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[实用新型]一种多腔室沉积金刚石薄膜装置结构-CN201921871793.9有效
发明人：邹杨;孙蕾;邹松东 -专利权人：洛阳奥尔材料科技有限公司
申请日： 2019-11-02 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域，且公开了一种多腔室沉积金刚石薄膜装置结构，包括金刚石薄膜沉积室A，所述金刚石薄膜沉积室A的右侧设置有沉积室B，所述沉积室B的右侧设置有沉积室C，所述沉积室C的右侧设置有沉积室D，所述金刚石薄膜沉积室A、沉积室B、沉积室C和沉积室D内均设置有基片台，每个所述基片台上均设置有加热源，每个所述基片台的上方和下方均设置有加热电极。本方案的真空镀膜的多腔室金刚石薄膜沉积装置结构，通过共用抽气系统、流量计、控制系统等，可以独立或者同时生长金刚石薄膜，并根据需要分时或同时开启A‑D沉积室，从而使金刚石薄膜沉积效率更高、成本更低。
一种多腔室沉积金刚石薄膜装置结构

[发明专利]一种变温薄膜沉积系统-CN201510932643.4有效
发明人：陈蓉;王晓雷;林骥龙;何文杰;马玉春;但威;单斌 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种变温薄膜沉积系统，包括多个沉积装置和基片转移装置，所述多个沉积装置均匀布设在基片转移装置周围；所述多个沉积装置具有基片温度控制机构，用于分别维持基片承载台温度恒温；所述基片转移装置，包括三维移动装置，所述三维移动装置的末端设有保护气体喷头，所述保护气体喷头两侧设有抓取装置，所述抓取装置用于抓取基片承载台。本发明提供的变温薄膜沉积系统能高效高质量的沉积多元物质沉积膜。
薄膜沉积系统沉积装置转移装置变温喷头三维移动装置保护气体抓取装置承载台抓取基片温度控制温度恒温物质沉积沉积

[实用新型]一种脉冲激光沉积用角度可调的样品台-CN202320707967.8有效
发明人：黄继杰;王国梁 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脉冲激光沉积用角度可调的样品台，涉及薄膜制备的技术领域，包括样品底台、斜样品台和弹簧；样品底台用于放置安装在脉冲激光沉积的台架上；斜样品台的一侧缘与样品底台转动连接；弹簧设于样品底台与斜样品台之间，弹簧的一端与样品底台连接固定，弹簧的另一端与斜样品台之间为安装位置可选的连接结构，弹簧与斜样品台的安装位置选择用于调节斜样品台与样品底台的夹角；在进行应用时，需要沉积的样品会放置于斜样品台背离样品底台的表面，所以夹角的调控能够实现靶材与待沉积样品的间距调控，从而在无需替换部件的情况下实现了薄膜厚度调控，切实解决了现有技术无法在不替换部件情况下实现薄膜厚度调节的问题。
一种脉冲激光沉积角度可调样品

[发明专利]一种新型微波谐振腔及微波等离子体化学气相沉积装置-CN202211508133.0在审
发明人：蔡玉珺;赵炯;赵延军;常豪锋;梅远洋;刘洋 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01P7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型微波谐振腔及微波等离子体化学气相沉积装置，通过在沉积室内设置凸设的顶盖，且凸设的顶盖朝向沉积台布设为V型凸台或W型凸台，可改善谐振腔内的微波电磁场，消除顶盖处的电场强度，进而使顶盖处不产生等离子体，可消除次生等离子体对金刚石膜生长的不利影响，有利于金刚石膜的沉积；而带有锥形沉积台的谐振腔可以增大托盘上的电场强度和区域，改善谐振腔内的微波电磁场，进而增大等离子体，提高微波能量利用率、增大金刚石膜的沉积面积和沉积速度
一种新型微波谐振腔等离子体化学沉积装置

[实用新型]一体式钙钛矿组件生产线-CN202221715500.X有效
发明人：吴俊杰;邵君;王雪戈;于振瑞 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一体式钙钛矿组件生产线，包括进片区、工作区、出片区和传动装置，进片区包括依次布置的进片台、进片腔和第一转移腔，进片台和进片腔之间以及进片腔与第一转移腔之间设有门阀，进片腔设有抽真空装置；工作区包括依次布置的空穴传输层沉积腔、钙钛矿吸收层沉积腔和电子传输层沉积腔，第一转移腔和空穴传输层沉积腔之间、空穴传输层沉积腔和钙钛矿吸收层沉积腔之间以及钙钛矿吸收层沉积腔与电子传输层沉积腔之间设有门阀；出片区包括依次布置的第二转移腔、出片腔和出片台，电子传输层沉积腔与第二转移腔之间、第二转移腔与出片腔之间以及出片腔与出片台之间设有门阀；传动装置依次穿过进片区、工作区和出片区。
体式钙钛矿组件生产线

[发明专利]一种可修复式铣刀及一体化修复装置-CN201010291301.6有效
发明人：左敦稳;汪洪峰;邵定林;黎向锋;王吉胜;董学伟 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： B23C5/20 文献下载
摘要：一种可修复式铣刀及一体化修复装置，其特征是所述的可修复刀片（3）上沉积有一层金刚石膜（4）；所述的一体化修复装置主要由金刚石沉积膜工作室（5）和刀片刃磨工作室（6）组成，金刚石沉积膜工作室（5）中设有放置可修复刀片（3）进行金刚石沉积的工作台（5-3），工作台（5-3）安装在工作台导轨（6-8）上，工作台导轨（6-8）从金刚石沉积膜工作室（5）延伸到刀片刃磨工作室（6）中，在金刚石沉积膜工作室（5）和刀片刃磨工作室（6）之间设有供工作台（5-3）通过的门（7），在刀片刃磨工作室（6）中安装有刃磨装置（8）。
一种修复铣刀一体化装置

[实用新型]等离子体均布装置及沉积设备-CN201821920325.1有效
发明人：陈君 -专利权人：宁波涂冠镀膜科技有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体均布装置及沉积设备，该等离子体均布装置应用于沉积设备，沉积设备包括真空腔体和设置在真空腔体内的样品台，等离子体均布装置设置在真空腔体内，等离子体均布装置包括至少两个电磁线圈：第一电磁线圈和第二电磁线圈，第一电磁线圈包围固定在样品台的外围，第二电磁线圈固定在真空腔体的内壁上，且第二电磁线圈可相对样品台进行旋转。该沉积设备包括上述的等离子体均布装置、样品台、真空腔体以及等离子源。本实用新型的等离子体均布装置及沉积设备能使样品台的周围空间区域的等离子体分布趋于均匀，进而使所沉积的薄膜更为均匀，薄膜质量获得提升，并且其结构简单、易于制造。
等离子体均布装置沉积设备电磁线圈样品台真空腔体本实用新型真空腔薄膜体内等离子体分布等离子源周围空间沉积内壁外围包围应用制造

[发明专利]一种连续式热喷涂沉积炉及其工作方法-CN202011501109.5在审
发明人：申富强;王景珍 -专利权人：上海骐杰碳素材料有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B05B16/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续式热喷涂沉积炉及其工作方法，涉及碳纤维复合材料制造设备领域。本发明的沉积炉内依次设置有准备区、热喷涂沉积区和冷却区；热喷涂沉积区包括升降台、至少一个旋转承载台、与旋转承载台相对应的端部安装有热喷涂喷枪的多轴机械装置；准备区、热喷涂沉积区和冷却区外部分别安装有第一密封门本发明能够做到同一个沉积炉同时有三个制备件分别于三个区内进行预热、沉积和冷却，并依次连续性的转换，大大加速了单个沉积炉的复合材料的制备效率，节约了时间；沉积炉结构能够保持内部混合气体和热喷头对预制体工件表面作用的均匀性
一种连续喷涂沉积及其工作方法

[发明专利]一种连续式化学气相沉积炉及其工作方法-CN202011508124.2在审
发明人：申富强;王景珍 -专利权人：上海骐杰碳素材料有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续式化学气相沉积炉及其工作方法，涉及复合材料制造设备领域。本发明沉积炉内依次设置有准备区、沉积区和冷却区；沉积区包括升降台、至少一个旋转承载台、与旋转承载台相对应的加热器；准备区、沉积区和冷却区外部分别安装有第一密封门、第二密封门、第三密封门。本发明能够做到同一个沉积炉同时有三个制备件分别于三个区内进行预热、沉积和冷却，并依次连续性的转换，大大加速了单个沉积炉的复合材料的制备效率，节约了时间；沉积区结构设计使装载碳纤维预制体的承载板能够于加热制备过程中进行旋转
一种连续化学沉积及其工作方法

[发明专利]一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统-CN201710918875.3有效
发明人：马小航;戴建明;白金;魏义永;朱雪斌;盛志高;孙玉平 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： B29C41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统，包括：筒状超导磁体、超导磁体电源、静电喷雾沉积腔、反应液输送装置和高压直流电源；超导磁体电源与筒状超导磁体电连接；静电喷雾沉积腔设于筒状超导磁体的圆筒内强磁场中；静电喷雾沉积腔为密封结构，并且其腔壁上设有隔热部件；静电喷雾沉积腔的内部设有沉积台和喷嘴；反应液输送装置的注液泵通过供液软管与喷嘴连通，用于将反应液注入喷嘴；高压直流电源通过供电导线与沉积台和喷嘴电连接，用于控制沉积台与喷嘴之间的电场。本发明不仅能够提高薄膜的沉积速率和膜面均匀性，而且可以实现在强磁场下进行薄膜原位生长和后退火处理，从而能够实现对所制备薄膜的微结构和性能进行有效调控。
一种磁场静电喷雾沉积薄膜制备系统

[实用新型]一种采集航空施药雾滴沉积监测的装置-CN202022084228.7有效
发明人：任发学;孙哲;刘方龙 -专利权人：山东中航生物科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： F16M11/28 文献下载
摘要：一种采集航空施药雾滴沉积监测的装置，包括沉积监测器、采集台、支撑组件、夹持组件和转动组件；夹持组件设置两组，两组夹持组件设置在采集台上，且位于沉积监测器的两侧；支撑组件设置在采集台的下端；转动组件设置在采集台和支撑组件之间本实用新型设置支撑组件，一方面对装置固定，另一方面便于对沉积监测器的高度进行调节；夹持组件对沉积监测器进行固定、夹持，保证其在工作过程中位置的稳定，以达到更好的采集效果；设置转动组件对沉积监测器的采集角度进行调节，使得更多的雾滴沉积在采集端；设置第一导热管和第二导热管导热，鼓风机朝上送风，加快沉积监测器散热，以保证沉积监测器工作的稳定性和采集数据的准确性。
一种采集航空施药雾滴沉积监测装置

[实用新型]一种连续式化学气相沉积炉-CN202023061490.6有效
发明人：申富强;王景珍 -专利权人：上海骐杰碳素材料有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种连续式化学气相沉积炉，涉及复合材料制造设备领域。本实用新型沉积炉内依次设置有准备区、沉积区和冷却区；沉积区包括升降台、至少一个旋转承载台、与旋转承载台相对应的加热器；准备区、沉积区和冷却区外部分别安装有第一密封门、第二密封门、第三密封门。本实用新型能够做到同一个沉积炉同时有三个制备件分别于三个区内进行预热、沉积和冷却，并依次连续性的转换，大大加速了单个沉积炉的复合材料的制备效率，节约了时间；沉积区结构设计使装载碳纤维预制体的承载板能够于加热制备过程中进行旋转
一种连续化学沉积

[实用新型]一种连续式热喷涂沉积炉-CN202023071155.4有效
发明人：申富强;王景珍 -专利权人：上海骐杰碳素材料有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B05B16/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种连续式热喷涂沉积炉，涉及碳纤维复合材料制造设备领域。本实用新型的沉积炉内依次设置有准备区、热喷涂沉积区和冷却区；热喷涂沉积区包括升降台、至少一个旋转承载台、与旋转承载台相对应的端部安装有热喷涂喷枪的多轴机械装置；准备区、热喷涂沉积区和冷却区外部分别安装有第一密封门本实用新型能够做到同一个沉积炉同时有三个制备件分别于三个区内进行预热、沉积和冷却，并依次连续性的转换，大大加速了单个沉积炉的复合材料的制备效率，节约了时间；沉积炉结构能够保持内部混合气体和热喷头对预制体工件表面作用的均匀性
一种连续喷涂沉积

[实用新型]一种可移动的气相沉积设备-CN202320235774.7有效
发明人：史卫民;高文贵;孙丹鸣;周江成;景堃 -专利权人：成都斯普智和信息技术有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可移动的气相沉积设备，包括气相沉积主机、压力泵、真空泵、制冷机、控制台、供电主机，真空泵连通冷阱的排气口，冷阱的进气口与气相沉积主机上沉积仓的排气口连通；制冷机连接冷阱，对冷阱降温；压力泵与气相沉积主机的沉积仓仓盖升降气缸相连，控制台的电源分配单元连接有气相沉积主机、压力泵、真空泵、制冷机，输出电压给气相沉积主机、压力泵、真空泵、制冷机，控制台的电源分配单元连接有供电主机和380V外接电源接口，供电主机为发电机；气相沉积主机、压力泵、真空泵、冷阱、制冷机、供电主机集成设置在集成平台上，集成平台为无动力车辆的底架或机动车辆的车厢底架。
一种移动沉积设备

[发明专利]沉积设备、金属硅化物层以及半导体结构的制备方法-CN202210971474.5在审
发明人：游咏晞;吴启明 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积设备、金属硅化物层以及半导体结构的制备方法，涉及集成电路技术领域。沉积设备包括：腔体，具有容置空间；载台，位于所述容置空间内，所述载台之上承载有衬底；冷却装置，位于所述载台下方，用于对所述载台进行冷却。采用本发明的沉积设备能够降低半导体结构的缺陷率。
沉积设备金属硅化物层以及半导体结构制备方法