[发明专利]III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910597139.1 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110707194A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 大野启;山下贤哉;石桥明彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法。该发光二极管是光提取效率提高了的III族氮化物半导体发光二极管，包括：主要由通式RAMO | ||
| 搜索关键词： | 层叠体 发光二极管 三价元素 光提取效率 二价元素 镧系元素 边界面 单晶体 发光层 平坦度 相反侧 制造 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体发光二极管，是倒装芯片型的III族氮化物半导体发光二极管，其特征在于，包括：/n主要由通式RAMO
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