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[发明专利]一种S掺杂Fe-N-C纳米多孔碳纤维氧还原催化剂及其制法-CN202010747845.2在审
发明人：向代成 -专利权人：嵊州市量创新材料有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： D01F9/22 文献下载
摘要：本发明涉及氧还原催化剂技术领域，且公开了一种S掺杂Fe‑N‑C纳米多孔碳纤维氧还原催化剂，包括以下配方原料：Fe基金属有机骨架、聚丙烯腈、氨基硫脲、缩合剂。该一种S掺杂Fe‑N‑C纳米多孔碳纤维氧还原催化剂，以Fe基金属有机骨架为模板，与聚丙烯腈形成的复合物为原料，通过静电纺丝技术制备出的碳纤维，再热裂解形成S掺杂富氮纳米碳材料为氧还原催化剂，其纳米尺寸具有很大的比表面积，具有优异的导电性能，同时促进了更多的Fe‑N和C‑N的活性位点的生产，S掺杂影响了Fe中心周围的电子云密度，降低了电子局域化，改善了催化剂活性位点与氧化物质的相互作用，使催化剂具有优异的氧还原催化活性
一种掺杂 fe 纳米多孔碳纤维还原催化剂及其制法

[发明专利]一种用于电催化水分解制氢的稀土铕和氧空位缺陷共掺杂的四氧化三钴催化剂的制备方法-CN202211233742.X在审
发明人：仉小猛;袁承宗;翁瑶 -专利权人：中国科学院江西稀土研究院
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电催化水分解制氢的稀土铕和氧空位缺陷共掺杂的四氧化三钴催化剂的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将铕可溶盐、钴可溶盐和溶剂混合，向其加入沉淀剂，得到混合溶液；将所述混合溶液依次进行溶剂热反应和煅烧处理，得到铕掺杂四氧化三钴；将所述铕掺杂四氧化三钴和还原剂混合，超声后，得到稀土铕和氧空位缺陷共掺杂的四氧化三钴催化剂。所述制备方法利用了稀土铕和氧空位缺陷之间的协同效应，稀土铕的加入可以优化电荷的重新分布，氧空位缺陷的引入可以产生杂质能级，提升催化剂的电子传输能力，从而显著提升催化剂的析氧反应的速率，降低反应的能垒；制得的催化剂环境友好
一种用于电催化水分解制氢稀土空位缺陷掺杂氧化催化剂制备方法

[发明专利]掺杂材料及制备方法、量子点发光二极管-CN202111116931.4在审
发明人：郭煜林;吴龙佳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10K50/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂材料及其制备方法、量子点发光二极管。掺杂材料包括聚3，4‑乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐和掺杂入聚3，4‑乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐的烯烃共聚物，烯烃共聚物的碳碳双键上的碳原子和聚3，4‑乙烯二氧噻吩的硫原子通过静电作用结合。本申请通过在导电聚合物中添加烯烃共聚物，烯烃共聚物部分替代聚苯乙烯磺酸盐链段，形成可油溶性的掺杂材料，可有效防止聚3，4‑乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐吸水溶胀，提升聚3，4‑乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐薄膜的疏水性能
掺杂材料制备方法量子发光二极管

[发明专利]一种基于掺杂铋铜硒氧薄膜的光、热探测器-CN201610076294.5有效
发明人：董国义;王莲;闫国英;王淑芳 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于掺杂铋铜硒氧薄膜的光、热探测器。在所述横向热电元件的上表面设置有两个对称的金属电极作为电压信号的输出端，所述金属电极通过电极引线将横向热电元件的电压信号输出端与电压表输入端相连接；所述横向热电元件包括c轴倾斜的氧化物单晶基片及生长在所述氧化物单晶基片上c轴倾斜的掺杂铋铜硒氧薄膜，所述金属电极设置在所述掺杂铋铜硒氧薄膜的上表面；所述掺杂铋铜硒氧薄膜的化学式为Bi1‑xMxCuSeO，其中，M为Pb、Ba、Sr、Ca或Mg，0＜x＜0.2。本发明与基于本征铋铜硒氧薄膜探测器相比，可大幅提升探测灵敏度并缩短响应时间。
一种基于掺杂铋铜硒氧薄膜探测器

[发明专利]氧碳、假氧碳和轴烯化合物及其用途-CN200810210372.1有效
发明人：霍斯特·哈特曼;奥拉夫·蔡卡;安德利亚·卢克斯;斯特芬·维尔曼 -专利权人：诺瓦莱德公开股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及氧碳、假氧碳和轴烯化合物，及其作为用于掺杂有机半导体基体材料的掺杂剂、作为阻断材料、作为电荷注入层、作为电极材料以及有机半导体的用途，还涉及使用了它们的电子元件以及有机半导体材料。
氧碳假氧碳化合物及其用途

[发明专利]二维氧掺杂氮化钛/二维氮掺杂碳复合电极材料及其制备方法-CN202211388038.1在审
发明人：霍开富;李秀丽;付继江 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01G11/22 文献下载
摘要：本发明公开一种二维氧掺杂氮化钛/二维氮掺杂碳复合电极材料及其制备方法，将辛二胺分子插入层状镍掺杂钛酸(H0.8Ti1.6Ni0.4O4)纳米片层间，然后通过空间限域的低温预碳化、高温碳化和热氮化反应，插层的辛二胺分子碳化为二维氮掺杂碳片，同时TiO2原位氮化为二维氧掺杂的氮化钛(TiNOx)，制备出纳米尺度下逐层复合的二维TiNOx复合材料中碳的插层有效提升二维氧掺杂氮化钛纵向导电性，提升材料的电化学利用率、体积比容量及电化学稳定性；通过控制氮化时间调控氮化物中氮氧比，从而调节材料中赝电容的大小，提出提升赝电容储能方法，为过渡金属氮化物电容材料的设计提供指导
二维掺杂氮化复合电极材料及其制备方法

[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202110746585.1有效
发明人：王谦;刘昊;田亮;施俊 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC MOSFET器件及其制备方法，其SiC MOSFET器件包括第一掺杂类型的重掺杂的衬底、第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层、第二掺杂类型的电场调制区、第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层、第二掺杂类型的阱区、第二掺杂类型的接触区、第一掺杂类型的源区、栅沟槽、栅介质层、第一掺杂类型的多晶硅层、源极欧姆接触层、漏极欧姆接触层、栅极电极、源极电极、漏极电极、钝化层，本发明通过引入电场调制区，可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。
一种 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]半导体主体有掺杂材料区域的元器件和生成该区域的方法-CN201210343145.2有效
发明人：托马斯·奈德哈特;弗朗茨·约瑟夫·尼德尔诺什特海德;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;维尔纳·舒斯特尔德;亚历山大·苏斯蒂 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：在半导体主体中，由氧-复合体组成的掺杂材料构成掺杂材料区域。该掺杂材料区域沿着从第一侧向第二侧的方向延伸经过长度至少为10μm的部段L。经过该部段L的掺杂材料区域具有从1x1017cm-3至5x1017cm-3的氧浓度。
半导体主体掺杂材料区域元器件生成方法

[发明专利]一种太阳能电池片的扩散方法及得到的太阳能电池片-CN201710300181.3有效
发明人：刘龙杰;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池片的扩散方法，所述扩散方法包括渐变扩散步骤：在元素掺杂过程中，在硅表面的掺杂元素随时间具有梯度变化的浓度。本发明通过将扩散的掺杂金属的量调整为梯度，在初期采用较小的浓度进行高温扩散，能够让近表区氧沉淀充分溶解，过多的氧沉淀不利于退火步吸除杂质，增加太阳能电池板的开压；而随着工艺过程，在后期采用较大的掺杂浓度进行高温扩散，能够迅速弥补表区的P掺杂，增加掺杂金属的有效填充。
一种太阳能电池扩散方法得到

[发明专利]单晶硅制造方法-CN201480030832.6有效
发明人：樱田昌弘;德江润也;星亮二;布施川泉 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×10¹⁶atoms/cm³以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×10¹⁸atoms/cm³(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×10¹⁸atoms/cm³(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。
单晶硅制造方法

[发明专利]一种网状掺杂型钙钛矿催化剂及其制备方法和应用-CN201910215644.5在审
发明人：李佳;孙雍荣;易亚;高源鸿;喻学锋 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： B01J23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种网状掺杂型钙钛矿催化剂及其制备方法和应用，所述掺杂型钙钛矿催化剂为A位掺杂型钙钛矿催化剂A_1‑xA’_xBO₃或B位掺杂型钙钛矿催化剂B’_yO₃，其中A选自稀土金属或碱土金属，A’选自过渡金属，B选自过渡金属或碱土金属，B’选自过渡金属或碱土金属，制备方法包括以下步骤：(1)取A盐、B盐和掺杂元素的盐溶于溶剂中；(2)加入碱性溶液调节pH至8～10，分离并干燥得到固体前驱体；(3)煅烧，制得网状掺杂型钙钛矿催化剂。利用本发明的方法制备出的具有网状结构的掺杂型钙钛矿催化剂，促进了氧还原及氧析出的催化活性的提升，在金属‑空气电池中氧电极领域中具有较好的应用前景。
钙钛矿催化剂掺杂型过渡金属碱土金属制备方法和应用制备固体前驱体掺杂元素催化活性碱性溶液空气电池网状结构稀土金属氧电极氧还原氧析出溶剂盐溶煅烧金属应用

[发明专利]一种网状掺杂型钙钛矿催化剂及其制备方法和应用-CN201910654752.2在审
发明人：李佳;孙雍荣;易亚;高源鸿;喻学锋 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种网状掺杂型钙钛矿催化剂及其制备方法和应用，所述掺杂型钙钛矿催化剂为A位掺杂型钙钛矿催化剂A_1‑xA’_xBO₃或B位掺杂型钙钛矿催化剂B’_yO₃，其中A选自稀土金属或碱土金属，A’选自过渡金属，B选自过渡金属或碱土金属，B’选自过渡金属或碱土金属，制备方法包括以下步骤：(1)取A盐、B盐和掺杂元素的盐溶于溶剂中；(2)加入碱性溶液调节pH至8～10，分离并干燥得到固体前驱体；(3)煅烧，制得网状掺杂型钙钛矿催化剂。利用本发明的方法制备出的具有网状结构的掺杂型钙钛矿催化剂，促进了氧还原及氧析出的催化活性的提升，在金属‑空气电池中氧电极领域中具有较好的应用前景。
钙钛矿催化剂掺杂型过渡金属碱土金属制备方法和应用制备固体前驱体掺杂元素催化活性碱性溶液空气电池网状结构稀土金属氧电极氧还原氧析出溶剂盐溶煅烧金属应用

[发明专利]一种Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料及其制备方法-CN201410373711.3有效
发明人：赵海雷;方梦雅;杨天让;杜志鸿;陈宁 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01M8/10 文献下载
摘要：本发明公开了本发明的目的旨在提供一种制备工艺简便、成本低廉，同时能够有效提高硅基磷灰石电解质材料电导率的Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料及其制备方法。本发明使用溶胶凝胶法制备了Si位掺杂Cu的硅基磷灰石电解质材料La10-xSi6-yCuyO26+1.5x-y，其中0≤x≤0.67，0.7<y≤2；Cu的掺杂可以有效提高材料的离子电导率。本发明在硅基磷灰石体系的Si位掺杂Cu，由于Cu2+的离子半径大于Si4+，Cu掺杂可以增大晶胞参数和氧迁移通道的尺寸，提升载流子的迁移率，所以Cu掺杂可以达到提高电导率的目的。在相同的Cu掺杂量下，降低La位的阳离子缺位数量，可以增加体系的氧离子数量，从而提高氧离子迁移过程中的载流子的数量，进一步提高材料的电导率。
一种 cu 掺杂磷灰石电解质材料及其制备方法

[发明专利]用于施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法-CN201210532001.1有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;董亚斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开一种施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次包含III主族元素X的施主掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、至少两次氮掺杂源沉积及至少两次氧源沉积，形成N-X-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积，后氧源沉积；所述包含III主族元素施主掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积，后包含III主族元素施主掺杂源沉积。
用于施主受主共掺氧化锌薄膜制备方法

[发明专利]基于氮的施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法-CN201210531536.7有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;张阳;解婧;董亚斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开一种基于氮的施主‑受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后依次进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次包含III主族元素X的施主掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、至少两次氮掺杂源沉积及至少两次氧源沉积，形成N‑X‑N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氧源沉积，后氮掺杂源沉积；所述包含III主族元素施主掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先包含III主族元素施主掺杂源沉积，后第二次锌源沉积。
沉积氧化锌薄膜次锌共掺施主掺杂受主复合沉积氮掺杂氧源制备反应腔室腔室管道受主元素掺入量掺杂源次氮次氧放入加热掺杂引入