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[发明专利]一种乙二醇诱导氧掺杂二硫化钼方法及其在锂硫电池中的应用-CN202111345493.9有效
发明人：张凤祥;雷达;张旭;史晓珊;李永鹏 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供一种乙二醇诱导氧掺杂二硫化钼方法及其在锂硫电池中的应用，属于锂硫电池领域，具体通过绿色和温和的乙二醇竞争还原方法来制备氧掺杂的二硫化钼/碳纳米片以进行隔膜改性。本发明的有益效果为：1)采用绿色和温和的乙二醇竞争还原方法来制备氧掺杂的二硫化钼/碳纳米片；2)氧原子具有强极性，具有合适的电子调节能力，通过形成Li‑O键来吸附多硫化物；3)氧原子的掺杂剂还可以扰乱二硫化钼的结构
一种乙二醇诱导掺杂二硫化钼方法及其电池中的应用

[发明专利]一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法-CN201610136770.8有效
发明人：钟德京;邱家梁;张涛;黄伟冬;邹军 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，包括以下步骤在晶体硅生长过程中，向铸锭炉中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体随着晶体硅的生长在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，得到富含氧元素的富氧层，长晶完成后得到晶体硅，根据富氧层的生长界面获得晶体硅的生长界面，根据富氧层在晶体硅中的高度或富氧层的厚度计算得到晶体硅的生长速度。本发明在晶体硅生长过程中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，氧元素在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，从而在晶体中形成富氧层，根据富氧层可以表征晶体硅生长界面和生长速度，表征精确度较高。
一种表征晶体生长界面速度方法

[发明专利]一种氮氧共掺杂多孔碳材料、制备方法及应用-CN202211436307.7在审
发明人：王雪飞;李瑞劼;张永刚 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮氧共掺杂多孔碳材料、制备方法及应用，属于多孔碳材料技术领域，该氮氧共掺杂多孔碳材料的制备方法包括：(1)将聚酰亚胺酸溶液和聚丙烯腈溶液充分混合得到混合溶液，利用混合溶液制膜，将制得的膜用凝固浴溶液处理后得到复合膜材料；(2)将步骤(1)得到的复合膜材料进行预氧化、碳化，得到聚丙烯腈/聚酰亚胺基多孔碳材料；(3)利用化学活化剂对聚丙烯腈/聚酰亚胺基多孔碳材料进行活化处理，得到所述的氮氧共掺杂多孔碳材料。本发明通过调节凝固浴参数控制相分离过程来调控孔结构，并进一步结合活化步骤来优化孔结构，制备得到具有优异孔结构的氮氧共掺杂多孔碳材料，该氮氧共掺杂多孔碳材料具有较好的电化学性能。
一种氮氧共掺杂多孔材料制备方法应用

[发明专利]一种氧掺杂硫代钴酸镍的制备方法及其在锂硫电池中的应用-CN202310991903.X在审
发明人：沈李园;赵玉壮;刘敏;张全权 -专利权人：合源锂创（苏州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01M50/409 文献下载
摘要：一种氧掺杂硫代钴酸镍的制备方法及其在锂硫电池中的应用，包括如下步骤：S1：向去离子水、异丙醇的混合溶液中加入碳纳米管；S2：加入六水合氯化钴、六水合氯化镍，在搅拌的条件下，加入氨水，再加入硫代乙酰胺；S3：溶剂热反应；S4：抽滤、收集、干燥得到硫代钴酸镍/碳纳米管复合材料；S5：进行氧掺杂处理得到氧掺杂硫代钴酸镍/碳纳米管复合材料。本发明所述的一种氧掺杂硫代钴酸镍的制备方法及其在锂硫电池中的应用，制得的氧掺杂硫代钴酸镍/碳纳米管复合材料，可以提高活性位点的利用率，增强其导电性，并且诱导表面电荷重新分布，从而调节电子结构，优化其催化转化动力学
一种掺杂硫代钴酸镍制备方法及其电池中的应用

[发明专利]一种用于超级电容器的氧硫掺杂的Ni-Mo双金属材料及其制备方法-CN201911156399.1有效
发明人：高云芳;吴佳豪;徐新 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于超级电容器的氧硫掺杂的Ni‑Mo双金属材料及其制备方法，该金属材料由Ni、Mo、O、S四种元素组成，包括下列步骤：（1）使镍源、钼源在配位剂作用下发生络合反应得到前驱体Ni‑Mo‑O；（2）使硫源和所述前驱体Ni‑Mo‑O反应得到氧硫掺杂Ni‑Mo双金属材料。所述氧硫掺杂Ni‑Mo双金属材料具有多级孔结构，孔径大小及数量在较大范围内可控，比表面积大，Ni含量为30％‑40％，Mo含量为20‑30％。其有益效果：硫氧掺杂的双金属材料具有多种氧化形态，可以提供比氧硫掺杂的单金属材料更加出色的理论电容、氧化还原、可逆性和电导率。
一种用于超级电容器掺杂 ni mo 双金属材料及其制备方法

[发明专利]氧掺杂类石墨相氮化碳光催化剂及其制备方法和应用-CN202010677018.0有效
发明人：余长林;张振民;周晚琴;樊启哲;纪红兵;魏龙福 -专利权人：广东石油化工学院
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种氧掺杂类石墨相氮化碳光催化剂的制备方法，包括以下步骤：将g‑C3N4和抗坏血酸混合研磨后，加热、保温，然后冷却至室温，得到氧掺杂g‑C3N4光催化剂。base:Sub>N4的物理组织结构，可以得到比表面积大的催化剂，并且借助抗坏血酸在加热时易分解，将抗坏血酸加热，主要生成呋喃衍生物、五元醇和多不饱和环酮，可作为氧掺杂的来源，将氧元素掺杂到g‑C3N4中，得到高氧掺杂的g‑C3N
掺杂石墨氮化光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种中空球形的硫空位氧掺杂高熵硫化物纳米酶及其制备方法与POCT应用-CN202310489165.9有效
发明人：林鹏程;黄祯;陈颖;陈佳琪;李慧勤;苏旖倩;王豪 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种中空球形的硫空位氧掺杂高熵硫化物纳米酶及其制备方法与POCT应用。首先采用两步高温火焰喷射法制备高熵硫化物纳米酶；然后将制得的纳米酶置于氧气环境中，纳米酶中的硫离子与氧气反应生成二氧化硫，同时多余的氧掺杂在纳米酶颗粒中，得到硫空位氧掺杂的高熵硫化物纳米酶；最后将硫空位氧掺杂的高熵硫化物纳米酶与生物质酸进行反应，生物质酸中的氢以离子方式解离，氢离子取代纳米酶中的金属离子进而对该纳米酶的结构进行刻蚀，得到中空球形且表面带负电荷的硫空位氧掺杂高熵硫化物纳米酶。
一种中空球形空位掺杂硫化物纳米及其制备方法 poct 应用

[发明专利]一种磷掺杂石墨烯氧还原电催化剂及其制备方法和应用-CN201310485468.X无效
发明人：苟兴龙;李容 -专利权人：西华师范大学
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： B01J27/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种催化剂，特别涉及一种磷掺杂石墨烯氧还原电催化剂及其制备方法和应用。本磷掺杂石墨烯氧还原电催化剂包括氧化石墨烯基质，和掺杂或附着于氧化石墨烯基质表面及内部的活性磷元素。本掺杂石墨烯氧还原电催化剂的制备方法包括以下步骤，步骤1）氧化石墨烯制备、步骤2）氧化石墨烯与含磷前驱体混合、步骤3）干燥、步骤4）热解。本磷掺杂石墨烯氧还原电催化剂是一种优良的氧还原电催化剂，其催化活性高，能够抗甲醇和一氧化碳中毒，稳定性好，可用于燃料电池和金属空气电池的电催化剂，也可以作为电极活性材料用于锂离子电池、钠离子电池、锂-硫电池
一种掺杂石墨还原催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种氧还原催化剂及其制备方法和应用-CN201610537147.3有效
发明人：王强斌;胡峰;汪昌红;杨红超;张叶俊 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧还原催化剂，包括：具有壳体的空心氮掺杂碳球；以及，嵌于所述壳体中的过渡金属纳米颗粒。根据本发明的氧还原催化剂具有均匀的过渡金属纳米颗粒‑氮掺杂活性中心、以及合适的介孔孔道的孔径和高比表面积，有利于氧还原过程中反应物和生成物的传输，因此其具有高效的氧还原催化性能和优良的稳定性。本发明还公开了上述氧还原催化剂的制备方法，包括：将微球模板分散在碱性溶液中，获得第一混合物；向所述第一混合物中加入氮掺杂碳源及过渡金属盐，所述氮掺杂碳源聚合，获得第二混合物；将所述第二混合物干燥并在保护气体中进行煅烧，获得氧还原催化剂。本发明还公开了上述氧还原催化剂在燃料电池的阴极中的应用。
一种还原催化剂及其制备方法应用

[发明专利]水平扩散金氧半导体元件-CN201410155578.4在审
发明人：苏潮源;吴清逸;陈弘斌;张俊彦 -专利权人：奇景光电股份有限公司;原景科技股份有限公司
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明揭露一种水平扩散金氧半导体元件，尤其是揭露一种水平扩散N型金氧半导体元件以及水平扩散P型金氧半导体元件。水平扩散N型金氧半导体元件包括半导体基底、磊晶层在半导体基底上、图案化的隔离层在磊晶层上、N型双扩散区于图案化的隔离层的第一主动区中、N型浓掺杂漏极区设置于N-型双扩散区中、P型体掺杂区设置于图案化的隔离层的第二主动区中、一对相邻的N型浓掺杂源极区和P型浓掺杂源极区设置于P型体掺杂区中、第一栅极结构设置于通道区上以及第二栅极结构设置于第二主动区上。N型双扩散区的制作方式包括离子布植及磊晶层掺杂。
水平扩散半导体元件

[发明专利]一种静电放电保护电路-CN201410132386.1有效
发明人：陈哲宏 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护电路，包括一二极管，设置于一N型井区，一包括一高浓度P型掺杂区与不相邻的一高浓度N型掺杂区；一金氧半(NMOS)晶体管，设置于一P型井区，包括一汲极、一源极与一闸极，汲极与源极皆由高浓度N型掺杂区所形成；其中P型井区更包括一相邻于源极的高浓度P型掺杂区，金氧半(NMOS)晶体管的汲极电性连接于二极管的高浓度N型掺杂区，金氧半(NMOS)晶体管的源极与相邻的高浓度P型掺杂区电性地接地，且金氧半
一种静电放电保护电路

[发明专利]一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件-CN201910813865.2有效
发明人：刘志强;龙立;唐红飞;成建兵;邓志豪 -专利权人：瑞森半导体科技（广东）有限公司;南京邮电大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子元器件技术领域的一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件，包括位于底部的衬底层及埋氧层，埋氧层的上方覆盖有漂移区，漂移区的上方分别覆盖有buffer层和body区，漂移区的上方且位于buffer层的右侧设有氧化层，buffer层内具有第三重掺杂区，漂移区的上方且位于body区的左侧设有场氧隔离区，场氧隔离区和body区的上端均覆盖有多晶硅栅极，body区上方形成第一重掺杂区和第二重掺杂区，多晶硅栅极、第一重掺杂区和第二重掺杂区用导线相连接地，通过加入阳极端氧化层技术，同时通过降低阳极端的第三重掺杂区向漂移区的注入效率，并增加ESD电流流通路径长度，进而提高维持电压，可降低闩锁效应的发生风险。
一种具有氧化 ligbt esd 保护器件

[发明专利]一种氧掺杂多孔氮化碳纳米片及其制备方法-CN201910498393.6有效
发明人：孙少东;宋鹏;梁淑华;崔杰;段如妍 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧掺杂多孔氮化碳纳米片的制备方法，以碳氮前驱体、乙醇和水作为原材料，采用乙醇辅助水热处理常规碳氮前驱体制备出改性前驱体；然后将上述改性前驱体进行高温煅烧，即得到氧掺杂多孔氮化碳纳米片。采用本发明方法制备得到的氧掺杂多孔氮化碳纳米，实现形貌调控和掺杂改性的结合。一方面，所得到的氮化碳具有明显的二维片层状多孔结构，不仅可以增强的氮化碳对光的捕获能力，而且可以提供更多的电荷迁移通道和表面活性位点；另一方面，通过氧掺杂实现了对氮化碳能带结构的调控，优化了光还原和光氧化的反应电势因此，所制备的氧掺杂多孔氮化碳纳米片较之传统无孔、易团聚的体相g‑C3N4展现出优异的光催化性能。
一种掺杂多孔氮化纳米及其制备方法

[发明专利]一种掺杂态聚苯胺环氧涂料及其制备方法-CN201410203635.1无效
发明人：刘玉环;王慧慧;王吉会 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂态聚苯胺环氧涂料及其制备方法，首先采用化学聚合法，利用过硫酸铵作为氧化剂，磷酸作为掺杂剂制备掺杂态聚苯胺，然后去掺杂得到本征态聚苯胺，再与十二烷基苯磺酸进行二次掺杂，制备二次掺杂态聚苯胺之后将制备的二次掺杂态聚苯胺与环氧树脂混合，制备出具有良好防腐性能的聚苯胺环氧涂料。本发明技术方案中，二次掺杂态聚苯胺制备的涂层不仅具有较高的导电性，而且具有很高的耐腐蚀性能，且所需工艺设备简单，成本相对比较低，易实现工业化。
一种掺杂苯胺涂料及其制备方法

[发明专利]P型一次性可编程器件结构-CN201110335056.9有效
发明人：刘梅;黄景丰 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型一次性可编程器件结构，在硅片上形成有N型阱，在N型阱上从左到右依序形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区，第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的N型阱上及第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的N型阱上分别形成有栅氧，第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有存储管栅极多晶硅，第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有选通管栅极多晶硅，
一次性可编程器件结构