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[发明专利]研磨用组合物及研磨方法-CN200480028200.2有效
发明人：松田刚;平野达彦;吴俊辉;河村笃纪;酒井谦儿 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在为去除位于沟槽(13)外部的导体膜(15)部分而进行的化学机械研磨中，使用第1研磨用组合物。在为去除位于沟槽外部的导体膜部分的残留部分及位于沟槽外部的屏蔽膜部分而进行的化学机械研磨中，使用第2研磨用组合物。第1研磨用组合物含有特定的表面活性剂、硅氧化物、羧酸、防腐蚀剂、氧化剂和水。第2研磨用组合物含有胶体二氧化硅、防腐蚀剂、完全皂化型聚乙烯醇和水。
研磨组合方法

[发明专利]一种在转接板上实现电绝缘的方法-CN201110427183.1有效
发明人：戴风伟;于大全;周静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材料的腐蚀。然后在沟槽内制作绝缘材料，再在绝缘材料上方制作金属再布线层，完成金属化步骤，避免了开小孔方式，解决了可靠性差的问题，又实现了制作金属再布线层时的电绝缘。
一种转接实现绝缘方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的填充方法、半导体器件的制备方法-CN201410174457.4在审
发明人：曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的填充方法，以及具有浅沟槽隔离结构的半导体器件的制备方法，该填充方法包括：提供一个具有浅沟槽隔离结构的半导体器件衬底；在浅沟槽隔离结构内沉积氧化层；采用柔和化学腐蚀法去除氧化层带有空洞的中上部；继续在浅沟槽隔离结构内填充氧化层，直至填满浅沟槽隔离结构。本发明的方法提高了浅沟槽隔离结构的填充效果，能够制备出具有优良电性能的具有浅沟槽隔离结构的半导体器件；同时，采用本发明的方法还能够降低生产成本，提高产能。
沟槽隔离结构填充方法半导体器件制备

[发明专利]超越离合器外星轮沟槽加工方法-CN201310145783.8有效
发明人：盖鑫宇;李丹;蔡思捷;谢宇晨;孙骁 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：超越离合器外星轮沟槽加工方法，涉及离合器。提供一种使超越离合器外星轮沟槽具有较高制造精度的超越离合器外星轮沟槽加工方法。1）在超越离合器上加工外星轮对数螺旋线沟槽，所述沟槽为贯穿沟槽；2）对外星轮沟槽进行渗碳处理；3）对外星轮沟槽进行酸腐蚀处理；4）对外星轮进行去酸处理；5）对去酸处理后的外星轮进行防锈处理；6）防锈处理后，对外星轮沟槽进行滚压成型加工，完成超越离合器外星轮沟槽的加工。
超越离合器外星沟槽加工方法

[发明专利]带有低介电常数区的半导体器件制作方法-CN03123113.6有效
发明人：蔡卫中;素达玛·澈·夏司曲;吴玉静;凯思·G·卡迈康纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种制作含有低介电常数区(24)的半导体器件(10)的方法包括：在沟槽(20)表面上制作第一层(30/42)；通过第一层中小于沟槽宽度(W2)的开口(70)进行腐蚀来从沟槽中除去第一种材料(38)。淀积第二种材料(44)堵住开口来封闭沟槽中的空气囊(40)。低介电常数区的特征在于空气囊具有大体积，因为开口尺寸小可使第二种材料堵住沟槽而没有大量积累在沟槽中。
带有介电常数半导体器件制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201410627905.1在审
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和浅沟槽隔离结构，所述半导体衬底表面形成有栅极结构和位于所述栅极结构侧壁的侧墙，所述栅极结构和侧墙覆盖部分有源区和浅沟槽隔离结构表面；在未被栅极结构和侧墙覆盖的浅沟槽隔离结构表面形成第一保护层；对所述第一保护层进行改性处理，使得第一保护层完全转变为第二保护层。所述第二保护层保护浅沟槽隔离结构中的氧化硅材料不被湿法清洗工艺所腐蚀，进一步地避免暴露栅介质层，从而保护栅介质层不被腐蚀和消耗，避免了半导体器件失效。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种具有金刚石涂层的密封环及其加工方法-CN202011381839.6在审
发明人：金莲忠 -专利权人：嘉善天宇新材料有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金刚石涂层的密封环及其加工方法，包括基体和金刚石涂层，所述基体表面设有金刚石涂层，金刚石涂层的厚度在5μm‑8μm之间；基体为硬质合金材料，强度高，耐腐蚀性好；基体表面设有大量的沟槽凹坑，且沟槽凹坑表面附着有硼化物层，沟槽凹坑的宽度和深度均不等，沟槽凹坑的深度应当小于3μm，硼化物层表面的高度差应当小于或者等于1微米；本发明获得的金刚石薄膜涂层表面的金刚石呈球状晶体，表面均匀连续，成核密度高，表面粗糙度小，强度高，耐腐蚀性好，密封环的表面粗糙度低；可以提高实用寿命，减少密封环的更换频率。
一种具有金刚石涂层密封及其加工方法

[发明专利]给出具有高沟道密度的半导体器件的低成本方法-CN03149404.8有效
发明人：普拉塞德·文卡特拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2003-06-20 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件10的方法，通过如下步骤进行：在衬底上形成第一介电层140；腐蚀穿透第一介电层以形成沟槽150，在沟槽侧壁160上具有沟道区135；侧向去除相邻于沟道上方的沟槽侧壁的部分第一介电层，以确定半导体器件的源区
给出具有沟道密度半导体器件低成本方法

[发明专利]形成接触孔的方法-CN98105198.7无效
发明人：安德烈亚斯·格拉斯曼 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-03-31 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种用于在覆盖半导体主体的绝缘层中的沟槽内形成接触孔的方法，半导体主体包括需要提供导电触点的集成电路元件，该方法通过适当调节沟槽深度和光刻技术中的所使用的光致抗蚀剂的厚度可以改进硅主体上绝缘层的沟槽中接触孔的光刻腐蚀
形成接触方法

[发明专利]耐腐蚀的陶瓷活塞杆-CN201710743400.5在审
发明人：程新闯;钟俊;沈翔;丁玲 -专利权人：常州液压成套设备厂有限公司;绍兴市曹娥江大闸投资开发有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： F16J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种耐腐蚀的陶瓷活塞杆，包括基体、结合层和面层，所述基体采用双相不锈钢，且所述基体外圆周精车沟槽，具有所述沟槽的基体外圆周上喷涂所述结合层，所述结合层的厚度大于等于0.15mm，所述结合层外喷涂陶瓷形成所述面层双相不锈钢对化学点腐蚀及隙腐蚀具有很强的抵抗能力，同时具有高强度，良好的冲击韧性以及良好的整体和局部的抗应力腐蚀能力，陶瓷面层将不锈钢基体与缸体分隔开避免了两种金属接触位置产生的电位差腐蚀。
腐蚀陶瓷活塞杆

[发明专利]浅沟槽隔离方法-CN201310263816.9在审
发明人：谭宇琦 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离方法，包括以下步骤：步骤一、提供基底，基底的一侧表面形成有栅电极，相邻的栅电极之间形成浅沟槽；步骤二、在步骤一得到的基底上形成有栅电极的一侧沉积高密度等离子体氧化物形成高密度等离子体氧化物层；步骤三、采用湿法腐蚀对步骤二得到高密度等离子体氧化物层进行腐蚀，在高密度等离子体氧化物层上形成开口，开口的深宽比小于浅沟槽的深宽比；步骤四、在开口内进一步填充所述高密度等离子体氧化物以与步骤三的高密度等离子体氧化物形成对浅沟槽的完整填充上述浅沟槽隔离方法，能够形成对浅沟槽的完整填充，有效避免浅沟槽的洞口过早封死而影响高密度等离子体氧化物的填充，避免产生空隙。
沟槽隔离方法

[实用新型]一种管连接防腐结构及埋地沟槽管线-CN202321171034.8有效
发明人：于瑞婷;周桐;夏玉苓;孙敬伦;张芝辉 -专利权人：玫德集团有限公司;玫德集团临沂有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： F16L58/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种管连接防腐结构及埋地沟槽管线；涉及管线防腐结构；针对沟槽管连接位置的管卡仍不能受到合理的防腐保护的问题，通过密封层包裹连接位置的紧固件，在密封层外缠绕胶带形成包裹层，采用防腐层包覆整个连接位置处的管卡、紧固件，从而达到对沟槽管连接位置的全面保护，提高连接位置的耐腐蚀性，以达到提升沟槽管连接位置及整个沟槽管系统的使用寿命的效果。
一种连接防腐结构沟槽管线

[发明专利]在半导体器件中形成隔离沟槽的方法-CN98125145.5无效
发明人：吴容哲;朴泳雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-11-26 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种在半导体器件内形成沟槽隔离的方法，通过优化退火温度由此除去腐蚀半导体衬底的步骤期间引起的衬底缺陷并释放了应力，增加了沟槽隔离特性，由此提高了器件的成品率和可靠性。
半导体器件形成隔离沟槽方法

[发明专利]晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法-CN202211180068.3在审
发明人：蔡雨杉;孙萱;刘耀聪 -专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法，包括以下步骤：S1、在晶圆表面沉积二氧化硅薄层；S2、通过干法刻蚀工艺对晶圆沟槽侧壁以外的二氧化硅进行刻蚀后进行CMP工艺处理；S3、通过酸性清洗液对晶圆沟槽内的二氧化硅进行腐蚀后，使镶嵌在沟槽内的大颗粒沾污变为松动状态；S4、使用第一混合清洗液对晶圆进行清洗；S5、使用超声波对晶圆进行清洗；S6、通过兆声波配合第二混合清洗液去除晶圆上的微小颗粒。本发明通过在CMP前淀积二氧化硅薄层，CMP后利用腐蚀二氧化硅使沟槽内颗粒松动，结合超声波、兆声波加清洗液清洗的方式，解决了沟槽结构晶圆在经过CMP工艺加工后产生的颗粒沾污难以去除的问题。
晶圆 cmp 沟槽颗粒沾污去除方法

[实用新型]一种具有防积水性能的耐腐蚀胶板-CN201720573227.4有效
发明人：何伟;魏艮坊 -专利权人：湖北华宁防腐技术股份有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： B32B3/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及胶板技术领域，尤其是一种具有防积水性能的耐腐蚀胶板，包括胶层，胶层的下表面粘接硬质胶板，胶层远离硬质胶板的一侧粘接丁基胶板，丁基胶板的表面设有第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽与第二沟槽内间隔设置多个漏孔，且硬质胶板与胶层设置与漏孔相对应的通孔，第一沟槽和第二沟槽底部都设有与之匹配的滤网，且丁基胶板的一侧设有凸出部，在凸出部的下表面设有橡胶立柱，丁基胶板远离凸出部的一侧开有凹槽，凹槽的底部设有孔洞。本实用新型具有良好的耐腐蚀作用，并有效的防止积水，通过增大胶板表面的摩擦，防止人行走在上面发生打滑，有效的消除了安全隐患，凸出部与凹槽的紧密结合也增加了胶板的稳定性。
一种具有积水性能腐蚀