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[发明专利]氮化物半导体发光装置的制造方法-CN201010143281.8无效
发明人：神川刚;太田征孝 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该方法包括步骤：在具有非极性面或半极性面的氮化物半导体衬底中形成凹进区域；以及在氮化物半导体衬底上设置氮化物半导体薄膜，其中该氮化物半导体薄膜包扩n型氮化物半导体薄膜、有源层和p型氮化物半导体薄膜。p型氮化物半导体薄膜在高于或等于700℃且低于900℃的生长温度下生长。
氮化物半导体发光装置制造方法

[发明专利]一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法-CN200810226687.5有效
发明人：陈世杰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化物薄膜转变为金属性金属氮化物薄膜利用本发明，可以有效地调节某些金属氮化物薄膜的原子组分，进而改性该薄膜的物理及电学特性，这使得利用化学合成方法制备金属氮化物栅电极的应用成为可能。
一种制备金属性金属氮化物薄膜方法

[发明专利]氮化物系薄膜复合结构体及其制造方法-CN201880052361.7有效
发明人：平崎贵英;末次大辅;大熊崇文 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：氮化物系薄膜复合结构体具有块状单晶、多个氮化物微晶和非晶质的氮化物薄膜。多个氮化物微晶设置在块状单晶上，与块状单晶的晶体结构具有特定的取向关系。氮化物薄膜设置在块状单晶上，包围氮化物微晶且覆盖块状单晶的表面。
氮化物薄膜复合结构及其制造方法

[发明专利]一种氮化物膜的制备方法-CN200910180530.8有效
发明人：杨丹丹;徐永宽;程红娟;殷海丰;李强;于祥潞;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物膜的制备方法，包括：在异质衬底上沉积氮化物薄膜；在氮化物薄膜上进行镀金属，得到金属薄膜；对金属薄膜进行氮化，得到具有孔隙的金属薄膜；通入氯化氢气体，对氮化物薄膜的表面进行腐蚀，得到网状的凹槽及孔隙后，停止氯化氢气体的通入；对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀，腐蚀掉具有孔隙的金属薄膜后，对带有网状凹槽氮化物及空隙氮化物的异质衬底进行清洗，清洗结束后拿回反应炉中进行氮化物膜的生长，得到氮化物膜。本发明能够缓解在生长氮化物厚膜过程中所出现的由于较大的应力和较高的位错密度所带来的裂纹翘曲等问题，具有简单、易实施、成本低的优点。
一种氮化物制备方法

[发明专利]一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器及其制备方法-CN202110104485.9有效
发明人：刘景全;李秀妍;尤敏敏;林祖德;李艳杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器及其制备方法，包括在制备过渡金属氮化物薄膜的过程中或过渡金属氮化物薄膜制备完成后，向过渡金属氮化物薄膜引入阳离子空位形成掺杂过渡金属氮化物薄膜；并通过调控阳离子空位浓度使掺杂过渡金属氮化物薄膜晶体结构发生相变，得到理想的掺杂过渡金属氮化物薄膜；采用掺杂过渡金属氮化物薄膜通过MEMS加工工艺制备目标温度传感器。本发明提出一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器的制备方法，提出通过调控空位浓度从而调控温度敏感膜结构、电阻，最终使得温度传感器温区及灵敏度可调，这对开发适用于不同目标温区的电阻式掺杂过渡金属氮化物薄膜温度传感器具有指导意义
一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器及其制备方法

[发明专利]用于氮化物外延衬底的原位处理方法及衬底-CN202110677351.6在审
发明人：郭艳敏;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;房玉龙;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明适用于氮化物材料制备方法技术领域，提供了一种用于氮化物外延衬底的原位处理方法及衬底。其中处理方法包括：提供一衬底，衬底设于MOCVD反应室内；生长氮化物薄膜：在第一预设温度下，向反应室内通入氢气、MO源和氨气，在衬底的第一表面上生长岛状的氮化物薄膜，当生长的氮化物薄膜达到第一预设厚度时，关闭MO源和氨气；刻蚀氮化物薄膜：在第一预设时间内，将温度升高到第二预设温度，持续通入的氢气对氮化物薄膜的表面进行刻蚀，岛与岛结界处的氮化物分解；循环进行生长氮化物薄膜和刻蚀氮化物薄膜的步骤，形成具有开孔的图形化掩膜层，图形化掩膜层用于生长氮化物外延。本申请提供的氮化物外延材料的生长方法简单，可有效减少位错密度。
用于氮化物外延衬底原位处理方法

[发明专利]一种高熵合金/氮化物纳米复合薄膜、制备方法及应用-CN202210077209.2有效
发明人：姜欣;李延涛;冷永祥 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高熵合金/氮化物纳米复合薄膜、制备方法及应用，复合薄膜为高熵合金基体相包裹金属氮化物陶瓷纳米相形成的双相薄膜；高熵合金基体相包括五种金属元素，包括至少两种弱氮化物金属和至少一种强氮化物金属；本发明包括Cu、Ni、Mn等弱氮化物元素和Ti、Nb、Cr、Zr、W等强氮化物元素；强氮化物元素可与氮气反应形成陶瓷相；在薄膜沉积过程中强氮化物元素与氮发生反应析出，形成陶瓷纳米相增强的复合高熵合金薄膜；得到的复合薄膜兼具氮化物陶瓷优异强度与高熵合金良好韧性；具有高硬度、高韧性以及优异的耐磨损性能。
一种合金氮化物纳米复合薄膜制备方法应用

[发明专利]第Ⅲ族氮化物晶体及其制备方法-CN200480000799.9无效
发明人：中畑成二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-05-24 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：公开了一种具有低位错密度的高质量第III族氮化物晶体及制备这种第III族氮化物晶体的制备方法。将第III族氮化物晶体薄膜(2)生长到衬底(1)上，且将金属薄膜(3)沉积其上。通过进行热处理，将金属薄膜(3)改变为金属氮化物薄膜(4)，并且在其中产生细孔(4h)，和在第III族氮化物晶体薄膜(2)中形成孔隙部分(2b)。通过进一步生长第III族氮化物晶体，将用于填充的第III族氮化物晶体(5)填充到所述的孔隙部分(2b)且将第III族氮化物晶体(6)生长到金属氮化物薄膜(4)上。
氮化物晶体及其制备方法

[发明专利]氮化物材料的制备方法及氮化物材料-CN202010630174.1在审
发明人：梁智文;王琦;袁冶;王新强;汪青;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料，氮化物材料的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底的表面沉积氮化物，形成氮化物薄膜；采用离子注入方法，在氮化物薄膜中形成离子注入层，离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜，第一氮化物膜附着于衬底上，第二氮化物膜远离衬底；在第二氮化物膜的表面沉积功能材料，形成功能材料层；自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。
氮化物材料制备方法

[发明专利]氮化物薄膜结构及其形成方法-CN200980135167.6有效
发明人：尹义埈;车国宪;金钟学;吴世源;禹熙济 -专利权人：财团法人首尔大学校产学协力团
申请日： 2009-09-07 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物薄膜结构及其形成方法。如果是在并非氮化物的衬底上形成氮化物薄膜，那么会因衬底与氮化物薄膜之间的晶格常数差异而产生许多缺陷。而且，存在因衬底与氮化物薄膜之间的热膨胀系数差异引起衬底翘曲的问题。为了解决这些问题，本发明提出一种薄膜结构，其中在衬底上涂覆中空微粒(即，中空结构)之后，在所述衬底上生长氮化物薄膜，本发明还提出所述薄膜结构的形成方法。根据本发明，由于可通过中空结构获得外延横向过生长(ELO)效应，因此可形成高质量氮化物薄膜。而且，当衬底的热膨胀系数大于氮化物薄膜的热膨胀系数时，因为氮化物薄膜中的中空结构压缩，氮化物薄膜的总应力减小，因而还有防止衬底翘曲的效应。
氮化物薄膜结构及其形成方法

[发明专利]一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法-CN201210162915.3在审
发明人：张孟;张凌越;王慧 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法，在晶圆上完成氧化物氮化物氧化物薄膜的生长工艺后即进行本检测方法；该方法包含：1、从晶圆加工腔中取出分别位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆；2、分别对位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆上生长的氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析；3、通过氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度的分析结果，判断氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性。本发明在晶圆上生长氧化物氮化物氧化物薄膜后，即时对控制晶圆上氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析，即时检测氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性，使氧化物氮化物氧化物薄膜可靠性的检测工艺更快捷和方便。
一种即时氧化物氮化物薄膜可靠性检测方法

[发明专利]悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法-CN201310107133.4有效
发明人：王永进;于庆龙;高绪敏;施政;曲颖;贺树敏;李欣;王镇海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
悬空氮化物薄膜 led 器件及其制备方法

[发明专利]悬空氮化物薄膜LED器件及制备方法-CN201410026373.6有效
发明人：王永进;白丹;施政;李欣;高绪敏;陈佳佳;朱洪波 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
悬空氮化物薄膜 led 器件制备方法

[发明专利]提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜-CN201811462580.0有效
发明人：张宁;冯梁森;魏学成;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供一种提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜，该提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，利用外加机械力或材料本身失配应力作用于p型氮化物薄膜的掺杂表面。本公开提供的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜，利用外加机械力或材料本身失配应力增大p型掺杂氮化物的晶格常数，降低p型掺杂杂质在氮化物薄膜中的热激活能，提高杂质原子的激活率，从而能够制备出具有高空穴浓度的氮化物p型材料，提高氮化物光电子材料及光电子器件中的空穴注入效率。
提升氮化物材料掺杂效率方法薄膜

[发明专利]金属导电薄膜及其制备方法、薄膜晶体管以及显示装置-CN202110232247.6在审
发明人：鲜济遥;周佑联;许哲豪;袁海江 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种金属导电薄膜及其制备方法、薄膜晶体管以及显示装置，所述金属导电薄膜包括金属层和氮化物层，所述金属层的材质为第一金属；所述氮化物层叠设于所述金属层的一侧，所述氮化物层的材质为所述第一金属的氮化物本发明提供的金属导电薄膜，通过在金属层的一侧设置附着性佳的氮化物层，改善了金属导电薄膜的附着性；同时，氮化物层的材质为第一金属的氮化物，这种氮化物能够通过在氮气环境下镀膜得到，相较传统的合金或者多层金属结构的制备工艺，氮化物层的制备能够一次成膜得到，步骤少，效率高；此外，氮化物层只需一种蚀刻液就能实现蚀刻，成本低、效率高。
金属导电薄膜及其制备方法薄膜晶体管以及显示装置

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