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[实用新型]薄膜沉积设备-CN202022451467.1有效
发明人：林俊成 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜沉积设备，主要包括一腔体、一进气口、一载台、一冷却气体输入管线、一挡件及一升降装置。载台及挡件位于腔体的容置空间内，而冷却气体输入管线位于载台内，并将冷却气体输送至载台与基板之间。升降装置会驱动载台及挡件相互靠近，使得挡件接触并固定载台上的基板，而后经由冷却气体输入管线将冷却气体输送至容置空间。在进行沉积步骤之前，冷却气体输入管线停止输送冷却气体，升降装置驱动载台及挡件相互远离，而后进行沉积步骤，以避免挡件接触基板，而造成基板表面沉积的薄膜的厚度不均。
薄膜沉积设备

[发明专利]清洁方法和等离子体处理装置-CN202011307540.6在审
发明人：高山贵光;佐佐木淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置，用于抑制对载置台的损伤，并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物。清洁方法为等离子体处理装置中的载置台的清洁方法，包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中，使用升降机构来使载置台与基板分离。在进行去除的工序中，在进行分离的工序之后，通过从高频电源向载置台供给高频电力来生成等离子体，从而去除沉积于载置台的沉积物。另外，在进行分离的工序中，载置台与基板的分离距离设定为形成于载置台的外周部周边的合成阻抗比形成于载置台的中心部正上方的合成阻抗低。
清洁方法等离子体处理装置

[发明专利]原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法-CN202210303352.9在审
发明人：陈蓉;曹坤;严谨;单斌;李易诚;胡嘉成 -专利权人：华中科技大学;华中科技大学无锡研究院
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。
原子沉积设备薄膜制备方法

[发明专利]溅射法制备柔性太阳能电池CIGS吸收层和缓冲层的方法-CN201310740650.5有效
发明人：陈进中;莫经耀;吴伯增;林东东;甘振英 -专利权人：柳州百韧特先进材料有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉CIGS太阳能电池，具体说是溅射法制备柔性太阳能电池CIGS吸收层和缓冲层的方法,其包括制备吸收层靶材和缓冲层靶材、将上述两靶材和对应的溅射源置于加热的真空室内、在两靶材下侧设置工作台，含有钼电极层的基板可沿工作台移动、基板沿工作台正向移动时，溅射源由上向下轰击吸收层靶材，使钼电极层上沉积吸收层、吸收层沉积完成后，基板沿工作台反向移动，溅射源由上向下轰击缓冲层靶材，使吸收层上沉积缓冲层。本发明采用靶源沉积吸收层，不仅可进行大面积的生产，而且成膜质量高；并采用向由上向下的溅射法沉积吸收层与缓冲层，避免了因重力的影响使得沉积不够均匀的现象。
溅射法制柔性太阳能电池 cigs 吸收缓冲方法

[发明专利]以气相沉积来沉积的光刻胶及此光刻胶的制造与光刻系统-CN201480010168.9有效
发明人：蒂莫西·米凯尔松;蒂莫西·W·韦德曼;巴里·李·金;马耶德·A·福阿德;保罗·迪顿 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种光刻胶气相沉积系统包含：真空腔室，真空腔室具有加热元件以及用于固持基板的冷却卡盘，真空腔室具有加热的入口；以及气相沉积系统，气相沉积系统连接至加热的入口，以使前驱物挥发进入真空腔室中，以在由冷却卡盘冷却的基板之上凝结光刻胶沉积系统产生半导体晶片系统，半导体晶片系统包含：半导体晶片，以及在半导体晶片之上的气相沉积的光刻胶。需要半导体晶片系统的极紫外线光刻系统包含：极紫外线光源；镜，镜用于引导来自极紫外线光源的光；中间掩模台，中间掩模台用于使来自极紫外线光源的光成像；以及晶片台，晶片台用于放置具有气相沉积的光刻胶的半导体晶片
沉积光刻制造系统

[实用新型]一种等离子体化学气相沉积装置-CN202022845096.5有效
发明人：毛格;熊攀;王永平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种等离子体化学气相沉积装置，所述装置包括：沉积室；与所述沉积室顶部的等离子体喷头连接的等离子体发生器，用于产生等离子体，并通过所述等离子体喷头向所述沉积室底部的基台的表面喷射所述等离子体；与所述基台连接的分压模块，用于通过调节所述等离子体喷头与所述基台之间的电场强度，以调节所述等离子体的成膜速率。
一种等离子体化学沉积装置

[实用新型]一种等离子体化学气相沉积生产线机械传动装置-CN200920094718.6有效
发明人：杨继泽;刘万学;刘志才;崔庆春;孙学义;马力斌;强艳建;杜宏荀 -专利权人：吉林庆达新能源电力股份有限公司
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体化学气相沉积生产线机械传动装置，该传动装置包括机械手、上片台、运载小车、导轨、沉积舱室、下片台，所述的导轨构成一个矩形回路，其中上片台设置回路中A方向和D方向的交界处，多个沉积舱室设置在B方向的导轨上，运载小车被设置在导轨上，下片台设置在回路中C方向和D方向的交界处，所述的上片台和下片台上设置有机械手。本实用新型由于采用上述结构，使得等离子体化学气相沉积的传动更加稳定，具有结构简单、使用方便等优点。
一种等离子体化学沉积生产线机械传动装置

[实用新型]一种金刚石薄膜专用真空炉沉积台-CN201721586297.X有效
发明人：樊巍 -专利权人：河南佰特科技有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种金刚石薄膜专用真空炉沉积台，包括沉积台面、沉积座、导柱、升降旋转装置，所述的沉积台面设置在最上部，沉积座设置在沉积台面的下部，导柱设置在沉积座的下部，旋转升降装置设置在真空炉的下部与导柱的下端连接；所述的沉积台面为圆盘结构，沉积台面上表面为金刚石薄膜的沉积面，下表面上均匀设置有放射状的冷却槽，沉积台面下表面的中心为半圆形中心凹槽；通过本实用新型的实施，达到了良好的使用效果：该金刚石薄膜专用真空炉沉积台的结构合理
沉积金刚石薄膜沉积台台面专用真空导柱下表面升降旋转装置旋转升降装置半圆形中心本实用新型工作效率均匀设置冷却效率散热均匀散热效果圆盘结构次品率放射状冷却槽真空炉减小下端

[实用新型]一种多腔室沉积导电硼金刚石薄膜装置结构-CN202221942561.X有效
发明人：邹杨;孙蕾;邹松东 -专利权人：洛阳奥尔材料科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多腔室沉积导电硼金刚石薄膜装置结构，包括四个导电硼金刚石薄膜沉积室，四个所述沉积室从左至右分别为沉积室A、沉积室B、沉积室C、沉积室D，每个所述沉积室内均设置有金刚石薄膜沉积的基片台、硼烷，每个所述基片台上均设置有热丝源、加热电极和热丝保直装置，硼烷位于基片台旁边，所述沉积室的顶部安装有维持泵和真空泵，所述维持泵的数量为四个、真空泵的数量为一个。本方案通过共用抽气系统、流量计、控制系统等，可以独立或者同时生长导电硼金刚石薄膜，并根据需要分时或同时开启沉积室A‑D，从而使导电硼金刚石薄膜沉积效率更高、成本更低。
一种多腔室沉积导电金刚石薄膜装置结构

[发明专利]APF沉积腔清洗方法-CN202211155840.6在审
发明人：朱朕;唐鹏;金立培 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种APF沉积腔清洗方法。包括以下步骤：向沉积腔中喷淋含氟等离子体束，清洗沉积腔中的硅化物；向沉积腔中喷淋氧离子，清洗沉积腔中的APF；在进行向沉积腔中喷淋氧离子，清洗沉积腔中的APF的步骤时，设于沉积腔中的加热台和夹爪依次进行以下步骤：使得加热台位于第一位置处，使得夹爪处于第一角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗；使得加热台由第一位置下降，直至第二位置处，使得夹爪由第一角度处旋转，直至处于第二角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗；使得加热台由第二位置上升，直至第一位置处，使得夹爪由第二角度处旋转，直至处于第一角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗。
apf 沉积清洗方法

[发明专利]一种原子层沉积装置-CN202210732325.3有效
发明人：万军;兰丽丽 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积装置，涉及半导体技术领域。该原子层沉积装置包括电离筒、扩散壳和样品台。扩散壳包括依次连接且同轴设置的第一筒段、扩散段和第二筒段，扩散段呈锥台状，扩散段的小端与第一筒段连接，第一筒段与电离筒连接，扩散段的大端与第二筒段连接，第二筒段与样品台抵持，样品台用于承载晶圆，扩散段的锥角范围为与现有技术相比，本发明提供的原子层沉积装置由于采用了呈锥台状设置且锥角范围为40度至50度的扩散段，所以能够保证沉积过程中气场分布均匀，提高沉积在晶圆上的原子层厚度的一致性，镀膜效果好。
一种原子沉积装置

[实用新型]原子层沉积设备-CN202022506282.6有效
发明人：林俊成;郭大豪 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供原子层沉积设备。原子层沉积设备包括腔体、加热台、载盘、中空部件、底部抽气口与喷头组件，其中载盘具有凸环，且位于加热台的顶表面并用以承载基材。加热台可受升降装置的驱动以在腔体中垂直位移，使得载盘的凸环围绕中空部件的至少一部份，并使抽气孔被凸环包围，而喷头组件、中空部件与载盘之间可形成小空间反应区，以使前驱物在小空间反应区对基材进行沉积，如此，可使制程流体的流场被稳定地调控，进而使原子层沉积制程中的基材可受前驱物均匀地沉积。
原子沉积设备

[实用新型]一种薄膜封装系统-CN201320892034.7有效
发明人：刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜封装系统，包括工艺气体输入部分、沉积腔室、ICP等离子体电源和基片台，所述工艺气体输入部分包括分别与沉积腔室连接的PECVD工艺气体输入部分和ALD工艺气体输入部分，所述基片台设置在沉积腔室内该系统同时具有PECVD气路输入部分和ALD气路输入部分，使本实用新型兼具PECVD设备可快速沉积的优势以及ALD设备可沉积高质量薄膜的优势，实现了快速沉积较高质量的薄膜。
一种薄膜封装系统

[发明专利]用天然地震数据勘探石油及对已知油田扩大开采评价方法-CN201110346740.7有效
发明人：贺传松 -专利权人：贺传松
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G01V1/28 文献下载
摘要：本发明是用天然地震数据勘探石油的方法，所述方法实时采集石油勘探区域多个流动地震台站的原始数据；提取适当震中距和震级的远震数据并进行校正和滤波，选取有效数据；计算和选取接收函数；通过接收函数波形模拟，确定石油勘探区n层沉积层；利用模拟迭加搜索方法计算沉积层的厚度和波速比；将石油勘探区域n层沉积层的波速比构成背景值，与所有台站的波速比对比，如果一台站下方的第n层沉积层的波速比高于石油勘探区域波速比的背景值，则认为一台站下方含有石油；如果一台站下方的第n层沉积层的波速比小于等于石油勘探区域波速比的背景值，则认为一台站下方不含石油。
天然地震数据勘探石油已知油田扩大开采评价方法

[发明专利]用于在半导体衬底上无电镀沉积金属的装置-CN200580003111.7无效
发明人：德米特里·鲁博弥尔斯克;阿拉库玛·山姆戈萨卓姆;拉塞尔·埃利万戈尔;伊恩·A·帕查姆;罗摩克里希纳·切波里;蒂莫西·W·韦德曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2005-01-26 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：提供一种无电镀沉积系统。该系统包括处理主框架、至少一个定位在该主框架上的衬底清洁台和定位在该主框架上的无电镀沉积台。该无电镀沉积台包括环境受控的处理外壳、设置为清洁并活化衬底表面的第一处理台、设置为无电镀沉积一层到衬底的表面上的第二处理台、以及设置在第一和第二处理台之间传送衬底的衬底传送舱。
用于半导体衬底电镀沉积金属装置