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[发明专利]半导体结构及金属氧化物半导体元件-CN200710136601.5有效
发明人：蔡邦彥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及金属氧化物半导体元件，该半导体结构包括一第一复合层、一第二复合层和一第三复合层。第一复合层包括一元素和一第一掺杂物，其中第一掺杂物具有第一掺杂物浓度；第二复合层包括该元素和一第二掺杂物，其中第二掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第二掺杂物具有第二掺杂物浓度且位于第一复合层上；第三复合层包括该元素和第三掺杂物，其中第三掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第三掺杂物具有第三掺杂物浓度；第三复合层位于第二复合层上，且第二掺杂物浓度大体上低于第一掺杂物浓度和第三掺杂物浓度
半导体结构金属氧化物元件

[发明专利]一种绝缘栅场效应管及其制造方法-CN202211302566.0在审
发明人：盛况;王宝柱;王珩宇;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种绝缘栅场效应管及其制造方法，该绝缘栅场效应管包括：复合衬底，具有第一掺杂特性；第一外延层，具有第二掺杂特性，位于复合衬底的一侧；掺杂层，位于第一外延层背离复合衬底的一侧，掺杂层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区具有第一掺杂特性，第二掺杂区具有第二掺杂特性；栅极，贯穿第一外延层并延伸入复合衬底，栅极位于第一掺杂区背离第二掺杂区的一侧；绝缘层，位于栅极与第一外延层之间并位于栅极与复合衬底之间；以及介电层，位于栅极与复合衬底之间且位于栅极与绝缘层之间，以具有较高的可靠性。
一种绝缘场效应及其制造方法

[发明专利]一种掺杂的类石墨复合薄膜及其制备方法、含有掺杂的类石墨复合薄膜的部件-CN201910979180.5在审
发明人：蔡海潮;薛玉君;叶军;司东宏;李航;贺江涛;杨芳;刘春阳;马喜强 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂的类石墨复合薄膜及其制备方法、含有掺杂的类石墨复合薄膜的部件，该掺杂的类石墨复合薄膜由掺杂元素和类石墨组成，掺杂元素为铈和铝；掺杂元素铈的质量百分比为6.47‑13.49%，掺杂元素铝的质量百分比为本发明掺杂的类石墨复合薄膜力学性能得到了增强，继而表现出优异的耐磨损性能；该铈和铝共掺杂的类石墨复合薄膜的结晶强度较高，硬度和弹性模量均提高10%以上。
石墨复合薄膜掺杂元素掺杂的质量百分比弹性模量耐磨损性能力学性能共掺杂制备表现

[发明专利]CVD石墨烯复合型掺杂结构及其制备方法-CN201711469778.7有效
发明人：徐鑫;姜浩;马金鑫 -专利权人：重庆墨希科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够实现石墨烯高效掺杂，并且保证长效掺杂效果的CVD石墨烯复合型掺杂结构及其制备方法。所述CVD石墨烯复合型掺杂结构，包括从上至下依次设置的CVD石墨烯层、复合掺杂层、封装层、目标衬底层；制备方法包括以下步骤：S1.在催化衬底上生成具有二维连续结构的石墨烯层；S2.对步骤S1所述石墨烯层进行活化处理得到CVD石墨烯层；S3.在步骤S2所述的CVD石墨烯层上形成复合掺杂层；S4.在步骤S3所述复合掺杂层上形成封装层；S5.分离催化衬底，得到活化石墨烯层/掺杂层/封装层的复合结构；S6.将步骤S5得到的复合结构放置到目标基底上，得到CVD石墨烯复合型掺杂结构。采用该CVD石墨烯复合型掺杂结构及其制备方法，能够获得稳定长效的掺杂效果。
cvd 石墨复合型掺杂结构及其制备方法

[发明专利]中空锌掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳复合材料及其制备-CN201810899581.5在审
发明人：刘天西;赖飞立;莫璐璐;缪月娥;冯鉴睿 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种中空锌掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳复合材料及其制备方法。所述的中空锌掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳复合材料，其特征在于，包括中空氮掺杂碳复合材料，所述的中空氮掺杂碳复合材料外包覆有锌掺杂氧化钴镍。本发明采用协同增强策略制备的锌掺杂的氧化钴镍中空氮掺杂碳多面体复合材料具有小尺寸、大比表面积、高导电性、结构稳定等优点，可用作理想的高性能催化剂材料，可被用于电催化析氢领域。
氮掺杂中空碳复合材料锌掺杂氧化钴镍包制备高性能催化剂电催化析氢高导电性结构稳定复合材料多面体外包覆可用协同

[发明专利]钨掺杂钛基复合多孔材料及其制备方法-CN202010675244.5有效
发明人：宋滨娜;曹健;章顺虎;仲兆准;宋志轩;潘春鑫;吴芃睿;庞博 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨掺杂钛基复合多孔材料及其制备方法。本发明公开了W在制备钨掺杂钛基复合多孔材料中的应用，在制备钨掺杂钛基复合多孔材料时，在其中掺杂少量微纳尺寸的W，可提高其致密度、显著提高基体硬度和耐磨性。钨掺杂钛基复合多孔材料中分布有多个三维多孔结构，多个三维多孔结构组成拓扑结构或随机结构，钨掺杂钛基复合多孔材料包括Ti、TiC和W，其中钨金属占钨掺杂钛基复合多孔材料质量分数的3％以下。钨掺杂钛基复合多孔材料通过墨水直写成型增材制造的方法或添加造孔剂结合放电等离子烧结的方法实现。
掺杂复合多孔材料及其制备方法

[发明专利]一种掺杂的硫化物复合薄膜及其制备方法、含有掺杂的硫化物复合薄膜的工件-CN201910979197.0有效
发明人：薛玉君;蔡海潮;李航;司东宏;贺江涛;刘春阳;杨芳;马喜强 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂的硫化物复合薄膜及其制备方法、含有掺杂的硫化物复合薄膜的工件，该掺杂的硫化物复合薄膜由掺杂元素和硫化物组成，掺杂元素为Ce和Al，硫化物为WS2或MoS2；掺杂元素Ce的质量百分比为6.11‑14.27%，掺杂元素Al的质量百分比为1.13‑10.26%，余量为硫化物。本发明掺杂的硫化物复合薄膜力学性能得到了增强，继而表现出优异的耐磨损性能；该Ce和Al共掺杂的硫化物基复合薄膜的结晶强度较高，硬度和弹性模量均提高300%以上。
一种掺杂硫化物复合薄膜及其制备方法含有工件

[发明专利]掺杂复合结构硅量子点及其制备方法和应用-CN202011189084.X有效
发明人：郑灵浪;高志飞;谢浩 -专利权人：宁波革鑫新能源科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂复合结构硅量子点及其制备方法与应用。所述掺杂复合结构硅量子点制备方法包括如下步骤：将硅的无机氧化物粉体和硼粉体在含有还原性气体的环境中进行等离子处理，将部分所述硅的无机氧化物还原反应，然后冷却处理，生成掺杂复合结构硅量子点。所述掺杂复合结构硅量子点包括核体和包覆于所述核体的壳层，且所述核体的材料为掺硼硅晶体，所述壳层的材料为二氧化硅。所述掺杂复合结构硅量子点的制备方法能够一步生成掺杂复合结构硅量子点，提高了生产效率，降低了生成成本。由于本发明制备方法条件易控，能够保证生成的掺杂复合结构硅量子点发光性能稳定，而且生成的掺杂复合结构硅量子点粒径小，颗粒均匀，且为核壳的复合结构。
掺杂复合结构量子及其制备方法应用

[发明专利]一种用于高性能钾硫电池正极N掺杂Co纳米团簇/N掺杂多孔碳/S复合材料的制备方法-CN202010009648.0有效
发明人：尹龙卫;葛晓丽;张志薇;王朋;张鹏;苗显光;王慧洋 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种用于高性能钾硫电池正极的N掺杂Co纳米团簇/N掺杂多孔碳/S复合材料的制备方法。本发明利用ZIF‑67为起始原料，经低温长时间、阶段性碳化，酸的水溶液浸泡获得N掺杂Co纳米颗粒/N掺杂多孔碳复合材料；所得N掺杂Co纳米颗粒/N掺杂多孔碳复合材料与硫复合，获得N掺杂Co纳米团簇/N掺杂多孔碳/S复合材料。
一种用于性能电池正极掺杂 co 纳米多孔复合材料制备方法

[发明专利]掺杂氮化硼复合材料及其制备方法和应用-CN201510708906.3在审
发明人：孙蓉;么依民;曾小亮 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂氮化硼复合材料及其制备方法和应用。本发明掺杂氮化硼复合材料包括互相掺杂的氧化石墨烯和氮化硼，且所述氧化石墨烯与氮化硼的质量比为(0.01-0.1)：(0.9-0.99)。本发明掺杂氮化硼复合材料通过氧化石墨烯和氮化硼互相掺杂，使得掺杂氮化硼复合材料具有优异的热导率，而且其性能稳定。本发明掺杂氮化硼复合材料的制备方法反应条件温和，使得制备的掺杂氮化硼复合材料不仅具有优异的导热性能，而且能保证制备出的掺杂氮化硼复合材料性能稳定。
掺杂氮化复合材料及其制备方法应用

[发明专利]纳米无机物掺杂的全氟磺酸复合膜的制备方法-CN200810136928.7无效
发明人：赵辉;霍丽华;赵红;孙丽萍;李强;高山 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2008-08-15 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： C08J5/22 文献下载
摘要：纳米无机物掺杂的全氟磺酸复合膜的制备方法，它涉及无机物掺杂的全氟磺酸复合膜的制备方法。它解决了现有无机物掺杂的全氟磺酸复合膜的制备方法中制备出的复合膜存在稳定性差的问题。本发明第一种方法按照如下步骤进行：一、全氟磺酸膜的预处理；二、掺杂纳米无机物；即得到纳米无机物掺杂的全氟磺酸复合膜。本发明第二种方法按照如下步骤进行：一、全氟磺酸膜的预处理；二、掺杂纳米无机物；即得到纳米无机物掺杂的全氟磺酸复合膜。本发明第三种方法按照如下步骤进行：一、全氟磺酸膜的预处理；二、掺杂纳米无机物；即得到纳米无机物掺杂的全氟磺酸复合膜。本发明制备出的复合膜热稳定性、酸稳定性和综合指标好，电导率高。
纳米无机物掺杂全氟磺酸复合制备方法

[发明专利]热塑复合材料的焊接方法-CN201810707106.3在审
发明人：焦俊科;王强;王飞亚;昝少平;张文武 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C08L77/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纤维热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂，属于复合材料连接固定技术领域。该掺杂树脂包括基体材料和掺杂材料，所述基体材料为透明的热塑性树脂，所述掺杂材料为能够吸收光能转换为热能的有色颗粒，所述掺杂材料在所述掺杂树脂中的体积百分比为0.01％‑1％。该掺杂树脂可用做碳纤维热塑复合材料焊接的填充树脂，在焊接时，于待焊接的碳纤维热塑复合材料之间填充一层上述掺杂树脂，并以激光照射该掺杂树脂，激光束在此掺杂树脂内部传输，被该掺杂树脂吸收形成一条热源带，对该填充用的掺杂树脂和碳纤维热塑复合材料的基体树脂进行加热
树脂掺杂热塑复合材料焊接掺杂材料碳纤维基体材料填充复合材料连接固定技术领域外部压力作用热塑性树脂体积百分比光能转换基体树脂激光照射树脂材料树脂吸收填充树脂种碳纤维激光束熔融态透明的热源可用加热凝固融化传输扩散流动吸收

[发明专利]一种元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料及其制备方法和应用-CN202110177595.8在审
发明人：薛孟尧;王凯锋;胥鑫;霍林智;曹新龙;宋骞 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料及其制备方法和应用，属于锂离子电池技术领域。所述元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料包括元素掺杂氧化亚硅和包覆碳层，以元素掺杂氧化亚硅为内核、以包覆碳层为外壳构成核壳结构。所述元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料的制备方法包括以掺杂源、硅和二氧化硅为原料制得元素掺杂氧化亚硅，将粉碎的元素掺杂氧化亚硅通过气相沉积包覆碳层制得元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料。本发明解决了元素掺杂不均匀且掺杂浓度低的缺点，通过本发明制得的元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料具有高倍率、长循环的优点，因此能够应用于锂离子电池负极材料。
一种元素掺杂氧化复合材料及其制备方法应用

[发明专利]热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂-CN201610254547.3有效
发明人：焦俊科;王强;王飞亚;昝少平;张文武 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C08L77/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纤维热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂，属于复合材料连接固定技术领域。该掺杂树脂包括基体材料和掺杂材料，所述基体材料为透明的热塑性树脂，所述掺杂材料为能够吸收光能转换为热能的有色颗粒，所述掺杂材料在所述掺杂树脂中的体积百分比为0.01％‑1％。该掺杂树脂可用做碳纤维热塑复合材料焊接的填充树脂，在焊接时，于待焊接的碳纤维热塑复合材料之间填充一层上述掺杂树脂，并以激光照射该掺杂树脂，激光束在此掺杂树脂内部传输，被该掺杂树脂吸收形成一条热源带，对该填充用的掺杂树脂和碳纤维热塑复合材料的基体树脂进行加热
树脂掺杂热塑复合材料焊接掺杂材料碳纤维基体材料填充复合材料连接固定技术领域外部压力作用热塑性树脂体积百分比光能转换基体树脂激光照射树脂材料树脂吸收填充树脂种碳纤维激光束熔融态透明的热源可用加热凝固融化传输扩散吸收流动

[发明专利]一种掺杂复合氧化物包覆云母珠光复合颜料及制备方法-CN201410023140.0有效
发明人：叶明泉;刘春兰;韩爱军;陈昕;李志涛 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2014-01-18 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C09C1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂复合氧化物包覆云母珠光复合颜料及制备方法。采用沉淀法，以云母为基底，调节云母浆pH为2，水浴加热，同时搅拌滴加钛、钴及掺杂金属M的酸性溶液和碱性溶液，然后调节pH至9-10，过滤洗涤干燥，在1000℃煅烧得到具有柔和珍珠光泽复合颜料。该颜料表面是纳米级Co_2-xM_xTiO₄复合氧化物粒子，复合颜料的亮度及色相值随掺杂金属M种类、用量及包覆率而变化，掺杂Ni²⁺，Zn²⁺，Mg²⁺复合颜料为黄绿色，亮度提高，亮度随掺杂量增加而增加；掺杂镍复合颜料，掺杂量相同，随包覆率增加，亮度及黄相值降低，颜色变深。掺杂Cu²⁺、Mn²⁺复合颜料，绿相值a和黄相值b明显降低，颜料色相转深，掺杂铜呈现深绿色，掺杂锰呈现褐绿色。
一种掺杂复合氧化物云母珠光颜料制备方法

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