专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]氧化纳米棒/铝层状双氢氧化物的物制备及应用-CN200810201188.0无效
  • 张青红;袁素珺;王宏志;李耀刚 - 东华大学
  • 2008-10-15 - 2009-03-25 - B01J20/08
  • 本发明涉及一种氧化纳米棒/铝层状双氢氧化物的制备方法及该复合物的应用,通过用共沉淀法制备得到的铝层状双氢氧化物,将洗涤后的层状双氢氧化物沉淀分散在水中,加入可溶性盐与尿素,升高温度,利用尿素水解产生的氨促进盐的水解得到离子的沉淀物沉淀物经洗涤和煅烧后,得到氧化纳米棒/铝复合氧化物。氧化纳米棒/铝复合氧化物经过可溶性碳酸盐浸泡后得到氧化纳米棒/铝层状双氢氧化物。氧化纳米棒/铝层状双氢氧化物和氧化纳米棒/铝复合氧化物对酸性红等阴离子染料分子有很强的吸附能力,吸附染料分子后经紫外光照射后染料分子被光催化分解,可作为吸附能力强的复合光催化剂。
  • 氧化锌纳米层状氢氧化物制备应用
  • [发明专利]以工业硫酸为原料制备纳米氧化和晶须氧化的方法-CN200910084446.6有效
  • 向兰;高国;史文涛;王博一;张立召 - 清华大学
  • 2009-05-18 - 2009-10-21 - C01G9/02
  • 本发明属于无机化工材料制备技术领域的以工业硫酸为原料制备纳米氧化和晶须氧化的方法。该方法以含锰和杂质的模拟工业硫酸溶液为原料,首先采用氧化法除锰,中性络合溶-沉方式分离,由此制备出纳米盐前驱体,然后,用水热定向生长法制备形貌规则的晶须氧化,或者用焙烧法制备高纯纳米氧化本发明与现有湿法冶金工艺对接良好,过程清洁简单,除杂效果好,总收率高,成本低廉,产品性能优越,附加值高,易于工业推广。利用本发明制备的纳米氧化和晶须氧化形貌规则、粒径均一,可作为功能填料或增强材料用于合金、树脂、橡胶、陶瓷、塑料、涂料、电子等领域。
  • 工业硫酸锌原料制备纳米氧化锌方法
  • [发明专利]溶液组合物、膜层和发光二极管-CN202011616819.2在审
  • 姚振垒 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2020-12-30 - 2022-07-01 - H01L51/50
  • 本申请提供的溶液组合物包括:掺杂氧化、乙醇和卤代烃。该溶液组合物以卤代烃为稳定性添加剂与掺杂氧化和乙醇混合,由于卤代烃的卤原子的孤对电子可以与具有空轨道的Zn原子相互作用而使得卤代烃与掺杂氧化结合形成配合物,可有效防止溶解在乙醇中的掺杂氧化溶胶颗粒聚集,提高了掺杂氧化‑乙醇溶液在常温下的稳定性,使得本申请提供的溶液组合物在常温下具有较长的保存时间。
  • 溶液组合发光二极管
  • [发明专利]一种高透过率掺杂氧化薄膜及其制法与应用-CN202310326040.4在审
  • 袁妍妍;张琳 - 江苏科技大学
  • 2023-03-29 - 2023-06-27 - H01L31/0296
  • 本发明公开了一种高透过率掺杂氧化薄膜,其分子式为Zn1‑xMgxO,其中,x为0.16~0.24。本发明还公开了该薄膜的制备方法,包括以下步骤:配制前驱体溶液;进行恒温回流搅拌;将溶液封存静置48~60h;对衬底进行清洗,吹干;采用动静结合旋涂法,在步骤四所得衬底上滴满掺杂氧化溶胶;预热处理消除多余的有机溶剂;循环镀膜得到适量厚度的掺杂氧化薄膜;退火。本发明公开了一种高透过率掺杂氧化薄膜在铜锡硫薄膜太阳电池缓冲层中的应用。本发明所得掺杂氧化薄膜为单相六方纤锌矿结构,无二次相析出,薄膜表面均匀致密,应用到铜锡硫薄膜太阳电池缓冲层中能够大大减少漏电流的产生。
  • 一种透过掺杂氧化锌薄膜及其制法应用
  • [发明专利]一种激光二极管-CN201310064214.0有效
  • 童小春 - 溧阳市宏达电机有限公司
  • 2013-02-28 - 2013-06-26 - H01S5/327
  • 本发明公开了一种采用砷共掺杂p型氧化薄膜的激光二极管,该激光二极管的结构为:n型氧化镍薄膜,其形成在蓝宝石衬底的上表面上;砷共掺杂p型氧化薄膜,其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上,以及底电极,其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上,顶电极,其形成在所述砷共掺杂p型氧化薄膜的上表面上。
  • 一种激光二极管

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