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[发明专利]一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法与应用-CN202010613663.6有效
发明人：靳婉琪;耶夫亨·布勒琴科;王超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法与应用，所述掺杂稀土元素的碳化硅粉料包含碳化硅晶相和稀土元素的硅化物，所述稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中。所述稀土元素的硅化物在碳化硅晶相中的掺杂浓度为0.001～5wt％。本申请掺杂稀土元素的碳化硅粉料中，稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中，使得稀土元素在碳化硅粉中均匀掺杂，长晶时，稀土元素会随着碳化硅粉的升华被逐步释放，实现稀土元素在时间和空间上的均匀掺杂，从而有效抑制了晶体中多型缺陷的产生；且选用纯度较高的稀土元素的氧化物获得稀土元素的硅化物，极大地降低了掺杂稀土元素的碳化硅粉料的生产成本，且提高了产品纯度。
一种掺杂稀土元素碳化硅料及制备方法应用

[发明专利]一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法-CN202010615817.5有效
发明人：靳婉琪;耶夫亨·布勒琴科;王超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料的制备方法，所述制备方法包括下述步骤：(1)将含稀土元素物质与高纯硅粉进行高温反应，得到稀土元素的硅化物；(2)将所述稀土元素的硅化物、高纯硅粉和高纯碳粉进行合成反应，得到掺杂稀土元素的高纯碳化硅粉料；所述稀土元素选自铈、镧、镨、钕、钪和钇中的至少一种。本申请方法利用含稀土元素物质，得到掺杂稀土元素的碳化硅粉料，所述稀土元素部分包覆在碳化硅粉料表面，部分进入到碳化硅粉料的晶格中，提高了稀土元素在碳化硅粉料中的分布均匀性；本申请的制备方法简单，条件易控制，制得的掺杂稀土元素的碳化硅粉料不仅稀土元素掺杂均匀，且纯度较高。
一种掺杂稀土元素碳化硅料及制备方法

[发明专利]一种制造稀土元素掺杂光纤预制棒的方法-CN201010606653.6有效
发明人：姚爽;冯高锋;吴钧;张立永 -专利权人：富通集团有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造大尺寸稀土元素掺杂光纤预制棒的方法，其采用VAD法沉积稀土元素掺杂光纤预制棒的积粉体芯层，将制得的芯层积粉体浸泡在含有稀土元素和共掺质的混合溶液中，再将芯层积粉体在高温炉中玻璃化制成稀土元素掺杂光纤预制棒的芯层；在稀土元素掺杂光纤预制棒的芯层外由包层积粉体形成包围在芯层外的被玻璃化的光纤预制棒的包层，或用玻璃管套制在稀土元素掺杂光纤预制棒芯层外作为稀土元素掺杂光纤预制棒的包层。本发明解决了目前国内生产石英套管的技术无法满足稀土元素掺杂光纤预制棒制造要求的情况下，较快地制造较大芯包比的稀土元素掺杂光纤预制棒的问题，并且使制得的稀土元素掺杂光纤预制棒满足大尺寸低成本生产的要求。
一种制造稀土元素掺杂光纤预制方法

[发明专利]一种稀土元素共掺杂纳米二氧化钛光触媒的制备方法-CN201610393221.9有效
发明人：吕浩然 -专利权人：吕浩然
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土元素共掺杂纳米二氧化钛光触媒的制备方法，本发明通过将稀土元素嵌入到自掺杂的二氧化钛中，得到一定形貌的稀土元素共掺杂纳米二氧化钛光触媒，这种制备方法相对简单，成本低廉，利用稀土元素及二氧化钛本身特有的光电特性，制备得到的稀土元素共掺杂纳米二氧化钛光触媒，具有掺杂可控，分散性好，高效储能，催化活性高等特点。本发明的目的是旨在提供一种制备方法简单，成本低廉，以自掺杂黑色二氧化钛为基础，以稀土元素共掺杂为定制目标，具有高催化活性的稀土元素共掺杂纳米二氧化钛光触媒的制备方法。
一种稀土元素掺杂纳米氧化触媒制备方法

[发明专利]一种稀土元素掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法-CN201210536083.7有效
发明人：赵斌;陈超;林琳;曾琦琪;何丹农 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土元素掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法。该方法是将尿素和稀土元素硝酸盐加入到无水乙醇中溶解，之后将液相钛源加入到上述溶液中，形成均相溶液。然后边搅拌边加入去离子水，形成透明凝胶。将上述凝胶进行水热处理，之后洗涤过滤干燥，得到稀土元素掺杂二氧化钛纳米材料。通过水热过程中尿素缓慢分解对反应体系进行酸碱度的自行调控，实现稀土元素对二氧化钛掺杂的目的。该制备方法工艺和流程简便，参数可调范围宽，可重复性强，成本低，可以制备不同稀土元素掺杂以及多种稀土元素共掺杂二氧化钛纳米材料。
一种稀土元素掺杂氧化纳米材料制备方法

[发明专利]发光二极管器件及用于生产其的包括转换材料化学的方法-CN201380018665.9有效
发明人：托马斯·L·埃文斯;克里斯托弗·卢克·海因 -专利权人：沙特基础全球技术有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：涂覆的转换材料选自涂覆的转换材料、涂覆的掺杂有稀土元素的钇铝石榴石(YAG)、涂覆的掺杂有稀土元素的铽铝石榴石、涂覆的掺杂有稀土元素的硅酸盐(BOSE)、涂覆的掺杂有稀土元素的次氮基硅酸盐、涂覆的掺杂有稀土元素的氮化物正硅酸盐、涂覆的掺杂有稀土元素的氧合次氮基铝硅酸盐、以及包含上述中的至少一种的组合。
发光二极管器件用于生产包括转换材料化学方法

[发明专利]基于离子质量差降低陶瓷材料热导率的稀土元素选择方法-CN202210931875.8在审
发明人：马文;张鹏;董红英;白玉;闫淑芳;李杨扬;张辰楠;齐英伟 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于离子质量差降低陶瓷材料热导率的稀土元素选择方法，包括如下步骤：步骤一，推导出掺杂后晶体声子驰豫时间表达式；步骤二，根据所述声子弛豫时间表达式中，求得掺入每种稀土元素后晶体的声子驰豫时间；步骤三，将求得的所有声子弛豫时间排序,得到最低声子驰豫时间对应的稀土元素，即为可以最有效降低该晶体热导率的稀土元素；本发明为从严格的理论推导上给出了可执行的稀土元素掺杂陶瓷材料降低热导率的稀土元素选择方法，易于操作，且经济成本低，能够有效的降低稀土元素掺杂陶瓷材料的研发成本，缩短研发周期。
基于离子质量降低陶瓷材料热导率稀土元素选择方法

[发明专利]稀土掺杂Mg₂Si基热电材料-CN200710194323.9无效
发明人：赵新兵;张倩;朱铁军;殷浩 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂Mg₂Si基热电材料。是利用稀土进行掺杂来提高材料的热电性能。在熔炼时直接加入稀土，然后将熔炼好的材料机械球磨后热压，得到Mg_2－xSiRE_x的块状热电材料，其中RE表示稀土元素，x＝0.002～0.01。本发明的稀土掺杂的Mg₂Si基热电材料的热电性能优于未掺杂的Mg₂Si热电材料，掺杂的稀土元素包括重稀土和轻稀土，其机理是稀土元素具有和碱土金属类似的性质，当稀土元素加入后，容易取代Mg位，作为施主掺杂，提高载流子浓度，从而提高材料的热电性能。
稀土掺杂 mg sub si 热电材料

[发明专利]确定AgSnO2触头材料中掺杂的稀土元素及其配比的方法-CN201610702358.8有效
发明人：王景芹;赵彩甜;蔡亚楠;李若寒;关家祥 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2016-08-20 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明确定AgSnO2触头材料中掺杂的稀土元素及其配比的方法，涉及包含氧化物的贵金属作为基底材料的触点，利用计算机，通过第一性原理计算，确定AgSnO2触头材料中，使得SnO2导电性最好的掺杂稀土元素为La，通过导电性的强弱判断出AgSnO2触头材料中最佳的稀土元素La掺杂配比为16.67％，并通过实验验证了上述最佳掺杂稀土元素及最佳掺杂配比。本发明方法克服了现有技术用尝试性实验方法来确定触头材料中的最佳掺杂稀土元素及其最佳掺杂配比所存在的耗费时间长、成本高和存在不确定性因素的缺陷。
确定 agsno sub 材料掺杂稀土元素及其配比方法

[发明专利]一种稀土元素离子掺杂钛酸纳米管的制备方法-CN201010537964.1无效
发明人：刘国光;刘海津;谢友海;吕文英;汪应灵 -专利权人：河南师范大学;广东工业大学
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土元素离子掺杂钛酸纳米管的制备方法。本发明涉及一种离子交换掺杂。本发明的目的是提供一种可见光活性高的稀土元素离子掺杂钛酸纳米管的制备方法。本发明实现发明目的所采用的技术方案是，一种稀土元素离子掺杂钛酸纳米管的制备方法，包括水热法制备钛酸纳米管的方法，（1）取1质量份的钛酸纳米管放入含有稀土元素离子水溶液中，在室温下搅拌达到离子交换平衡后，用去离子水清洗，干燥去除水分，所述稀土元素离子溶液的浓度为0.01-0.5M，（2）将上述工步（1）制备的掺杂钛酸纳米管在300-1000℃进行煅烧，制成稀土元素离子掺杂钛酸纳米管。本发明用于钛酸纳米管的掺杂。
一种稀土元素离子掺杂纳米制备方法

[发明专利]光纤激光器装置-CN202010368078.4在审
发明人：长谷川和男;井上大介;加藤觉;冈崎朋也;斋藤和也;阿林丹·哈德 -专利权人：丰田自动车株式会社;学校法人丰田学园
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：第一光纤连接至掺杂有稀土元素的第三光纤的第一端，而第二光纤连接至第三光纤的第二端。在该掺杂有稀土元素的第三光纤中，芯的中心部分比芯的外周部分更重掺杂有该稀土元素。
光纤激光器装置

[发明专利]一种提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能的方法-CN201910939492.3有效
发明人：林大斌;苏勇铭;周顺;刘卫国;蔡长龙;张德强 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C04B35/497 文献下载
摘要：现有铁电薄膜介电和热释电性能不高，通过A/B位掺杂改性的方式提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能。本发明依次包括下述步骤：一、制备PMN‑PT前驱体溶液：二、利用稀土元素制备均匀掺杂稀土元素的PMN‑PT前驱体溶液；三、将掺杂稀土元素PMN‑PT前驱体溶液在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上旋涂均匀，薄膜退火结晶得到掺杂稀土元素PMN‑PT薄膜。本发明通过稀土元素掺杂，显著提高驰豫铁电PMN‑PT薄膜介电和热释电性能。
一种提高弛豫铁电薄膜热释电性能方法

[发明专利]一种梯度掺杂的激光透明陶瓷及其制备方法-CN201710354066.4有效
发明人：张迎春;万秀娟;王曼;刘杨;董金权;丁佑琦;李顺利;裴钊 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种梯度掺杂稀土元素的激光透明陶瓷及其制备方法，充分利用注浆成型方法的特性，结合真空烧结，制备出具有梯度掺杂稀土元素的激光透明陶瓷，实现了激光透明陶瓷在梯度方向上具有从0.1at%~6at%的梯度稀土离子浓度。本发明的梯度掺杂稀土元素的激光透明陶瓷，相比于相同规格的高浓度掺杂稀土元素的激光透明陶瓷具有更好的透明度，相比于相同规格的低浓度掺杂稀土元素的激光透明陶瓷具有更好的光谱性能，同时具有更均匀的激光输出；其制备方法可以制备各种复杂形状的梯度掺杂激光透明陶瓷
一种梯度掺杂激光透明陶瓷及其制备方法

[发明专利]基于离子体积差降低陶瓷材料热导率的稀土元素选择方法-CN202210931874.3在审
发明人：马文;张鹏;白玉;董红英;刘红霞;张辰楠;李杨扬;齐英伟 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N25/18 文献下载
摘要：本发明公开了基于离子体积差降低陶瓷材料热导率的稀土元素选择方法，包括如下步骤：步骤一，以晶格动力学和玻尔兹曼输运方程为基础，根据陶瓷材料掺杂后掺杂离子和宿主离子的体积差会造成声子散射的原理，推导出掺杂后晶体声子驰豫时间表达式；步骤二，根据所述声子弛豫时间表达式求得掺入每种稀土元素后晶体的声子驰豫时间；步骤三，求得的所有声子弛豫时间中最低声子驰豫时间对应的稀土元素即为可以最有效降低该晶体热导率的稀土元素；本发明从严格的理论推导上给出了可执行的稀土元素掺杂陶瓷材料降低热导率的稀土元素选择方法
基于离子体积降低陶瓷材料热导率稀土元素选择方法

[发明专利]一种稀土元素掺杂包覆层的三元正极材料及其制备方法-CN202310844203.8在审
发明人：韩枫;孙洪旭;张骁;申兰耀;武斌;杨新河;周恒辉 -专利权人：青海泰丰先行锂能科技有限公司;北京泰丰先行新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提出一种稀土元素掺杂包覆层的三元正极材料及其制备方法，属于锂离子电池技术领域，该三元正极材料包括以金属元素M掺杂的三元正极材料内核，在内核外包裹一层由稀土元素掺杂的二氧化钛包覆层。本发明使用原子层沉积技术在三元正极材料表面包覆了由稀土元素掺杂修饰的二氧化钛包覆层，在原子层沉积过程中采用二氧化钛与稀土元素夹心式沉积，可以使稀土元素均匀地掺杂进二氧化钛包覆层，并使部分稀土元素在三元正极材料内核表面进行表面掺杂
一种稀土元素掺杂覆层三元正极材料及其制备方法

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