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[发明专利]一种带金属纳米颗粒阵列光能增透片的生产方法-CN201210501678.9有效
发明人：黄小平;周鸿;陈凯;刘友亮;宋凤珍;赵青 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：包括：激光束聚集器及纳米颗粒沉积基片的制备，配制纳米级贵金属悬浮液，沉积处理，冲冼及干燥。该发明采用透明光学玻璃作的正四棱锥台作为激光束的聚集器及沉积基片，采用四束完全相同的平行激光束分别垂直于棱锥台的四个侧面射入四棱锥台及基片内，利用激光全反射产生的二维激光消逝波驻波在常温、常压下对该贵金属纳米颗粒悬浮液进行照射处理因而具有沉积装置的结构及沉积处理工艺简单、可靠，工艺条件要求低，可对不同贵金属进行沉积处理，阵列周期及高度可以方便进行调节，能耗及制作成本低，可在较大面积上进行贵金属纳米级颗粒阵列的沉积等特点。
一种金属纳米颗粒阵列光能增透片生产方法

[发明专利]一种沉积物采集实验子母鱼礁及其使用方法-CN202210201592.8有效
发明人：吴祖立;熊敏思;全为民;李家胜;王斐 -专利权人：中国水产科学研究院东海水产研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： A01K61/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种沉积物采集实验子母鱼礁及其使用方法。一种沉积物采集实验子母鱼礁，包括一礁体，礁体包括母礁和子礁；母礁包括固定板、底台以及钟形重心底座，固定板的下方连接有底台，底台内安装有钟形重心底座；子礁包括空心圆柱状的PVC管，PVC管的底部封口，子礁可拆卸安装在固定板上本发明提供了一种沉积物实验的简便装置。通过子礁的数量、粗细和排列方向，进而改变采集条件，可研究海流潮汐的不同流速、流向对沉积物的沉积影响，不同粒径沉积物的沉积分布状态。
一种沉积物采集实验子母及其使用方法

[实用新型]多金属液态喷射沉积增材制造设备-CN201220727278.5有效
发明人：单忠德;刘丰;李柳 -专利权人：机械科学研究总院先进制造技术研究中心
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： B22F3/115 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多金属液态喷射沉积增材制造设备。根据本实用新型的多金属液态喷射沉积增材制造设备，包括沉积室，设置在沉积室上方的加热装置，与加热装置相连的喷头，位于沉积室内部的底座，与底座滑动连接的工作台，连接并控制所述喷头、工作台的专用集成控制系统。本实用新型的加热装置可以为一个，也可以是多个，加热装置内可以加热熔化一种金属材料，也可以加热熔化多种金属材料，工作台可沿X轴和Y轴方向往复移动，专用集成控制系统可控制多个喷头同时喷射，也可以是单个喷头喷射沉积，获得高致密度的多金属零件，喷射沉积效率高，实现多金属零件的精密、快速制造，成形零件不仅整体硬度和韧性高，而且可根据需要获得较好的局部使用性能。
金属液态喷射沉积制造设备

[实用新型]一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置-CN202223575085.5有效
发明人：袁洋;戈伟业;房鹏成 -专利权人：中润新能源（滁州）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置，包括用于多晶硅片镀膜的镀膜石墨舟和用于对镀膜石墨舟进行支撑的支撑座，镀膜石墨舟内部设有若干用于放置多晶硅片的放置槽，支撑座内部设有用于对镀膜石墨舟内部杂质进行沉积吸附的沉积台，支撑座内部设有通槽，沉积台滑移连接在通槽内部，沉积台内部设有用于对镀膜石墨舟内部表面杂质进行吸附的吸附组件，镀膜石墨舟内部设有用于对镀膜沉积气体进行过滤的过滤组件，旨在对多晶硅片在石墨舟内部进行进行镀膜时实时进行过滤和吸附，一方面对传输的沉积气体进行气流过滤，另一方面对石墨舟内部沉积的杂质进行吸附，对石墨舟进行底部分隔设置，便于对吸附杂质进行高效清理。
一种 pecvd 多晶体式镀膜杂质吸附装置

[发明专利]镀膜装置-CN201510496324.3有效
发明人：王博文;吴孝哲 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种镀膜装置，用以在基材上进行镀膜，镀膜装置包含镀膜腔室、载台以及至少一磁场产生件。载台设置于镀膜腔室内且具有顶面，顶面用以盛放基材。磁场产生件设置于载台内或载台下方。通过让磁场产生件产生磁场分布于载台附近，当镀膜腔室中的原子或分子沉积至基材上时，分布于载台附近的磁场会与即将沉积于基材上的原子或分子交互作用，于是即将沉积至基材上的原子或分子将能获得额外的动能，因而使薄膜成长的速度增加
镀膜装置

[发明专利]一种用于制作原子层沉积膜的可拆卸喷头及装置-CN201310636874.1有效
发明人：陈蓉;何文杰;褚波;高玉乐;单斌;文艳伟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：发明公开了一种用于制作原子层沉积膜的可拆卸喷头及装置。用于制作原子层沉积膜的喷头，包括进气管路、进气口和出气口；所述进气口内部为空腔；所述出气口内部形成空腔，分为上半部分和下半部分，其上半部分与下半部分之间设有漏斗形结构；进气管路与进气口固定连接，进气口与出气口可拆卸密闭连接用于制作原子层沉积膜的装置，包括所述喷头、腔体支撑架、基片承载台和运动平台，腔体支撑架中间形成长条状镂空，可顺序设置多个可拆卸喷头，基片承载台设置在墙体支撑架下方，运动平台带动基片承载台。本发明能适应不同的原子层沉积反应，通过气体隔离原子层沉积法，高效快速的制作原子层沉积膜。
一种用于制作原子沉积可拆卸喷头装置

[实用新型]一种新型沉积环-CN200820059234.3有效
发明人：陈勇志;周华;邢程 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型沉积环，它放置卡盘上，与保护环的内侧接触，卡盘具有中心凸台和底盘，底盘直径大于中心凸台直径，凸台与底盘连接处具有若干凹口。该沉积环包括上部外环，底部外环和内环；底部外环的外直径大于上部外环的外直径；上部外环与底部外环的交接处向内环方向开有环形凹槽；内环侧壁上具有若干凸块。本实用新型的沉积环通过将环形凹槽开在上部外环和底部外环的交接处，且朝向内环方向，有效增大了沉积环与保护环之间的间距；内环侧壁上增加了若干与卡盘上凹口相吻合的凸块，这样降低了沉积环与保护环和卡盘之间放电的几率同时增加凸块与卡盘上的凹口相吻合，避免沉积环与卡盘出现相对运动。
一种新型沉积

[发明专利]沉积装置及利用该装置的沉积方法-CN201711034759.1有效
发明人：孙尚佑;申相原 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种可以使沉积物质均匀分布的沉积装置及利用该装置的沉积方法。根据本发明的实施例的沉积装置具有：空腔板，位于腔室的内部；基板支撑台，在所述腔室的内部布置成与所述空腔板对向；以及多个阳极，可旋转地布置于所述空腔板与所述基板支撑台之间，其中，所述阳极具有杆状，且垂直于长度方向的截面具有长方形的形状
沉积装置利用方法

[发明专利]多片双面薄膜快速沉积装置-CN201310233800.3有效
发明人：陶伯万;熊杰;朱昌伟;徐亚新;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：多片双面薄膜快速沉积装置，涉及薄膜沉积技术。本发明的多片双面薄膜快速沉积装置包括基片台、传动机构、靶材盒，基片台和传动机构连接，其特征在于，所述基片台设置有至少两个通孔，通孔的两端设置有点式限位机构，基片台设置于第一加热片和第二加热片之间的加热腔中，第一加热片和第二加热片设置有作为沉积区的开口，开口位置与基片台上的通孔位置适配。
双面薄膜快速沉积装置

[发明专利]一种金属化学气相沉积装置-CN202210308634.8在审
发明人：何淑英;黄永钦;钟兴进;冯嘉荔;黄沛泉;何浩梁 -专利权人：广东鸿浩半导体设备有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属化学气相沉积装置，涉及化学气相沉积技术领域，包括化学气相沉积装置本体、控制台、底台、反应炉和支撑台，所述化学气相沉积装置本体的一侧固定安装有控制台，所述控制台的底部固定安装有底台，所述控制台的侧面固定连接有反应炉
一种金属化学沉积装置

[发明专利]一种物理气相沉积设备-CN201911210758.7在审
发明人：陈卫军;刘岩军;林信南;刘美华 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提出一种物理气相沉积设备，包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本发明提出的物理气相沉积设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。
一种物理沉积设备

[发明专利]高通量PECVD装置和方法-CN201810480213.7在审
发明人：项晓东;邬苏东;张欢;杨熹;盛江;叶继春 -专利权人：宁波英飞迈材料科技有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高通量PECVD装置，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体激发单元分别包括一反应气体导入通道本发明还公开了一种高通量PECVD薄膜沉积方法，将位于同一反应腔室的沉积区域，分立成多个独立的沉积微区，每个沉积微区的反应气体和温度独立可控。
沉积微区高通量等离子体激发反应气体反应腔室温度独立沉积台分立开发薄膜沉积沉积区域衬底材料导入通道工艺条件试验效率反应腔新工艺可调可控筛选室内应用进程研究

[实用新型]一种改造的半导体晶圆电沉积设备-CN202321126477.5有效
发明人：陈兵录;刘久航 -专利权人：合肥欧益睿芯科技有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改造的半导体晶圆电沉积设备，包括设备主体，以及设置于设备主体的杯口，杯口的直径为设备沉积需求的最大晶圆对应的直径，在杯口处放置有晶圆承放台，晶圆承放台为通孔结构；在晶圆承放台内承放由下到上包括基座、电极、盖板、晶圆和压盖组成的晶圆沉积结构；其中，基座、电极、盖板均为通孔结构，晶圆和压盖均为实心结构。本实用新型通过对设备结构简单的改造，可以实现同台设备不同晶圆尺寸的电沉积作业。
一种改造半导体晶圆电沉积设备

[发明专利]一种CVD金刚石生长在线检测装置-CN202211580519.2在审
发明人：胡常青;赵建海 -专利权人：上海铂世光半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明包括沉积器、底座，所述沉积器设置在底座上，沉积器的上方设置有输气管、转动盘，沉积器的外侧缠绕有电磁线圈，所述输气管向沉积器中输入高温等离子气体，所述转动盘与沉积器转动连接，所述转动盘上设置有检测塔架，所述检测塔架上滑动设置有升降板，所述升降板的下方设置有检测机构，所述底座内设置有装载台及置换机构，所述装载台上设置有生长基板，所述检测机构对生长基板进行检测，所述置换机构对生长基板进行替换，所述装载台内设置有清洁器，所述清洁器对沉积器及检测机构进行清洁。
一种 cvd 金刚石生长在线检测装置

[实用新型]一种离心式水渠泥沙沉积装置-CN201420107630.4有效
发明人：马菁;刘波;马荣朝;雷小龙;苟文;吕小荣;李奔全;刘松 -专利权人：四川农业大学
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： E02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离心式水渠泥沙沉积装置，属于水利设施领域。所述的离心式水渠泥沙沉积装置，主要作用部位为离心池进水口、离心池、出水口凸台和锥形沉积池。离心池进水口上游处大、下游处小，起导流和加速的作用，离心池由出水口凸台和左侧的圆弧堤岸围城，水流经离心池进水口进入离心池后产生旋流，从而将水流中的部分泥沙沉积在离心池下方的锥形沉积池中，最终达到沉积水渠中部分泥沙的作用在一个水渠中每隔一定距离修建一个该装置，可以有效沉积水流中夹杂的泥沙，对于提高水渠灌水效率、降低清理作业工作量有积极作用。
一种离心水渠泥沙沉积装置