“沟槽金属”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1452447个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种具有低栅极电阻的场效应晶体管的结构及制造方法-CN201880096780.0有效
发明人：刘欣芳;许淼;刘燕翔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种场效应晶体管结构，该结构包括：半导体衬底(101)，金属栅极(104)，源极金属沟槽(107)、漏极金属沟槽(108)、刻蚀停止层和栅极接触(105)，该刻蚀停止层覆盖在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方，该栅极接触(105)位于有源区上方，由于在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方覆盖有刻蚀停止层，可以将栅极接触(105)准确打到栅极上，而不会与源极金属沟槽(107)或漏极金属沟槽(108)短接，因此栅极接触(105)可以在金属栅极(104)上延伸至有源区上方，这样栅极接触(105)的长度限制变小，栅极接触(105)的形状可以类似于金属栅极(104)呈长条的形状，增大了栅极接触(105)与金属栅极(104)的接触面积，大大降低了栅极电阻。
一种具有栅极电阻场效应晶体管结构制造方法

[发明专利]金属栅极形成方法-CN201110363056.X有效
发明人：鲍宇;平延磊;肖海波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅极形成方法，包括：在衬底上形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀形成侧壁倾斜的沟槽，且沟槽开口宽度大于所露出的衬底宽度；在沟槽的侧壁上形成隔离侧墙，且沟槽开口宽度大于所露出的衬底宽度；在沟槽内依次形成伪多晶硅栅极和阻挡层；去除牺牲层，并形成主侧墙；去除阻挡层和伪多晶硅栅极，形成沟槽；在沟槽中所露出的衬底上依次形成栅介质层和金属层，以形成金属栅极。本发明在金属栅极形成的过程中，将沟槽的侧壁制作成开口宽度大于所露出的衬底宽度的倒梯形形状，使得在后续的金属层形成过程中在沟槽开口上附着的金属不会导致沟槽开口过小而阻碍金属向沟槽内部进行沉积，保证了金属栅极的可靠性和良好的半导体器件性能
金属栅极形成方法

[发明专利]一种半导体晶片的保护环构件及其形成方法-CN202011354777.X在审
发明人：沈旭;王宏晨;冯仁国 -专利权人：苏州矽锡谷半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体晶片的保护环构件及其形成方法，该方法包括以下步骤：在半导体晶片上设置多个保护环区域，接着在每个所述保护环区域中形成第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，接着在所述第一沟槽中形成第一树脂层；接着在所述第二沟槽中形成层状纳米材料膜/树脂膜层叠结构，接着在所述第三沟槽中形成纳米颗粒薄膜/树脂薄膜层叠结构，接着在所述半导体晶片上沉积介质层，接着在所述介质层中形成第四沟槽、第五沟槽以及第六沟槽，接着在所述第四沟槽中沉积金属材料以形成第一金属层，在所述第五沟槽中沉积金属材料以形成第二金属层，在所述第六沟槽中沉积金属材料以形成第三金属层。
一种半导体晶片保护环构件及其形成方法

[外观设计]软管（沟槽金属）-CN202130197961.7有效
发明人：陈长青 -专利权人：广州市申隆波纹管制造有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：软管（沟槽金属）。2.本外观设计产品的用途：用于水管排水、送水。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
软管沟槽金属

[发明专利]电容器晶片、半导体结构及其形成方法-CN202210106731.9在审
发明人：张任远;赖佳平;李建璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：在基板中形成侧向围绕装置区域的壕沟沟槽。在壕沟沟槽中形成导电金属基板外壳结构。在基板中形成深沟槽，且在深沟槽中形成沟槽电容结构。可通过移除基板的背侧部分来减薄基板。导电金属基板外壳结构的背面经物理暴露。背侧金属层形成于基板的背面及导电金属基板外壳结构的背面上。可形成金属互连外壳结构及金属盖板，以提供金属屏蔽结构，金属屏蔽结构用以阻止电磁辐射冲击至沟槽电容结构中。
电容器晶片半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺-CN201110123665.8无效
发明人：李磊;胡友存;姬峰;张亮;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制备技术领域，更确切的说，本发明涉及一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺。首先在一晶圆基体上淀积通孔介电阻挡层、通孔介电层和通孔金属硬掩模；随后在所述的金属硬掩模上光刻刻蚀打开金属硬掩模形成通孔开口和沟槽阻挡层；再在沟槽阻挡层上淀积沟槽介电层和沟槽金属硬掩模；并且光刻刻蚀沟槽金属硬掩模形成沟槽开口；刻蚀介电层形成沟槽和通孔；于前一步所得的通孔和沟槽上淀积金属阻挡层和铜籽晶层，并电镀铜填满所述的通孔和沟槽；最后进行化学机械研磨平坦化去除多余金属和沟槽金属硬掩模。
一种顶层金属硬掩模双大马士革工艺

[发明专利]多沟槽式萧特基二极管-CN202010547068.7在审
发明人：蔡宜龙;赛德·萨瓦·伊玛目;庄曜维;董铭楼 -专利权人：台湾半导体股份有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种多沟槽式萧特基二极管，包含一半导体基层、一背金属层、一外延层、一层间介电层、一第一金属层、一钝化层与一第二金属层。其中，外延层堆叠于半导体基层，包含一终端沟槽结构、一第一沟槽结构、一第二沟槽结构及一第三沟槽结构。层间介电层是在一终端区内堆叠于外延层。第一金属层堆叠于终端沟槽结构与层间介电层，并延伸至第二沟槽结构与第三沟槽结构之间。钝化层堆叠于第一金属层与层间介电层。第二金属层堆叠于第一金属层与钝化层，并延伸至第一沟槽结构处。通过在终端区设置多个沟槽结构，可以有效的分散电场并避免崩溃电压过早发生。
沟槽式萧特基二极管

[实用新型]一种具有金属触点的LED晶片-CN201620436067.4有效
发明人：杨晓隆 -专利权人：苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种具有金属触点的LED晶片，包括基层及嵌入基层内的金属触点，金属触点具有用于增加金属触点与基层配接面积的轴向的沟槽，沟槽形成供光源通过的通道。本实用新型的LED晶片采用结构的金属触点，金属触点设有沟槽，该沟槽增加了金属触点与基层的接触面积，使金属触点与LED晶片的基层之间配接更牢靠，有效防止金属触点滑脱，提高了LED灯的使用寿命；沟槽的设计减小了金属触点的截面面积，降低了对光源的阻隔，减小阴影面积，沟槽部分内基层能供光源透过，提高了LED灯的亮度；金属触点外周的沟槽均匀分布，截面形状规整，便于制造。
一种具有金属触点 led 晶片

[发明专利]取向电工钢板及其制造方法-CN201980078522.4有效
发明人：权五烈;金佑信;朴钟泰 -专利权人：浦项股份有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的取向电工钢板，沟槽位于电工钢板的表面上，所述沟槽包括底部和侧部，金属氧化物层位于沟槽上，绝缘层位于金属氧化物层上，钢板包括正常沟槽和缺陷沟槽，正常沟槽是位于底部和侧部上的金属氧化物层的厚度大于0.5μm的沟槽，缺陷沟槽是位于侧部或底部上的金属氧化物层的厚度小于等于0.5μm的沟槽，位于正常沟槽上的绝缘层的厚度大于等于0.5μm且小于1.5μm，位于缺陷沟槽上的绝缘层的厚度为1.5μm至10μm
取向电工钢板及其制造方法

[实用新型]肖特基势垒器件-CN202123085616.8有效
发明人：梁维佳;李静怡;周源 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：肖特基势垒器件包括半导体基板，向内部延伸的多个栅极沟槽和每相邻两个栅极沟槽之间有源区上的有源区沟槽，每一栅极沟槽内壁上形成有栅极绝缘层；位于栅极沟槽内的第一金属插塞，位于有源区沟槽的第二金属插塞，且第一金属插塞和第二金属插塞在半导体基板第一表面上电连接；覆盖有源区和有源区沟槽内壁的肖特基势垒层；以及电极层。该肖特基势垒器件通过一道工艺步骤即可同时在有源区半导体基板表面、栅极沟槽和有源区沟槽内沉积势垒金属层，从而在沟槽内构建金属插塞，同时有源区沟槽的设置增加了电流密度，兼顾了器件性能和制备工艺。
肖特基势垒器件

[发明专利]金属栅极及MOS晶体管的形成方法-CN201110139496.7有效
发明人：倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法。其中金属栅极的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成替代栅极结构；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与替代栅电极层顶部齐平；以层间介质层为掩膜，去除替代栅极结构，形成沟槽；在层间介质层上、沟槽侧壁和底部形成第一金属层；在第一金属层上形成掩膜层，所述掩膜层填充满沟槽；对掩膜层进行回刻蚀至露出第一金属层后，去除沟槽内剩余的掩膜层；在第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层填充满沟槽；平坦化第二金属层和第一金属层至露出层间介质层，在沟槽内形成金属栅极。本发明避免由于沟槽侧壁顶部金属层堆积而导致的沟槽内形成空隙，从而可以提高半导体器件的可靠性。
金属栅极 mos 晶体管形成方法

[发明专利]金属栅极形成方法-CN201510374270.3在审
发明人：雷通 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属栅极形成方法，包括：在衬底中形成金属栅极沟槽，并且在金属栅极沟槽的底部和侧壁上依次形成高介电常数层和氮化钛层；沉积氧化硅层，使得所述氧化硅层覆盖衬底表面以及金属栅极沟槽内的所述氮化钛层；对氧化硅层进行回刻，从而去除衬底表面以及金属栅极沟槽侧壁上的氧化硅层部分，保留金属栅极沟槽底部的底部氧化硅部分；湿法刻蚀去除暴露出来的氮化钛层部分，保留底部氧化硅部分覆盖的氮化钛部分；湿法刻蚀去除暴露出来的高介电常数层，并且完全去除底部氧化硅部分；在金属栅极沟槽中沉积功函数金属层；在金属栅极沟槽中填充栅极金属。
金属栅极形成方法

[发明专利]金属栅极结构的制作方法-CN201410351939.2有效
发明人：林静龄;黄志森;邹世芳;林建廷;陈意维;林世雄;陈俊隆;廖琨垣;张峰溢;周孝邦;吕佳霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种金属栅极结构的制作方法，包括首先提供基底，基底上设置有介电层，第一沟槽和第二沟槽设置介电层中，第一金属层和第二金属层分别填满第一沟槽和第二沟槽，其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度。之后，形成掩模层，以完全覆盖第二沟槽。在掩模层的覆盖下，进行第一蚀刻制作工艺以去除部分第一金属层。最后进行第二蚀刻制作工艺，以同时去除部分第一金属层和部分第二金属层。
金属栅极结构制作方法

[实用新型]半导体结构-CN201721470663.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体结构，半导体结构包括：半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；及，回流金属层，填充于所述沟槽内。本实用新型通过在沟槽内沉积金属层后进行高温回流处理，金属层会在回流状态下自所述沟槽的开口处向所述沟槽的底部流动，从而将所述沟槽填满并确保填充于沟槽内的金属层内不会有孔洞的存在；同时，高温回流工艺会让金属原子再结晶从而形成反射率较高的高品质回流金属层
金属层半导体结构本实用新型高温回流衬底填充半导体孔洞半导体器件沉积金属层沟槽填满金属原子使用寿命电迁移反射率高品质开口处再结晶流动

[实用新型]一种电动车用电瓶夹头-CN201320234487.0有效
发明人：鲁兴松 -专利权人：嘉善兴亚有色金属铸造有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01M2/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电动车用电瓶夹头，包括金属夹头和金属柱，所述金属柱上沿轴向开设有沟槽，所述金属夹头安装在沟槽内，金属夹头的底端与沟槽截面形状相吻合。作为优选，所述沟槽的形状为燕尾槽或者为倒T字形。本实用新型的金属夹头安装在金属柱的沟槽内，二者之间的接触面积大，金属夹头不容易断裂。当金属夹头断裂后，只需将金属夹头从金属柱中取出，换上新的即可，这样节约了成本。
一种电动车用电夹头