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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子器件以及电子器件的操作方法-CN201911119040.7在审
发明人：李炯东;金泰勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种半导体存储器包括位线、字线、耦接在位线与字线之间的存储单元、以及被配置为感测选中的存储单元的状态的感测电路。在选中的存储单元的读取操作期间，该电子器件被配置为：将选中的字线预充电至第一电压，将未选中的字线预充电至第二电压，使所述选中的字线和所述未选中的字线浮置，将位线电压施加到选中的位线，利用在未选中的位线与所述未选中的字线之间流动的第一泄漏电流来调整所述未选中的字线的电压电平，将所述选中的字线和所述未选中的字线耦接到感测电路，并将所述选中的字线的电压电平与所述未选中的字线的电压电平进行比较。
电子器件以及操作方法

[发明专利]3D NAND堆叠式非易失性存储器编程至导电状态-CN201380057608.1有效
发明人：安德烈·米赫内亚;西颖·科斯塔;张艳丽 -专利权人：桑迪士克技术有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：编程可以包括对选中位线施加一系列增大的电压直到选中存储单元被编程为止。未选中位线可以被保持为几乎地电位或者将近地电位。选中的字线可以接地或者被保持为将近地电位。位于选中字线与位线之间的未选中字线可以接收大约选中位线电压。位于源极线与选中字线之间的未选中字线可以接收选中位线电压的大约一半。可以在不将未选中NAND串的沟道升压以抑制其编程的情况下实现编程。
nand 堆叠非易失性存储器编程导电状态

[发明专利]存储系统及其操作方法-CN201610146481.6在审
发明人：金东眩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种操作半导体存储器件的方法，其包括向被执行编程操作的选中的字线施加读取电压；向与选中的字线相邻的至少一个未选中的字线施加第一通电压；在经过第一参考时间时向所述至少一个未选中的字线施加第二通电压；以及，在经过第二参考时间时根据所述读取电压对连接到选中的字线的存储单元执行读取操作。
存储系统及其操作方法

[发明专利]半导体器件及其操作方法-CN201510535872.2有效
发明人：郑盛旭;许惠银;白智唏;李东训;李泰和 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：根据一个实施例的半导体器件，可以包括：单元串，包括耦接在位线与源极线之间且耦接到字线的多个存储单元；外围电路，适用于通过施加编程电压到选中字线以及施加一个或更多个通过电压到未选字线来对耦接到字线之中的选中字线的选中存储单元编程；以及控制电路，适用于在选中存储单元被编程时控制外围电路来暂时地浮置未选字线。
半导体器件及其操作方法

[发明专利]电阻式存储器装置及其写入方法-CN201310665231.X有效
发明人：侯拓宏;徐崇威;陈玫瑾 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：存储器控制器在设定期间及重置期间的其一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第一位元线电压及未选中字线第一字线电压，其中，第一位元线电压等于写入电压V_W乘以(n‑1)/n，第一字线电压等于存储器控制器在设定期间及重置期间的另一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第二位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的未选中字线第二字线电压，其中，第二位元线电压等于V_W×1/n，第二字线电压等于V_W×(n‑1)/n。
字线电压选中线电压位元电阻式存储器装置电阻式存储单元存储器控制器未连接未选中字线重置期间位元线写入存储单元阵列写入电压

[发明专利]一种存储单元阵列外围电路及存储器件-CN201910577607.9有效
发明人：王瑜;阮庆 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种存储单元阵列外围电路及存储器件，该外围电路中选中电压选择模块与每个存储单元平面上多条本地字线对应；选中电压选择模块从k个选中电压中，选择一个电压输出至对应的全局字线电压选择模块；全局字线电压选择模块从对应的选中电压选择模块输出的电压和未选中电压中，选择一个电压经对应的全局字线输出对应的本地字线电压选择模块；本地字线电压选择模块从对应的全局字线电压选择模块输出的电压和未选中电压中，选择一个电压输出至对应的本地字线。由于同一组的本地字线共享一个选中电压选择模块，减少了所需多路选择器的面积，从而能够减小外围电路的面积。
一种存储单元阵列外围电路器件

[发明专利]减小NAND闪存编程建立时间的电路和NAND闪存-CN201610892693.9有效
发明人：朱长峰;李琪 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种减小NAND闪存编程建立时间的电路和NAND闪存，电路包括：检测模块，检测模块与NAND闪存中一字线的驱动端相连，当字线选中时，检测模块检测字线的驱动端电压，并根据字线的驱动端电压生成检测电压；触发模块，触发模块的输入端与检测模块的输出端相连，触发模块的输出端与与字线相邻的未选中字线对应的至少一个电荷泵相连，当检测电压大于预设参考电压时，触发模块触发至少一个电荷泵，以使电荷泵向对应的与字线相邻的未选中字线输出第一电压，所述第一电压大于0V且所述第一电压小于所述字线的编程电压。本发明实施例能够有效减少选中字线的电压建立时间，提高NAND闪存的编程速度。
减小 nand 闪存编程建立时间电路

[发明专利]一种EFUSE阵列结构及其编程方法和读方法-CN202011612120.9在审
发明人：任永旭;蒋宇;沈灵;严慧婕;王新杰 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：EFUSE阵列结构包括列译码电路和行译码电路、以及多个按阵列方式排列的存储单元；每一列上的各EFUSE共用一条编程电源线；每一行上的各编程晶体管共用一条编程字线；每一行上的各读晶体管共用一条读字线；每一列上的各读晶体管共用一条位线；列译码电路将选中的编程电源线设置为高电平，将未选中的编程电源线设置为低电平；行译码电路将选中的编程字线设置为高电平，将未选中的编程字线设置为低电平，将选中的读字线设置为高电平，将未选中的读字线设置为低电平
一种 efuse 阵列结构及其编程方法

[发明专利]字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质-CN201810669076.1在审
发明人：贺元魁;潘荣华;李卫 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质。所述方法包括：当读取数据或写入数据时，从选中字线、未选中字线及漏极选通字线的栅极中选取与操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极；据操作类型获取待处理栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，选中字线、未选中字线和漏极选通字线的栅极中非待处理栅极分别对应的第二目标电压
目标电压字线施加未选中字线初始电压写入数据漏极选通选中存储器存储数据存储器操作类型存储介质电子设备字线电压出错率与操作匹配

[发明专利]一种存储单元阵列外围电路及存储器件-CN201910579791.0有效
发明人：王瑜;阮庆 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种存储单元阵列外围电路及存储器件，该存储单元阵列包括多个存储单元平面，每个存储单元平面包括M条本地字线；该外围电路中每条全局字线对应每个存储单元平面上的多条本地字线，且与全局字线电压选择模块一一对应；本地字线电压选择模块和本地字线一一对应；全局字线电压选择模块从选中电压和未选中电压中，选择一个电压经对应的全局字线输出至对应的本地字线电压选择模块的输入端；本地字线电压选择模块从对应的全局字线电压选择模块输出的电压和未选中电压中，选择一个电压输出至对应的本地字线。由于多条本地字线共享一个全局字线，减少了所需多路选择器的占用面积，从而能够减小外围电路的面积。
一种存储单元阵列外围电路器件

[发明专利]非易失性存储器及其编程方法-CN201910167692.1有效
发明人：张馨文;张耀文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：编程方法包括：设定多条字线的其中之一为编程字线，设定字线中非编程字线为多个未选中字线；在编程时间区间中的第一子时间区间中，使编程字线上的电压由参考电压被提升至第一编程电压；在编程时间区间中的第二子时间区间中，使编程字线上的电压由第一编程电压被提升至第二编程电压；以及，在第二子时间区间内，提供使至少部分的未选中字线的电压由参考电压被提升至通过电压。
非易失性存储器及其编程方法

[发明专利]一种存储器擦除方法及装置-CN201711248640.4在审
发明人：张建军;芮亚明;马向超 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：其中，存储器擦除方法包括：对擦除区域内排布的存储单元进行擦除操作；在对存储单元进行第一过擦除验证操作中的读验证操作时，依次选中存储单元，对选中存储单元所连接的字线施加第一电压，对未选中字线施加零电压，以获取阈值电压小于第一设定阈值的存储单元；在对存储单元进行第一过擦除验证操作中的编程操作时，依次选中阈值电压小于第一设定阈值的存储单元，对选中阈值电压小于第一设定阈值的存储单元所连接的字线施加第二电压，对未选中的字线施加零电压。
存储单元存储器擦除选中阈值电压过擦除施加字线编程操作验证零电压未选中字线擦除操作验证过程读操作漏电流排布

[发明专利]字线电压产生电路及存储器-CN202210093520.6在审
发明人：马继荣 -专利权人：北京紫光青藤微系统有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本申请涉及FLASH集成电路技术领域，公开一种字线电压产生电路。擦写编程控制电压及产生电路的一端连接缓冲电路的另一端，擦写编程控制电压及产生电路的另一端连接电压源产生电路的另一端，擦写编程控制电压及产生电路在擦除使能信号为高电平的情况下，根据缓冲电压的驱动生成第一未选中字线电压，在编程信号为高电平的情况下，根据电压源的驱动生成第一选中字线电压。本公开实施例不需要频率补偿电容就可以生成第一未选中字线电压和第一选中字线电压，使得应用本公开实施例的字线电压产生电路的芯片面积更小。本申请还公开一种存储器。
电压产生电路存储器

[发明专利]一种NANDFLASH编程的防干扰方法-CN201510523078.6有效
发明人：潘荣华;贺元魁 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：该方法包括：对选中字线施加编程电压，未选中字线施加导通电压；对所述选中字线进行读操作，确定所述字线是否被编程成功；若所述读操作状态为编程失败，以设定步进值抬升当前编程电压值和导通电压值，返回执行所述读操作
一种 nandflash 编程干扰方法

[发明专利]用于存储单元阵列的外围电路及存储器件-CN202210958937.4在审
发明人：王瑜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于存储单元阵列的外围电路，所述存储单元阵列包括多个存储平面，所述外围电路包括：多条全局字线；多个异步多平面独立(AMPI)读取电压选择模块，用于分别从多个第一选中电压和多个第一未选中电压中选择其中之一电压，以用于执行所述多个存储平面的异步多平面独立读取操作；非异步多平面独立读取电压选择模块，用于从多个第二选中电压和多个第二未选中电压中选择其中之一电压，以用于执行所述多个存储平面的非异步多平面独立读取操作；以及多个全局字线电压选择模块，用于分别从相应的异步多平面独立读取电压选择模块输出的电压和所述非异步多平面独立读取电压选择模块输出的电压中，选择其中之一电压输出至相应的全局字线。
用于存储单元阵列外围电路器件

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