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[发明专利]氮掺杂石墨烯-异核酞菁铜氧钒电化学传感器的制备及应用-CN202010757254.3在审
发明人：褚美洁 -专利权人：褚美洁
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明涉及电化学传感技术领域，公开了一种氮掺杂石墨烯‑异核酞菁铜氧钒电化学传感器的制备及应用。制备过程包括：（a）氮掺杂石墨烯的制备；（b）异核酞菁铜氧钒制备；（c）氮掺杂石墨烯‑异核酞菁铜氧钒制备；（d）氮掺杂石墨烯‑异核酞菁铜氧钒电化学传感器的制备。
掺杂石墨异核酞菁铜氧钒电化学传感器制备应用

[发明专利]制备无机发光材料的方法-CN201380037385.2有效
发明人： T·沃斯格罗内;H·温克勒;R·派特里;A·本克尔;C·汉佩尔 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明涉及制备具有提高发射效率的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的方法。此外，本发明涉及可通过本发明制备方法得到的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物，和本发明铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物作为转换无机发光材料的用途。此外，本发明还涉及包含本发明铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的发光器件。
制备无机发光材料方法

[发明专利]用于在功率器件中减小衬底掺杂剂向外扩散的氧插入的Si层-CN201910728973.X在审
发明人： M.波茨尔;B.格勒;R.哈瑟;R.K.约希;S.里奥曼;A.梅瑟;M.罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：用于在功率器件中减小衬底掺杂剂向外扩散的氧插入的Si层。该半导体器件包括：掺杂的Si基底衬底，形成在掺杂的Si基底衬底的主表面之上的一个或多个器件外延层，扩散阻挡结构，以及形成在扩散阻挡结构上方的栅极。扩散阻挡结构包括Si和氧掺杂Si的交替层，该Si和氧掺杂Si的交替层形成在与掺杂的Si基底衬底的主表面相邻的掺杂的Si基底衬底的上部中、形成在与掺杂的Si基底衬底的主表面相邻的一个或多个器件外延层的下部中、或者形成在被设置在掺杂的Si基底衬底的主表面与一个或多个器件外延层之间的一个或多个附加外延层中。
用于功率器件减小衬底掺杂向外扩散插入 si

[发明专利]一种铁掺杂铋氧硫光催化剂及其制备方法与应用-CN202211573611.6在审
发明人：姜丽莎;刘伟;许子俊 -专利权人：烟台大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B01J27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种铁掺杂铋氧硫光催化剂及其制备方法与应用，属于环境催化新材料技术领域。:Sub>S晶体和Fe(NO3)3·9H2O为原料，采用高能球磨法，制备铁掺杂铋氧硫光催化剂；其中，Fe在铁掺杂铋氧硫光催化剂中的掺杂量为1.7‑5.6％。本发明所获得的铁掺杂铋氧硫光催化剂具有较高的光生载流子传输效率、丰富的反应活性位点和较强的活化过硫酸盐的能力。
一种掺杂铋氧硫光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]掺杂态聚苯胺-环氧-锌粉复合涂料及其制备方法-CN201310512448.7有效
发明人：戈成岳;傅文峰;王明晶;陈开强;凌建雄;胡志标;于学亚 -专利权人：中山大桥化工集团有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明公开一种掺杂态聚苯胺-环氧-锌粉复合涂料，其中，所述的掺杂态聚苯胺-环氧-锌粉复合涂料的主剂的组分及其质量百分含量如下：掺杂态聚苯胺：5%～20%，环氧树脂：5%～25%，溶剂：10%～40%，防沉剂：0%～4%，锌粉：30%～75%；所述掺杂态聚苯胺-环氧-锌粉复合涂料还包括固化剂，所述主剂和固化剂的质量比为10：10～10：3。本发明掺杂态聚苯胺-环氧-锌粉复合涂料及其制备方法改善了其形成的涂层的耐腐蚀性，为海洋环境中的钢结构提供了更好的电化学保护，且减少了涂料中锌粉的用量，改善了涂料的施工性能。
掺杂苯胺环氧锌粉复合涂料及其制备方法

[发明专利]一种氧掺杂单层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用-CN202010465373.1有效
发明人：宋礼;崔其龙;陈双明 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧掺杂单层过渡金属硫族化合物的制备方法，包括以下步骤：A)将铁氧化物、金属前驱体钨氧化物和氯化钠混合均匀，得到反应前驱体；B)将步骤A)得到的反应前驱体在高温下与硫粉进行反应，得到氧掺杂单层过渡金属硫族化合物本发明利用铁氧化物辅助化学气相沉积法，获得了高质量单层的氧掺杂二硫化钨单晶，在光电探测器、光电传感器等方面有着巨大的应用前景。相对于现有的过渡金属硫族化合物掺杂方法而言，此方法实现了原位掺杂氧元素，且工艺简单，易于规模化生产。
一种掺杂单层过渡金属化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种A位Ba、Sr、Ca三离子共掺杂的SrCo_0.8Fe_0.2O_3-δ基钙钛矿透氧膜材料及其应用-CN201010280665.4无效
发明人：李其明;连丕勇;李芳 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C04B35/32 文献下载
摘要：一种A位Ba、Sr、Ca三离子共掺杂的SrCo0.8Fe0.2O3-δ基钙钛矿透氧膜材料及其应用，其涉及无机透氧膜材料，其在SrCo0.8Fe0.2O3-δ的A位同时掺杂Ba、Sr和Ca元素，材料通式为本发明通过调节三种金属离子的掺杂比例，使材料具有立方钙钛矿结构，研究表明该材料熔点低于A位单离子掺杂或双离子掺杂的钙钛矿材料，并且该材料结构稳定，透氧量较高，适宜用于透氧膜密封、纯氧分离、甲烷部分氧化、
一种 ba sr ca 离子掺杂 srco sub 0.8 fe 0.2 基钙钛矿透氧膜材料

[发明专利]掺杂铌的二氧化钛光降解触媒丝的制备方法-CN200810046441.X无效
发明人：邓昭平;陈建利;胡景川;黄振新 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2008-11-03 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：一种铌掺杂二氧化钛光降解触媒丝的制备方法，其特征是按以下步聚进行：(1)铌掺杂草酸氧钛酸溶液的制备；(2)将玻璃纤维丝用水洗涤干净；(3)将洁净的玻璃纤维丝加热到50～80℃，浸入温度为50～80℃的铌掺杂草酸氧钛酸溶液中，采用浸润提拉法在玻璃纤维丝表面形成铌掺杂草酸氧钛酸前驱物薄膜；(4)对涂覆了铌掺杂草酸氧钛酸前驱物的玻璃纤维丝进行热处理，热处理时以室温作为起始温度，以10～20℃/分的升温速度升温至480～520℃
掺杂氧化光降解触媒制备方法

[发明专利]一种镧掺杂镓锌氮氧固溶体光催化剂的制备方法及应用-CN201310459632.X无效
发明人：陈刚;于麒麟;周彦松;于耀光;赵丽宸;何强;韩钟慧 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：一种镧掺杂镓锌氮氧固溶体光催化剂的制备方法及应用，它涉及一种光催化剂的制备方法和应用。本发明是要解决现有技术制备的进行水分解制氧的固溶体光催化剂分解水性能低、对可见光响应范围窄的问题。制备方法：称取Ga2O3、ZnO和La的化合物，置于玛瑙研钵中研磨；然后在氨气气氛中高温煅烧一段时间后；在氨气气氛中冷却至一定温度取出，最终得到镧掺杂镓锌氮氧固溶体光催化剂。一种镧掺杂镓锌氮氧固溶体光催化剂作为光催化剂用于分解水制氧。本发明制备的镧掺杂镓锌氮氧固溶体光催化剂用于水分解制氧具有较高的产氧量和分解水制氧性能。
一种掺杂镓锌氮氧固溶体光催化剂制备方法应用

[发明专利]一种氧掺杂纳米晶难熔金属高熵合金及其制备方法-CN202010547776.0在审
发明人：李延超;梁静;李来平;林小辉;高选乔;张新 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧掺杂纳米晶难熔金属高熵合金的制备方法，该氧掺杂纳米晶难熔金属高熵合金的化学式为TiZrNbMoReX，其中，X为0.1、0.2、0.3或0.4，该方法包括以下步骤：一、称取原料粉末在无惰性气体保护下高能球磨得到高熵合金粉末；二、将高熵合金粉末进行放电等离子烧结，随炉冷却后得到氧掺杂纳米晶难熔金属高熵合金；本发明还公开了上述方法制备的氧掺杂纳米晶难熔金属高熵合金本发明通过无惰性气体保护下高能球磨并控制高能球磨工艺参数，得到纳米尺寸的高熵合金粉末并引入氧，从而经烧结后得到的氧掺杂纳米晶难熔金属高熵合金晶粒尺寸小，成分均匀，致密性良好，强度高，塑性好。
一种掺杂纳米晶难熔金属合金及其制备方法

[发明专利]一种氮掺杂污泥炭载纳米四氧化三铁的制备方法及其应用-CN201910410648.9有效
发明人：庄海峰;平立凤;单胜道;张昌爱;唐浩杰;张进;方程冉 -专利权人：浙江科技学院
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C02F3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种以废弃物污水污泥为原料，通过水热和热解炭化，制备氮掺杂污泥炭载纳米四氧化三铁的方法及其强化废水厌氧处理工艺性能的应用。其步骤如下：脱水的污水污泥通过水热炭化进行氮源掺杂，高温热解制备生物炭过程通入氮气进行二次氮掺杂，最终制得氮掺杂污泥炭，通过铁盐共沉淀制得氮掺杂污泥炭载纳米四氧化三铁。本发明制备的炭材料具有高的比表面积和孔隙，有利于厌氧污泥颗粒化，并能提升厌氧污泥的导电性，促进厌氧降解的电子传递，强化难降解废水厌氧活性污泥的去除效能并促进甲烷产生。本发明炭材料成本低廉，性能高效稳定，不仅有效解决了废弃物污水污泥高附加值资源化利用，更提高了难降解废水厌氧处理工艺的性能。
一种掺杂污泥纳米氧化制备方法及其应用

[发明专利]JFET器件的制备方法、JFET器件及其版图结构-CN202010146282.1有效
发明人：蔡莹;金锋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本申请公开了一种JFET器件的制备方法、JFET器件及其版图结构，该方法包括：提供一衬底，衬底中形成有深N型阱，衬底上形成有场氧层；在衬底中形成P型阱，P型阱与场氧层的底部相交叠；在场氧层上形成第一栅场板、第二栅场板和第三栅场板；在衬底中形成第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区；在衬底中形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区。本申请通过在制备JFET器件的过程中，使P型阱向漏极扩张，包覆场氧层底部的部分区域，从而降低了靠近第一栅极的场氧层的电场强度，在一定程度上降低了在对场氧层进行减薄后的击穿风险，提高了JFET器件的可靠性
jfet 器件制备方法及其版图结构

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111490309.X在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：双极型晶体管包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域；薄栅氧层，所述薄栅氧层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧，且所述薄栅氧层覆盖所述掺杂区域。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]相对于掺杂的碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃的方法-CN200410007307.0有效
发明人： X·苏;B·M·殷;P·勒温哈德特 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：在衬底上形成掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层。在掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层上形成有机硅酸盐玻璃层。用有机硅酸盐玻璃与掺杂氧的碳化硅的选择率高于5∶1的蚀刻选择蚀刻有机硅酸盐玻璃层中的结构元件。
相对于掺杂碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN201811527705.3有效
发明人：邵光鹏 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过在薄膜封装结构中进行水氧吸附粒子掺杂，改善了薄膜封装结构隔绝水氧的效果。该显示面板包括薄膜封装结构，薄膜封装结构包括叠置的有机层和无机层，叠置的有机层和无机层中的至少一个膜层包括掺杂区，掺杂区包括水氧吸附粒子。
一种显示面板及其制备方法显示装置