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- [发明专利]提高NLDMOS击穿电压的方法-CN201110376868.8有效
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韩峰;董金珠
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上海华虹NEC电子有限公司
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2011-11-23
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2012-04-11
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H01L21/336
- 本发明公开了一种提高NLDMOS击穿电压的方法,包括以下步骤:步骤一、制作深N阱DNW,在P型衬底P SUB上注入磷,然后再经过高温推进形成;步骤二、通过热生长形成场氧化层,制作P阱,注入杂质为硼,一次或多次注入;步骤三、制作PTOP,在阱注入完成之后及生长栅氧之前,通过注入形成,注入杂质为硼;步骤四、制作多晶硅栅极及多晶硅场板:在栅极氧化层生长完成后,淀积一层多晶硅,然后通过刻蚀定义出多晶硅栅极及场板的位置;步骤五、制作源漏,在多晶硅栅极形成之后,利用多晶硅栅和场氧化层作为硬质掩模,在器件区注入磷或者砷,单次或多次注入;注入硼形成P阱引出所需的P+,单次或多次注入。本发明可减小器件最薄弱的位置的碰撞电离,从而增加了器件的耐压。
- 提高nldmos击穿电压方法
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