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[发明专利]发光二极管装置-CN201210370912.9有效
发明人：许进恭;赖韦志 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种发光二极管装置，包括至少一发光二极管单元。每一发光二极管单元包括第一发光二极管、第二发光二极管及IV族氮化物结构。IV族氮化物结构作为隧穿结位于第一发光二极管与第二发光二极管之间。IV族氮化物结构富含IV族元素，并且包括至少一IV族氮化物层，以及位于IV族氮化物层内的多个IV族纳米颗粒。
发光二极管装置

[发明专利]一种氮化物发光二极管磁电应力耦合的原位测试系统-CN201510578415.1有效
发明人：郑锦坚;寻飞林;邓和清;杜伟华;李志明;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管磁电应力耦合的原位测试系统，包括：氮化物发光二极管、外加电流源、XRD测试组件和磁场发生装置，其特征在于：氮化物发光二极管侧壁形成磁性材料，在所述氮化物发光二极管的P型电极和N型电极两端通入电流，置于XRD测试组件的样品台上，通过磁场发生装置在氮化物发光二极管周围产生磁场，使氮化物发光二极管产生磁场‑电场‑应力耦合效应，利用XRD单晶衍射进行原位测试发光二极管在磁场和电场变化过程中的晶格常数，进而原位控制磁场和电场的大小，调控氮化物的应力变化，使发光二极管获得最高发光效率。
一种氮化物发光二极管磁电应力耦合原位测试系统

[发明专利]一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法-CN202010933632.9有效
发明人：朱玲;吴懿平;吕卫文;祝超 -专利权人：深圳远芯光路科技有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法，所述III族氮化物纳米线发光二极管依次顺序包括PDMS基层、金属反射层、p型接触层、III族氮化物纳米线和顶层金属接触点层，所述III族氮化物纳米线覆盖有抗蚀剂本发明的III族氮化物纳米线发光二极管用PDMS及金属反射层替代硅作为衬底，提高了III族氮化物纳米线发光二极管的输出功率，同时可提高III族氮化物纳米线发光二极管的可拉伸性。本发明的III族氮化物纳米线发光二极管实现了高亮度无磷LED，具有高稳定的白光发射和高达98的显色指数。
一种 iii 氮化物纳米柔性发光二极管及其制备方法

[发明专利]倒装焊氮化物发光二极管及其透光衬底和制造方法-CN201210247318.0无效
发明人：廖丰标;顾玲 -专利权人：江苏扬景光电有限公司
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装焊氮化物发光二极管的透光衬底，所述透光衬底的上表面和下表面中，至少有一个表面为粗糙的表面。本发明还公开了5种制造倒装焊氮化物发光二极管的透光衬底的方法和倒装焊氮化物发光二极管。本发明增加倒装焊氮化物发光二极管的出光量与发光效率，降低发光二极管的整体温度，提高产品的可靠性。
倒装氮化物发光二极管及其透光衬底制造方法

[发明专利]发光二极管装置-CN201210113480.3无效
发明人：谢炎璋;施雅萱 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种发光二极管装置，包含至少一个发光二极管单元。每一个发光二极管单元包含至少一个发光二极管，其包含n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层及主动层，其位于n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层之间。
发光二极管装置

[发明专利]发光二极管、制备发光二极管的方法和显示装置-CN202211204906.6在审
发明人：贺家煜;赵坤;李菲菲;宁策;胡合合;李正亮;姚念琦;黄杰;郭晖;刘烺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管、制备发光二极管的方法和显示装置，所述发光二极管包括阳极、以及发光层和阴极，所述阳极包括金属氮化物层，所述金属氮化物的功函数与所述发光层材料的势垒差小于0.4eV。由此，金属氮化物的功函数与发光层的能级相匹配，通过令发光二极管的阳极包括金属氮化物，可以降低阳极与发光层的势垒差，能够显著增强空穴的注入和传输能力，从而提高发光性能。
发光二极管制备方法显示装置

[发明专利]氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法-CN03156440.2有效
发明人：杨志坚;张国义;李忠辉;余彤军;胡晓东;陈志忠;秦志新;章蓓 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物多量子阱发光二极管外延片的晶体质量，提高氮化物多量子阱蓝色、紫色及紫外发光二极管外延片光荧光(PL)强度。进而，提高氮化物蓝色、紫色及紫外发光二极管的发光强度。
氮化物多量发光二极管结构生长方法

[发明专利]氮化物发光二极管及其制作方法-CN202110489422.X在审
发明人：张国华 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物发光二极管及其制作方法，所述氮化物发光二极管，包含衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层，低温三维氮化物层，u型氮化物层，n型氮化物层、发光层、p型氮化物层，其特征在于：所述低温三维氮化物层和u型氮化物层之间设置有低温p型二维氮化物层，所述低温p型二维氮化物层的掺杂浓度为1E17~1E20。本发明通过在低温三维氮化物层和u型氮化物层之间设置有低温p型二维氮化物层，解决因底层高温生长引起的翘曲大而导致的发光亮度不均匀的问题，提升氮化物发光二极管的发光均匀性，提升氮化物发光二极管的发光效率。
氮化物发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种微型发光二极管的制造方法-CN202010459804.3在审
发明人：张惟诚;高威;朱充沛;黄安;王俊星 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种微型发光二极管的制造方法，涉及微型发光二极管领域，制造方法包括以下步骤：S1：在基板上形成微型发光二极管以及分别位于微型发光二极管的上方和下方的第一电极和第二电极；S2：在微型发光二极管的侧壁上沉积金属层；S3：在真空氛围中退火，微型发光二极管侧壁的金属层被氮化形成金属氮化物；其中，金属层的金属活性大于微型发光二极管所含元素的金属活性。本发明通过可氮化金属层在微型发光二极管侧壁氮化形成金属氮化物作为介电保护层，起到对微型发光二极管侧壁的保护作用。
一种微型发光二极管制造方法

[发明专利]发光显示器-CN201310280273.1在审
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种发光显示器，其包括至少一个氮化物发光二极管，形成在一个第一基板上、至少一个薄膜晶体管，形成在一个第二基板上以及一个连接层，所述连接层用以连接所述第一基板与所述第二基板，使所述氮化物发光二极管与所述薄膜晶体管电性连结，并使所述氮化物发光二极管与所述薄膜晶体管的相对位置错开，所述薄膜晶体管具有一个活性层，所述活性层的位置不在所述氮化物发光二极管的发光路径上。本发明通过所述氮化物发光二极管的使用寿命特性以及以所述连接层的接合方式，可有效解决有机发光二极管在制程中产生的高成本、低良率与寿命劣化问题。
发光显示器

[实用新型]倒装焊氮化物发光二极管及其透光衬底-CN201220345710.4有效
发明人：廖丰标;顾玲 -专利权人：江苏扬景光电有限公司
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒装焊氮化物发光二极管的透光衬底，所述透光衬底的上表面和下表面中，至少有一个表面为粗糙的表面。本实用新型还公开了一种倒装焊氮化物发光二极管。本实用新型增加倒装焊氮化物发光二极管的出光量与发光效率，降低发光二极管的整体温度，提高产品的可靠性。
倒装氮化物发光二极管及其透光衬底

[发明专利]一种发光二极管芯片制作方法-CN200910051058.8无效
发明人：张楠;朱广敏;郝茂盛;张国义;陈志忠;齐胜利;田鹏飞;李士涛;袁根如;陈诚 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;北京大学
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片制作方法，该方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长N型氮化物层、P型氮化物层以及介于N型氮化物层和P型氮化物层之间的多量子阱层获得发光二极管晶片；(2)利用激光辐照技术对发光二极管晶片进行正面划片直至划入衬底；(3)通过刻蚀工艺对步骤(2)中的发光二极管晶片进行刻蚀并制作N电极，P电极；(4)对步骤(3)中发光二极管晶片进行背面研磨减薄、裂片，得到发光二极管芯片。正面划片在制作N、P电极之前进行，利用制作N、P电极中的刻蚀工艺将激光辐照切割过程中形成的融化层，以及沉积在发光二极管晶片侧面和表面电极上的残渣沉积移除，优化了芯片的光电参数和发光二极管芯片的成品率。
一种发光二极管芯片制作方法

[发明专利]III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法-CN201910597139.1在审
发明人：大野启;山下贤哉;石桥明彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法。该发光二极管是光提取效率提高了的III族氮化物半导体发光二极管，包括：主要由通式RAMO
层叠体发光二极管三价元素光提取效率二价元素镧系元素边界面单晶体发光层平坦度相反侧制造

[发明专利]提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用-CN201811314183.9有效
发明人：孙钱;刘建勋;冯美鑫;何俊蕾;黄应南;孙秀建;詹晓宁;吴迅飞;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="no" />晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。
提高氮化物半导体紫外发光二极管效率方法应用

[发明专利]Ⅲ族氮化物发光二极管及其制造方法-CN02108524.2有效
发明人：汪信全;陈锡铭 -专利权人：联铨科技股份有限公司
申请日： 2002-03-27 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种III族(化学元素周期表中)氮化物发光二极管，是在活性层与基板之间加入一层退化接面，此退化接面是由一层n+型层与其上的一层p+型层所构成。借助此退化接面，可使III族氮化物发光二极管形成上n下p的形式，而发光二极管上的导电电极也皆为n型。应用本发明III族氮化物发光二极管，由于n型氮化物的可掺杂浓度较p型氮化物材料高，所以有较好的电流分散能力。另外，还由于p型氮化物的暴露部分减少，因此较不易受到氢钝化的影响。
氮化物发光二极管及其制造方法

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