldmos 器件工艺方法

[发明专利]一种用于布里渊放大激光串行组束的二维波导型介质池-CN201410578271.5有效
发明人：吕志伟;白振旭;陈义;王雨雷 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-10-25 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01S3/30 文献下载
摘要：所述介质池为内部中空的长方体结构，且第一侧面与第二侧面均为全反射面，该长方体的四个棱均加工为平面，分别作为抽运光注入窗口、抽运光/种子光出射窗口、种子光注入窗口和种子光/抽运光出射窗口，且抽运光注入窗口与抽运光/种子光出射窗口相互平行，种子光注入窗口与种子光/抽运光出射窗口相互平行。
一种用于布里渊放大激光串行二维波导介质

[发明专利]改善LDMOS性能一致性和稳定性的方法-CN201010270127.7无效
发明人：陈瑜;罗啸;吴智勇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善LDMOS性能一致性和稳定性的方法；在高能和低能注入之间，通过利用等离子体刻蚀调节光刻窗口的尺寸，包括以下步骤：步骤一、利用光刻形成倒置阱注入光刻胶窗口；步骤二、高能离子注入；步骤三、利用离子体刻蚀扩大光刻胶窗口；步骤四、低能离子注入；步骤五、去光刻胶。本发明在高能和低能注入之间调节光刻窗口的尺寸，缩小高能及低能注入之间的宽度的差异，改善了LDMOS沟道杂质分布的均匀性。从而改善了LDMOS器件性能的一致性和稳定性。
改善 ldmos 性能一致性稳定性方法

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