“氧掺杂”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果517429个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种氧掺杂碳纳米片负载钯单原子催化剂及其制备方法和应用-CN202211041068.5在审
发明人：程义;王晓丹;侯阳;杨彬;雷乐成 -专利权人：浙江恒逸石化研究院有限公司;浙江大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C25B11/089 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料领域，针对H2O2的电催化剂难以同时实现高选择性和高活性的问题，提供一种氧掺杂碳纳米片负载钯单原子催化剂及其制备方法和应用，所述催化剂有片层状结构，Pd以单原子的形式锚定在氧掺杂碳纳米片表面结构中。所述催化剂的制备方法，包括以下步骤：（1）采用无水乙酸锰、苯甲酸钠和对苯二甲酸经水热反应得到初产物，初产物经过滤、干燥处理后，再碳化煅烧、酸洗、干燥得到氧掺杂碳纳米片；（2）将步骤（1）制得的氧掺杂碳纳米片浸渍在金属钯盐溶液中，然后干燥、煅烧得到氧掺杂碳纳米片负载钯单原子催化剂。所述催化剂应用于电催化氧还原制H2O2反应中，具有良好的电催化选择性和活性。
一种掺杂纳米负载原子催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜及其制备方法和应用-CN202110428229.5有效
发明人：曾俞衡;刘尊珂;叶继春;廖明墩;闫宝杰;刘伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，包括位于衬底背面的隧穿层、位于隧穿层背面的掺杂多晶硅层、位于掺杂多晶硅层背面的烧结电极，还包括位于掺杂多晶硅层和烧结电极之间的第一硅氧纳米晶层。本发明提供一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，增加掺杂的硅氧纳米晶层作为电极金属扩散的势垒层，防止金属浆料烧结时烧穿多晶硅层与晶体硅直接接触，阻挡电极金属向衬底扩散；本发明还提供了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜的制备方法和应用，其将制备隧穿层与掺杂多晶硅层中的退火晶化过程与制备烧结电极中的高温烧结过程合二为一，降低成本；将含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜应用于太阳能电池，提高电池效率。
一种含硅氧纳米多晶薄膜及其制备方法应用

[发明专利]隔离型NLDMOS器件及其制造方法-CN201510067904.0在审
发明人：刘冬华;段文婷;钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，包括：P型衬底上部的相邻N阱和P阱，P阱位于N型深阱中，N型深阱一侧边缘位于N阱与P阱相邻一侧弧形侧边的下方，P阱上部顺序设置有第一P型重掺杂区、第一场氧和第二P型重掺杂区，N阱上部设置有第二场氧和N型重掺杂区，栅氧化层位于P阱和N阱上方第二P型重掺杂区和第二场氧之间，栅极多晶硅位于栅氧化层和部分第二场氧上方，第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区和N型重掺杂区分别通过接触孔引出连接引线
隔离 nldmos 器件及其制造方法

[发明专利]氮掺杂碳纳米片负载氧化亚铁量子点的氧还原电催化剂、其制备方法及应用-CN202110916294.2在审
发明人：王亮;吴美莹;吴秀珍 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂碳纳米片负载氧化亚铁量子点的氧还原电催化剂、其制备方法及应用，本发明氮掺杂碳纳米片负载氧化亚铁量子点的氧还原电催化剂，以氮掺杂碳纳米片为载体，以氧化亚铁量子点作为氧还原电催化剂颗粒本发明选择简单易得的六水合三氯化铁为铁源，氮掺杂剂采用尿素，硫脲，三聚氰胺等高富含氮化合物，以类石墨烯碳纳米片为碳源，通过冷冻干燥和热解过程得到量子点级别的氧化铁基的氮掺杂碳纳米片，该材料具有优异的电化学氧还原性能本发明合成：制作方法简单，成本低廉，适合工程放大和规模化制备；高氮源和过渡金属铁的共掺杂，可有效提高该材料的电催化活性，在氮掺杂碳纳米片电催化的制备领域具有重要的意义和价值。
掺杂纳米负载氧化亚铁量子还原催化剂制备方法应用

[发明专利]一种氟氧铁纳米材料及其制备方法与应用-CN202010826103.9有效
发明人：邱业君;张高玮;李子依 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氟氧铁纳米材料及其制备方法与应用，所述氟氧铁纳米材料其包括氟氧化铁和/或氟掺杂铁氧化物纳米材料，所述氟氧化铁的分子式为：FexOyFz，其中，0.1≤x≤4；0.1≤y≤4；0.1≤z≤4；所述氟掺杂铁氧化物纳米材料包括氟掺杂的氧化亚铁、氟掺杂的三氧化二铁、氟掺杂的四氧化三铁或其中的至少两者的混合物、以及镍、硼、氮、磷其中一种或两种以上的元素跟氟掺杂的铁氧化物。本发明的技术方案的氟氧化铁和氟掺杂铁氧化物纳米材料具有较高的析氧电催化活性，可以有效地降低析氧电催化的过电位，提升了全水分解的效率；而且制备方法简单，成本较低，反应条件较为温和，适用于工业化生产。
一种氟氧铁纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]碘掺杂碳酸氧铋包覆的碳布材料及其制备方法与在油水分离中的应用-CN201810616283.0有效
发明人：路建美;陈冬赟 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： B01D17/02 文献下载
摘要：本发明公开了碘掺杂碳酸氧铋包覆的碳布材料及其制备方法与在油水分离中的应用，包括以下步骤，将预处理的碳布浸没在碘掺杂碳酸氧铋前驱体溶液中，水热反应，得到碘掺杂碳酸氧铋包覆的碳布材料；所述柠檬酸铋溶液包括柠檬酸铋本发明通过水热法一步合成了碘掺杂碳酸氧铋包覆的碳布，具有分离乳液的功能。这种材料制备简单，原材料易得，分离效果好，循环性好，在工业污水处理和乳液分离方面具有良好的应用前景。
掺杂碳酸氧铋包覆材料及其制备方法油水分离中的应用

[发明专利]原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法-CN201210533437.2有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;董亚斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开一种原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积，形成N-Zr-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氧源沉积，后氮掺杂源沉积；所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积，后第二次锌源沉积。
原子沉积制备 zr 氧化锌薄膜方法

[发明专利]一种中空CoS2-CN202011193411.9在审
发明人：冯程程 -专利权人：安徽晟源环保新型材料有限公司宿马分公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明涉及电解水析氧技术领域，且公开了一种中空CoS2微球修饰氮掺杂多孔碳的析氧催化剂，中空CoS2微球具有超高的比表面积，有利于暴露更多的析氧活性位点，壳聚糖与丙烯腈反应，进一步与盐酸羟胺反应，得到偕胺肟化壳聚糖，偕胺肟基团与Co键合，进一步碳化和活化，得到中空CoS2微球修饰氮掺杂多孔碳，CoS2在多孔碳基体中高度分散，减少团聚，提高了析氧催化剂的循环稳定性，N原子掺杂提高了多孔碳的电化学性质，且CoS2与氮掺杂多孔碳具有较强的协同耦合作用，加速电子转移，提高析氧催化剂的导电性，降低了析氧过电位，使得中空CoS2微球修饰氮掺杂多孔碳的析氧催化剂具有优异的导电性、循环稳定性、析氧性能。
一种中空 cos base sub

[发明专利]具有交替的N掺杂区域和P掺杂区域的单片硅晶圆-CN201480024908.4在审
发明人：让-保罗·加朗代;塞巴斯蒂安·迪布瓦;尼古拉斯·昂雅尔贝;约尔迪·威尔曼;Y·维舍蒂 -专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L21/761 文献下载
摘要：本发明涉及一种单片硅晶圆(10)，其在至少一个竖直切割面上具有交替的n掺杂区域(110)和p掺杂区域(120)，所述n掺杂区域和所述p掺杂区域分别在所述晶圆的整个厚度(e)上延伸，其特征在于：所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域(120)分别在切割面中具有至少1mm的宽度(L₁，L₂)；所述n掺杂区域(110)具有氧热施主浓度，所述氧热施主浓度不同于所述p掺杂区域(120)的氧热施主浓度；以及所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域由电隔离区域(130)彼此分开。
具有交替掺杂区域单片硅晶圆

[发明专利]一种金属掺杂的碳量子点的应用-CN201910524209.0在审
发明人：吴文婷;王小凯;张庆刚;吴明铂;李忠涛 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： B01J31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属掺杂的碳量子点的应用，属于量子点技术领域，用于清除活性氧；所述活性氧为超氧负离子、过氧化氢或羟基自由基。本发明选用EDTA过渡金属盐为原料，通过简单一步热解法，制备了金属掺杂碳点，通过抑制有机染料氮蓝四唑(NBT)的还原显色反应以及过氧化氢分解测试，探究碳点清除活性氧的能力，结果表明，金属掺杂的碳量子点价格低廉，却具有良好的清除活性氧的能力，当原料中质量比1:1掺杂的EDTA铜钠盐与EDTA锌钠盐得到的不饱和双金属掺杂的碳量子点CuZn‑CDs在温和条件下对于染料NBT还原抑制率能够达到61.4％，并且对过氧化氢分解率达到
量子点金属掺杂活性氧过氧化氢分解掺杂的钠盐还原超氧化物歧化酶过氧化氢酶活性超氧负离子过渡金属盐羟基自由基过氧化氢温和条件显色反应有机染料不饱和热解法双金属抑制率质量比染料四唑制备应用测试

[发明专利]一种S-Co-N原位共掺杂多孔碳的制备方法及其应用-CN202011489279.6在审
发明人：杨滢 -专利权人：杨滢
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明涉及氧还原催化剂技术领域，且公开了一种S‑Co‑N原位共掺杂多孔碳，Co2+均匀分布在壳聚糖多孔交联微球中，以壳聚糖多孔交联微球作为碳源，二硫代氨基甲酸基团作为氮源和硫源，通过高温碳化和氢氧化钾刻蚀制孔活化，得到S‑Co‑N原位共掺杂多孔碳，丰富且高度分散的Co/N/C氧还原催化活性位点，具有优异的氧还原催化活性，硫掺杂有利于拓宽碳骨架的层间距，形成结构缺陷，进一步提高多孔碳的比表面积和孔隙结构，同时硫原子的掺杂有利于调节Co/N/C催化活性位点周围的电子排布和自旋密度，诱导产生更多的氧还原催化活性位点，使S‑Co‑N原位共掺杂多孔碳具有优异的氧还原催化活性。
一种 co 原位掺杂多孔制备方法及其应用

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽MOSFET-CN202310322007.4在审
发明人：王卓;胡鲲;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET，包括从下到上依次设置N型重掺杂衬底、N型轻掺杂外延漂移层、P型扩散区、N型重掺杂扩散区、在垂直方向构建深槽、浅槽，深槽内构建屏蔽栅多晶硅与控制栅多晶硅，分别用隔离场氧与栅氧与沟槽边缘隔离，浅槽内构建控制栅多晶硅，用栅氧与沟槽边缘隔离，器件构建金属电极隔离氧，贯穿隔离氧、N型轻掺杂扩散区、P型扩散区构建梯形金属电极、金属电极与P型扩散区之间形成P型高掺杂区、器件顶部形成源极、器件底部形成漏极
一种屏蔽沟槽 mosfet

[发明专利]一种具有绿色荧光的碳氧共掺杂氮化硼量子点及其制备方法与应用-CN202111111908.6有效
发明人：廉刚;张旭;韩生会;崔得良;王琪珑 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C09K11/63 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有绿色荧光的碳氧共掺杂氮化硼量子点及其制备方法与应用。其制备方法包括步骤：将硼酸、氮源和碳源加入去离子水中，经超声、干燥得到混合物；将所得混合物煅烧，之后经洗涤、干燥、研磨得到碳氧共掺杂氮化硼粉末；将所得碳氧共掺杂氮化硼粉末分散在浓酸中，进行超声、离心，离心所得上清液为碳氧共掺杂氮化硼量子点溶液；之后经透析、冷冻干燥，得到碳氧共掺杂氮化硼量子点。
一种具有绿色荧光碳氧共掺杂氮化量子及其制备方法应用

[发明专利]镝掺杂碱土硅酸氧钇盐上转换发光材料、制备方法及其应用-CN201310207177.4无效
发明人：周明杰;陈吉星;王平;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：一种镝掺杂碱土硅酸氧钇盐上转换发光材料，具有如下化学通式的Me₂Y₈(SiO₄)₆O₂：xDy该镝掺杂碱土硅酸氧钇盐上转换发光材料的光致发光光谱中，镝掺杂碱土硅酸氧钇盐上转换发光材料的激发波长为796nm，得到的482nm的发光峰，是Dy³⁺离子⁴F<本发明还提供该镝掺杂碱土硅酸氧钇盐上转换发光材料的制备方法及使用该镝掺杂碱土硅酸氧钇盐上转换发光材料的有机发光二极管。
掺杂碱土硅酸氧钇盐上转换发光材料制备方法及其应用

[发明专利]一种四氧化三钴掺杂碳酸氧铋催化剂的制备方法-CN201911170643.X在审
发明人：马红超;董清溪;付颖寰;王国文;董晓丽 -专利权人：大连工业大学
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B01J27/232 文献下载
摘要：本发明提供一种四氧化三钴掺杂碳酸氧铋催化剂的制备方法，包括以下步骤：以硝酸铋和碳酸钠为原料，硝酸溶液为溶剂，CTAB为表面活性剂，制备纯相Bi2O2CO3，并溶解在乙醇中，加入醋酸钴后用氨水调节PH，洗涤后得到最后得到沉淀，经过洗涤烘干即得四氧化三钴掺杂碳酸氧铋催化剂。本发明制得的四氧化三钴掺杂碳酸氧铋催化剂，不仅扩展了碳酸氧铋在实际生产中的应用，而且与其他碳酸氧铋催化剂相比，也克服了激发电子‑空穴对的迁移距离长和快速复合率、量子效率低、降低太阳能的利用率、限制其在光降解中的应用等缺点，其中掺杂0.6％四氧化三钴的碳酸氧铋降解效果是纯相碳酸氧铋的1.5倍。
一种氧化掺杂碳酸催化剂制备方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条