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[外观设计]沉积样品台-CN202230488864.8有效
发明人：唐挺;刘艺昭;王曙光 -专利权人：成都欧拉微波元器件有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：沉积样品台。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于微波等离子体化学气相沉积装置的沉积样品台。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
沉积样品

[实用新型]沉积卫生管-CN201420079990.8有效
发明人：项克元;项赛策;项光明 -专利权人：温州钜源流体设备有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： F16L55/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种管道，尤其是一种沉积卫生管。包括管体，在管体内还设有沉积结构，在管体内设置两个截面为三角形的中空的沉积台，两个沉积台形成一个V型的沉积槽，沉积台靠沉积槽一侧的底部设置沉积缺口，沉积缺口连通沉积槽与沉积台的内部。上述结构在管体内设置一个由两个沉积台构成的沉积结构，那么液体在沉积台的限制下流速降低进入沉积槽，另一个沉积台进一步减速，那么固体颗粒或者悬浮物就会落入沉积槽内，运动大部分会通过沉积缺口进入沉积台内部，然后在沉积台内部进行最终的沉淀，杂质也会落入沉积台内。
沉积卫生

[发明专利]一种复合式磁控溅射沉积台-CN201811060180.7有效
发明人：丁红;乔宪武 -专利权人：杭州联芳科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于磁控溅射装置，具体涉及一种复合式磁控溅射沉积台。一种复合式磁控溅射沉积台，母沉积台和子沉积台，其特征在于：母沉积台固定在真空室内部下方，且位置在磁控溅射装置的正下方，子沉积台通过电机装置连接到母沉积台上方，并且子沉积台的台面能够水平转动，电声换能装置固定在母沉积台上，与子沉积台的台面水平。
一种复合磁控溅射沉积

[发明专利]用于将金属无电镀沉积到半导体衬底上的装置-CN200610098561.5无效
发明人：德米特里·鲁博弥尔斯克;阿拉库玛·山姆戈萨卓姆;伊恩·A·帕查姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种无电镀沉积系统和无电镀沉积台。该系统包括处理主机架、定位在主机架上的至少一个衬底清洁台、和定位在主机架上的无电镀沉积台。无电镀沉积台包括环境受控处理围罩、构造为清洁和活化衬底表面的第一处理台、构造为将层无电镀沉积到衬底表面上的第二处理台、和定位以在第一和第二处理台之间传输衬底的衬底穿梭器。无电镀沉积台还包括各个流体递送和衬底温度控制设备以实现无污染且均匀的无电镀沉积处理。
用于金属电镀沉积半导体衬底装置

[发明专利]用于杜兰桥量子约瑟夫森结器件的生产价值制造的集群工具-CN202080076619.4在审
发明人： S·比德尔;S·霍姆斯;李宁;D·萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：沉积系统包括沉积源和设置在沉积源的沉积路径内的扫描台。扫描台包括支撑平台和机械致动器，支撑平台配置成在其上支撑晶片，机械致动器耦接到支撑平台。机械致动器被配置成相对于沉积源平移支撑平台。沉积系统包括接近掩模，接近掩模设置在沉积源与扫描台之间的沉积源的沉积路径内，接近掩模限定缝隙。沉积系统包括与扫描台通信的控制器，该控制器被配置成控制机械致动器以相对于缝隙平移晶片，使得沉积角度保持基本上恒定。在操作中，接近掩模防止具有不与缝隙对准的轨迹的沉积源材料接触晶片。
用于杜兰桥量子约瑟夫器件生产价值制造集群工具

[实用新型]一种磁控溅射台磁水平检测装置-CN201520327826.9有效
发明人：乔宪武;吴昊 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种次测量装置，特别适用于金属薄膜沉积过程中，一种磁控溅射台磁水平检测装置，包括亥姆霍兹线圈、沉积台和升降台，其特征在于：所述装置包括磁感应强度探针安装在沉积台水平表面上，沉积台在升降台的作用下本实用新型有益效果：本实用新型提供一种测量装置，解决匀强磁场和沉积台平面共面的问题。
一种磁控溅射水平检测装置

[发明专利]一种用于化学气相沉积的高温加热沉积台-CN201310547569.5有效
发明人：陈良贤;彭建;施戈 -专利权人：北京泰科诺科技有限公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学气相沉积的高温加热沉积台，属于材料制备加工领域。本发明改进了加热式沉积台的设计，在沉积台台面的内表面镀覆了一层100nm的氧化铬薄膜，利用氧化铬0.8的黑体系数提高了沉积台台面接收热辐射的效率。同时，对于密封在沉积台内部的加热体，其绝缘体支撑件被设计成陶瓷柱阵列，在不影响支撑功能的同时，提高了加热体的散热效率。这些改进使得这种新型的高温加热沉积台的加热效率与稳定性得以大幅提高，并可以在700℃～1000℃温度段内持续稳定工作，填补了加热式沉积台在高温段的技术缺口。
一种用于化学沉积高温加热

[实用新型]一种用于化学气相沉积的高温加热沉积台-CN201320699640.7有效
发明人：陈良贤;彭建;施戈 -专利权人：北京泰科诺科技有限公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于化学气相沉积的高温加热沉积台，属于材料制备加工领域。本实用新型改进了加热式沉积台的设计，在沉积台台面的内表面镀覆了一层100nm的氧化铬薄膜，利用氧化铬0.8的黑体系数提高了沉积台台面接收热辐射的效率。同时，对于密封在沉积台内部的加热体，其绝缘体支撑件被设计成陶瓷柱阵列，在不影响支撑功能的同时，提高了加热体的散热效率。这些改进使得这种新型的高温加热沉积台的加热效率与稳定性得以大幅提高，并可以在700℃～1000℃温度段内持续稳定工作，填补了加热式沉积台在高温段的技术缺口。
一种用于化学沉积高温加热

[实用新型]热丝化学气相沉积用基片台及热丝化学气相沉积装置-CN201822113118.1有效
发明人：唐永炳;王星永;王陶;黄磊;李星星 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种热丝化学气相沉积用基片台及热丝化学气相沉积装置，涉及涂层沉积设备技术领域。该基片台上设置有用于承载基体的承载面，承载面为斜面且承载面距热丝之间的距离呈梯度变化；通过上述基片台特定结构的设置，使得置于基片台承载面上的基体在沉积过程中，基体表面能够得到形核密度呈梯度变化的薄膜或者涂层；且该基片台结构简单，使用便利，可满足不同梯度涂层的沉积需求。本实用新型还提供一种热丝化学气相沉积装置，包括上述热丝化学气相沉积用基片台。鉴于上述基片台所具有的优势，使得包含上述基片台的热丝化学气相沉积装置也具有同样的优势，为基体上薄膜或者涂层的梯度沉积提供了工业基础。
热丝化学气相沉积基片台承载面沉积本实用新型梯度变化设备技术领域承载基体工业基础基体表面梯度涂层涂层沉积上薄膜热丝形核薄膜承载便利

[实用新型]一种活动平台及化学气相沉积装置-CN202120740590.7有效
发明人：时玉萌 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本申请提供一种活动平台及化学气相沉积装置，涉及半导体领域，为解决现有的化学气相沉积装置沉积出的薄膜往往质量不高的问题而发明，该活动平台应用于化学气相沉积装置，包括调节装置和沉积台，所述调节装置固定在所述化学气相沉积装置的反应室的顶部，所述沉积台连接在所述调节装置上，所述调节装置用于调节所述沉积台在所述反应室内的位置。该活动平台利用调节装置可以灵活的调节沉积台在化学气相沉积装置的反应室内的位置，以适应不同的薄膜材料在沉积台上的不同的生长特性，进而可以沉积出均一性更好，质量更高的薄膜。
一种活动平台化学沉积装置

[发明专利]沉积装置及制备圆柱形和圆筒形各向同性热解炭的方法-CN201410407180.5有效
发明人：张东生;夏汇浩;周兴泰;杨新梅;宋金亮 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积装置，沉积装置包括上导流锥、下导流锥、沉积基体和沉积室，上导流锥和下导流锥在沉积室的内部通过其各自的底面相对而置，底面上分别具有从其延伸出的圆柱形的上凸台和下凸台；上凸台和下凸台分别伸入沉积基体的内部配合固定，沉积基体与上导流锥和下导流锥的底面接触的端面为非镜面，沉积基体的内壁与上凸台和下凸台的外壁之间分别保留0.5-1.5mm的间隙。本发明还提供一种利用该沉积装置制备圆柱形和圆筒形各向同性热解炭的方法。本发明的沉积装置借助于沉积基体的外壁形成圆筒形各向同性热解炭的同时，借助于上、下凸台形成圆柱形各向同性热解炭，一次装炉得到两种不同尺寸和形状的各向同性热解炭材料。
沉积装置制备圆柱形圆筒各向同性热解炭方法

[发明专利]用于在塑料衬底上沉积阻挡层的方法以及其涂覆装置和层系统-CN200980112436.7有效
发明人：格尔德·霍夫曼;亚历山德拉·L·奎斯诺 -专利权人：应用材料公司;比奥菲姆有限公司
申请日： 2009-03-10 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及用于在塑料衬底上沉积阻挡层的涂覆装置，所述涂覆装置包括用于沉积包括金属的第一层的第一涂覆台，和用于沉积包括树脂的第二层的第二涂覆台，其中，用于处理所沉积的第一层的处理台设置在所述第一涂覆台和所述第二涂覆台之间，所述处理台包括溅射装置，所述溅射装置用于使沉积沉积材料的一个或多个原子层或者岛。
用于塑料衬底沉积阻挡方法及其装置系统

[实用新型]一种金刚石沉积装置-CN202020123107.6有效
发明人：王忠强;丁雄傑;王琦;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种金刚石沉积装置，包括沉积腔、沉积台和等离子体单元，沉积台装设于沉积腔内，还包括位置控制装置，等离子体单元设有等离子体喷嘴，等离子体喷嘴设于沉积腔内，位置控制装置与等离子体喷嘴连接，与现有技术相比，本实用新型通过设置位置控制装置，可以控制等离子体喷嘴与沉积台的相对位置，根据沉积需要在沉积台的不同位置进行沉积，从而实现沉积出复杂形状的大面积金刚石薄膜。
一种金刚石沉积装置

[发明专利]金刚石单晶生长装置及方法-CN201711243374.6在审
发明人：刘晓晨;姜龙;郭辉;何奇宇 -专利权人：河北普莱斯曼金刚石科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：所述装置包括沉积台和可升降中心柱；所述沉积台上设有沉积台孔，所述可升降中心柱上设有与所述沉积台孔配合的孔柱，所述孔柱设置在所述沉积台孔中。
金刚石生长装置方法

[发明专利]薄膜沉积装置-CN200510021233.0无效
发明人：张树人;杨成韬;刘敬松 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2005-07-11 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：薄膜沉积装置，涉及一种薄膜沉积设备，特别是一种沉积腔内温度可调、基片承放台种类可换的大面积薄膜化学气相沉积设备，属于薄膜材料领域。本发明提供一种满足根据不同薄膜的生长要求、构造简单的薄膜沉积装置。本发明包括：至少两个加热装置，用于对沉积腔进行加热；沉积腔，具有气体入口和出口；基片承放台，位于沉积腔内；运动机构，使基片承放台与加热装置相对运动。本发明的有益效果是，可根据实际需要调节沉积腔内的温度梯度分布；可根据沉积薄膜的要求调节基片承放台的位置；可以高效、灵活的制备大面积薄膜和多元氧化物薄膜；设备构造简单，易于制造；操作简便。
薄膜沉积装置

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