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[发明专利]一种氧化铝薄膜及其制备方法和应用-CN201811361781.1有效
发明人：刘志强;袁中存;费正洪 -专利权人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化铝薄膜及其制备方法和应用，所述氧化铝薄膜包括底层氧化铝薄膜和外层氧化铝薄膜，所述制备方法具体包括以下步骤：设定原子层沉积系统的反应腔体温度，水相对于三甲基铝过量，利用原子层沉积法，得到底层氧化铝薄膜；重新设定原子层沉积系统的反应腔体温度，三甲基铝相对于水过量，利用原子层沉积法，在底层氧化铝薄膜上得到外层氧化铝薄膜，从而得到所述氧化铝薄膜。本发明的制备方法制备得到的氧化铝薄膜具有双层结构，底层膜含有大量‑OH基团，在高温处理过程中，释放出H钝化硅片表面的悬挂键。外层氧化铝薄膜含有较少‑OH基团，不会在高温处理过程中释放太多的H2，不会造成钝化膜层的损坏。
一种氧化铝薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层及其制备方法-CN202211703233.9在审
发明人：张梅菊;刘德峰;黄漫国;梁晓波;张丛春;闫博;高云端;吴怀昊 -专利权人：中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;北京长城航空测控技术研究所有限公司;北京瑞赛长城航空测控技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01B17/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层及其制备方法。所述绝缘层是在异形金属基底(1)的需要探测的区域上原位制备的，所述绝缘层包括位于所述异形金属基底(1)上的保形氧化铝薄膜层(2)，和位于保形氧化铝薄膜层(2)上的致密氧化铝薄膜层(3)，其中保形氧化铝薄膜层(2)覆盖的区域大于致密氧化铝薄膜层(3)覆盖的区域。保形氧化铝薄膜层具有保形成膜的效果，可避免由于异形金属基底的表面起伏导致的绝缘层不连续的情况，提供可靠的绝缘性；致密氧化铝薄膜层，能够填充保形氧化铝薄膜层的缺陷，提高传感器芯片检测区域的绝缘可靠性。
一种异形金属基底原位传感器芯片绝缘及其制备方法

[实用新型]自动平板式PECVD氧化铝与氮化硅叠层薄膜制备系统-CN201720724767.8有效
发明人：傅林坚;石刚;洪昀;祝广辉;王伟星;吴威;高振波 -专利权人：绍兴上虞晶信机电科技有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜制备装置，旨在提供自动平板式PECVD氧化铝与氮化硅叠层薄膜制备系统。该种自动平板式PECVD氧化铝与氮化硅叠层薄膜制备系统包括预热腔、氧化铝工艺腔、缓冲腔、氮化硅工艺腔、卸料腔，用于对电池片镀氧化铝和氮化硅叠层薄膜。本实用新型能够在太阳能电池片表面镀氧化铝和氮化硅叠层薄膜，氧化铝薄膜能够对电池片起到钝化的作用，氮化硅薄膜能够起到减反的作用，不仅能大幅度的提高产能，并且叠层薄膜能够在一定程度上提高电池片的转换效率。
自动平板 pecvd 氧化铝氮化硅叠层薄膜制备系统

[发明专利]一种透明高阻隔聚酯镀氧化铝薄膜及其制备方法-CN202111091721.4有效
发明人：林善华;陈永群;魏国华;王伟华 -专利权人：佛山市彩龙镀膜包装材料有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C08J7/043 文献下载
摘要：本申请涉及镀铝膜领域，具体公开了一种透明高阻隔聚酯镀氧化铝薄膜及其制备方法。一种透明高阻隔聚酯镀氧化铝薄膜，包括依次设置的基材、聚氨酯底涂层、氧化铝层和聚氨酯面涂层，所述聚氨酯底涂层的厚度和聚氨酯面涂层的厚度均为8~15μm，所述氧化铝层的厚度为80~140埃，所述聚氨酯底涂层由聚氨酯涂液干燥而成其制备方法为：S1.在基材聚氨酯底涂层，得到底涂薄膜；S2.在聚氨酯底涂层上形成氧化铝层，得到初镀薄膜；S3.在氧化铝层上形成聚氨酯面涂层，熟化，得到透明高阻隔聚酯镀氧化铝薄膜。本申请的镀氧化铝薄膜具有良好耐蒸煮性和阻隔性的优点。
一种透明阻隔聚酯氧化铝薄膜及其制备方法

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法-CN201910435265.7有效
发明人：彭钊 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制备方法，该方法通过在形成有薄膜晶体管的衬底基板表面形成一层烷基铝材料液；该烷基铝材料液与水蒸气发生化学反应，生成羟基氧化铝以及烷基气体，羟基氧化铝附着于衬底基板上形成羟基氧化铝薄膜，烷基气体经由反应室的抽气系统排出；之后在羟基氧化铝薄膜上形成氮化硅薄膜，从而形成羟基氧化铝薄膜与氮化硅薄膜复合结构的钝化层。本申请采用羟基氧化铝薄膜代替常规钝化层中的二氧化硅薄膜，从而较低能耗及成本，且能够解决H元素进入铟镓锌氧化物半导体层内影响器件性能的问题。
一种阵列及其制备方法

[发明专利]一种Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法-CN201710213902.7有效
发明人：岂云开;杨淑敏;顾建军 -专利权人：河北民族师范学院
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C25D11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法，所述Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜包括Co纳米层、Co纳米线和多孔氧化铝薄膜，所述Co纳米层位于所述多孔氧化铝薄膜的表面，所述Co纳米线位于所述多孔氧化铝薄膜的孔洞中，所述Co纳米层厚度、Co纳米线长度及Co纳米线的分布密度均从薄膜一端至另一端递减。本发明提供的Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜具有高饱和度虹彩渐变结构色和渐变的磁性，并且其制备方法简单，成本较低，在防伪、绘画、装饰、化妆品、显像技术、染料敏化和太阳能电池等领域具有广阔的用途
一种 co 纳米多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法

[实用新型]一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池-CN201821819470.0有效
发明人：袁声召;崔艳峰;万义茂;黄强;林海峰 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳电池技术领域，尤其是一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池；包括衬底，衬底采用P型单晶硅片，衬底的背面包括发射结区域和背场区域，发射结区域外有一层隧穿氧化层，隧穿氧化层外有一层多晶硅薄膜层，背场区域和多晶硅薄膜层外有一层背面氧化铝薄膜层，衬底的正面有一层正面氧化铝薄膜层，背面氧化铝薄膜层和正面氧化铝薄膜层外分别有一层背面氮化硅薄膜层和正面氮化硅薄膜层，背场区域有烧结铝浆层，烧结铝浆层穿过氧化铝薄膜层和氮化硅薄膜层渗透至衬底中，发射结区域有银浆烧结层，银浆烧结层穿过氮化硅薄膜层和氧化铝薄膜层；本实用新型的全背电极太阳电池效率高，银浆用量少，且无硼扩散等昂贵工艺，电池生产成本低。
氧化铝薄膜层衬底氮化硅薄膜层背面背电极发射结背场多晶硅薄膜层晶硅太阳电池本实用新型隧穿氧化层低成本烧结层烧结铝浆层银浆太阳电池效率穿过电池生产银浆用量硼扩散

[发明专利]一种透明高阻隔薄膜及其制备方法-CN202011388664.1有效
发明人：潘世新;吕军锋;倪佳晨;卞荣伟;吴胜涛 -专利权人：江苏三房巷薄膜股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B05D3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明高阻隔薄膜及其制备方法。包括镀氧化铝薄膜以及镀氧化铝薄膜一面或两面的第二保护涂布层；所述第二保护涂布层由第二保护涂布液涂覆在镀氧化铝薄膜表面烘干得到；所述镀氧化铝薄膜与第二保护涂布液之间还有一层由第一保护涂布液烘干得到的第一保护涂布层；本发明制得的第一保护涂布液、第二保护涂布液对透明高阻隔氧化铝薄膜涂布后，形成的涂层除了能对镀氧化铝层起保护作用外，还不影响薄膜的透明性能、印刷性能。经过测试发现，本发明制得的镀氧化铝薄膜阻隔性能、力学性能均得到了显著提升。本发明制得的第一保护涂布液、第二保护涂布液所用原材料市场易得，成本低。
一种透明阻隔薄膜及其制备方法

[发明专利]利用氧化铝锌靶材制备多层薄膜的方法-CN201110281464.0无效
发明人：杨能辉;林俊荣 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用氧化铝锌靶材制备多层薄膜的方法，其是将氧化铝锌靶材于氩气及硫化氢气体中溅镀于一可供制作太阳能电池的具有铜铟镓硒层的基材上，以生成ZnO1-xSx薄膜，作为缓冲层；再将氧化铝锌靶材于氩气及氧气中溅镀于该缓冲层上，以生成高阻值的氧化铝锌薄膜，作为透光层；再将氧化铝锌靶材直接溅镀于透光层上后，以生成氧化铝锌薄膜，作为电极导电层。本发明仅需利用一种氧化铝锌靶材于同一反应腔体中，于不同气体下溅镀，即可于一太阳能电池的基材上生成不同成分的薄膜作为缓冲层、透光层及导电层，而应用于太阳能电池的制造。
利用氧化铝锌靶材制备多层薄膜方法

[发明专利]一种高效率硅太阳能电池的背钝化结构及其实现方法-CN201110302440.9无效
发明人：夏金才;肖剑峰;周体 -专利权人：宁波日地太阳能电力有限公司
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率硅太阳能电池的背钝化结构，其包括镀设于经制绒、扩散和后清洗工艺后的P型硅基体的背表面上的薄膜叠层，薄膜叠层由氧化铝薄膜和氮化硅薄膜构成，氧化铝薄膜设置于P型硅基体的背表面上，氮化硅薄膜设置于氧化铝薄膜的下表面上，优点在于由于氧化铝具有固定的负电荷，因此氧化铝薄膜能有效降低背表面的复合，在氧化铝薄膜上设置氮化硅薄膜，氮化硅富含氢，因此能有效实现钝化，采用氧化铝和氮化硅薄膜叠层实现背钝化可进一步的降低背表面的复合，同时能够显著地提高晶体硅太阳能电池的开路电压；薄膜叠层作为背反射器能大大提高长波光的吸收；薄膜叠层介于背面金属电极和P型硅基体间能大大降低晶体硅太阳能电池的翘曲度。
一种高效率太阳能电池钝化结构及其实现方法

[发明专利]基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法-CN201310271571.4有效
发明人：张楷亮;孙阔;王芳;陆涛;孙文翔;王宝林;赵金石;胡曦文;王雨晨 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。
基于氧化氧化铝结构存储器及其制备方法

[发明专利]一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法-CN202310052527.8在审
发明人：杨学林;沈波;陈正昊;吴俊慷;蔡子东;杨鸿才;郭富强 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法，以Si(111)为衬底，先在其表面形成一层氧化铝层；然后对氧化铝层进行高温处理，形成α‑氧化铝过渡层或者AlON/α‑氧化铝复合过渡层；再在α‑氧化铝过渡层或者AlON/α‑氧化铝复合过渡层上生长高质量AlN薄膜。本发明利用α‑氧化铝的表面结构改善AlN成核层晶粒间的取向差异，以AlON为AlN成核层和α‑氧化铝层之间良好的过渡层，实现晶格常数的渐变，减少缺陷的形成。α‑氧化铝过渡层还可以平衡外延生长过程中的应力和应变，降低外延片的翘曲；有效控制螺位错密度，减小电子器件的漏电；对于射频电子器件还可以减少Al向Si(111)衬底的扩散，从而减小射频损耗。
一种 si 衬底质量 aln 薄膜材料制备方法

[发明专利]一种透明高阻隔聚乙烯镀氧化铝薄膜及其制备方法-CN202010321451.0有效
发明人：梁海;刘燕 -专利权人：江苏百瑞尔包装材料有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C08J7/048 文献下载
摘要：本发明提供一种透明高阻隔聚乙烯镀氧化铝薄膜及其制备方法，其结构为BOPE或MODPE聚乙烯薄膜基材、镀氧化铝镀膜层以及氧化铝表面上的保护涂层，共三层结构，所述BOPE或MODPE聚乙烯薄膜基材层厚度为10‑40μm；所述氧化铝镀膜层为1400‑1600℃下，通过电子束卷绕镀膜设备的电子束枪将高纯度铝材料和高纯度氧的反应物真空蒸镀在BOPE或MODPE聚乙烯薄膜基材上形成氧化铝镀膜层，所述镀膜层厚度为0.01本发明要提供的透明高阻隔聚乙烯镀氧化铝薄膜可有效的解决传统薄膜由于含有铝箔、PET、尼龙的塑料复合膜所导致的回收循环利用难的。
一种透明阻隔聚乙烯氧化铝薄膜及其制备方法

[实用新型]一种新型薄膜-CN201920150336.4有效
发明人：林善华;魏国华;陈永群 -专利权人：佛山市彩龙镀膜包装材料有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型薄膜，其特点在于包括依次层叠设置的透明PP薄膜层、印刷层、硅涂层、PET薄膜层、氧化铝层、聚酰亚胺薄膜层、流延聚丙烯薄膜层,透明PP薄膜层与印刷层之间、氧化铝层与聚酰亚胺薄膜层之间、聚酰亚胺薄膜层与流延聚丙烯薄膜层之间通过纳米粘结剂连接；氧化铝层是经过镀氧化铝工艺形成于PET薄膜层上的；硅涂层是将硅粉涂抹于PET薄膜层上形成的；印刷层是通过使用聚氨酯油墨在硅涂层上印刷形成的图案层
聚酰亚胺薄膜层氧化铝层硅涂层印刷层流延聚丙烯薄膜层本实用新型聚氨酯油墨纳米粘结剂氧化铝工艺新型薄膜依次层叠透明高阻隔耐高温图案层硅粉热食涂抹印刷

[发明专利]一种超薄通孔阳极氧化铝薄膜的制备方法-CN201710281727.5有效
发明人：李佳红;张文军;徐鸣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备相关技术领域，其公开了一种超薄通孔阳极氧化铝薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将铝基底的表面依次进行处理后，在所述铝基底的表面沉积一层铝膜；(2)对所述铝基底进行阳极氧化反应，以得到氧化铝纳米管薄膜；(3)将所述氧化铝纳米管薄膜进行保护后，再将所述铝基底设置于饱合CuCl₂溶液中进行反应以得到一端封闭的氧化铝纳米管薄膜；(4)在所述氧化铝纳米管薄膜远离所述载体的表面上滴加磷酸溶液，以使所述磷酸溶液与邻近所述阻挡层的氧化铝纳米管发生反应；(5)冲洗所述氧化铝纳米管薄膜的表面，以得到超薄通孔阳极氧化铝薄膜。
氧化铝纳米管薄膜铝基阳极氧化铝薄膜通孔制备磷酸溶液纳米材料制备阳极氧化反应表面沉积实验成本一端封闭阻挡层滴加铝膜冲洗邻近重复

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