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[发明专利]氮化镓高电子移动率晶体管及其栅极结构-CN201910141573.9有效
发明人：刘莒光;杨弘堃 -专利权人：杰力科技股份有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，包括一异质结构、一掺杂氮化镓层、一绝缘层、一未掺杂氮化镓层以及一栅极金属层。异质结构包括一信道层与位于所述信道层上的一阻障层。掺杂氮化镓层位于所述阻障层上，绝缘层则位于掺杂氮化镓层的顶部的两侧边，且未掺杂氮化镓层是位于掺杂氮化镓层与绝缘层之间。栅极金属层则位于掺杂氮化镓层上，并覆盖绝缘层与未掺杂氮化镓层。所述未掺杂氮化镓层能保护其下的掺杂氮化镓层，而绝缘层则具有防止栅极漏电的效果。
氮化电子移动晶体管及其栅极结构

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法-CN201710093597.2在审
发明人：姚振;从颖;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：外延片包括衬底、低温氮化镓层、高温氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型氮化镓层；应力释放层包括第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为掺有硅的氮化镓层，第二子层包括多层未掺杂的铟镓氮层和多层未掺杂的氮化镓层，多层未掺杂的铟镓氮层和多层未掺杂的氮化镓层交替层叠设置；有源层包括多层铟镓氮层和多层氮化镓层，多层铟镓氮层和多层氮化镓层交替层叠设置，第三子层为掺杂铟和硅的氮化镓层，第三子层中铟的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐升高或者逐渐降低
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201710388642.7有效
发明人：武艳萍 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，外延片还包括应力释放层，应力释放层为氮化镓层，应力释放层层叠在成核层中，或者应力释放层层叠在成核层和未掺杂氮化镓层之间，或者应力释放层层叠在未掺杂氮化镓层中，或者应力释放层叠在未掺杂氮化镓层和N型氮化镓层之间。本发明通过在成核层和未掺杂氮化镓层之间插入应力释放层，可以对衬底和氮化镓材料之间晶格失配产生的应力进行释放，避免应力影响外延片的翘曲度，衬底的表面平整，多量子阱层受热均匀，外延片发光波长的均匀性提高。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法-CN201810101171.1有效
发明人：魏晓骏;葛永晖;舒辉;郭炳磊;吕蒙普;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述制备方法包括：提供设有缓冲层的衬底，所述缓冲层包括氮化硼层；在所述缓冲层上生长未掺杂氮化镓层；在所述未掺杂氮化镓层上设置粘性膜；利用粘性膜将所述未掺杂氮化镓层与所述缓冲层分离，并转移到基底上；去除粘性膜，留下设有所述未掺杂氮化镓层的基底。本发明通过采用氮化硼层作为衬底上的缓冲层，并在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层，因此在氮化硼层上生长的未掺杂氮化镓层的晶体质量较好。再利用粘性膜将晶体质量较好的未掺杂氮化镓层与缓冲层分离，并转移到基底上，即可得到晶体质量较好的外延片底层，从而继续生长得到的发光二极管外延片的晶体质量也会较好。
未掺杂氮化镓层缓冲层粘性膜发光二极管外延氮化硼层基底制备生长衬底半导体技术领域外延片再利用去除

[发明专利]氮化镓LED制备方法、氮化镓LED和芯片-CN201410042037.0有效
发明人：蔡武;郑远志;周德保;杨东;陈向东;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种氮化镓LED制备方法、氮化镓LED和芯片，该方法包括在经过热处理的衬底上依次生长氮化镓成核层、未掺杂氮化镓层、N掺杂氮化镓层、量子阱过渡层、多量子阱层、P掺杂氮化镓层和接触层；其中，反应室在经过热处理的衬底上依次生长氮化镓成核层、未掺杂氮化镓层、N掺杂氮化镓层、量子阱过渡层、多量子阱层、P掺杂氮化镓层和接触层；其中，在开始生长N掺杂氮化镓层至结束生长多量子阱层的时间段内，进行至少一次热退火处理
氮化 led 制备方法芯片

[发明专利]氮化镓晶体管及其制造方法-CN201610178244.8在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓晶体管及其制造方法，其中方法包括在硅衬底的表面上方形成未掺杂的氮化镓层，在所述未掺杂的氮化镓层的表面上方形成氮化镓铝层；在所述氮化镓铝层的表面上方沉积一层氮化硅，形成介质层；对所述介质层、所述氮化镓铝层和所述未掺杂的氮化镓层进行刻蚀，形成漏极接触孔和源极接触孔；在所述漏极接触孔和源极接触孔中再生长出N型掺杂的氮化镓层，并在所述漏极接触孔中的N型掺杂的氮化镓层的上方形成漏极，在所述源极接触孔中的N型掺杂的氮化镓层的上方形成源极。本发明提供的氮化镓晶体管及其制造方法，能够减小欧姆接触电阻，增加器件电流，提高器件的整体性能。
氮化晶体管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片-CN201710890572.5在审
发明人：郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：方法包括在层叠在衬底上的缓冲层上生长第一未掺杂氮化镓层；在第一未掺杂氮化镓层上形成胶体晶体薄膜，胶体晶体薄膜包括阵列排列的多个有机颗粒；在多个有机颗粒上和多个有机颗粒之间沉积氧化物薄膜；对多个有机颗粒进行加热，多个有机颗粒在温度升高的过程中分解成气体从氧化物薄膜和第一未掺杂氮化镓层之间排出，第一未掺杂氮化镓层和氧化物薄膜之间形成阵列排列的多个空腔；在氧化物薄膜上生长第二未掺杂氮化镓层；在第二未掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，形成外延片。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法-CN200910062768.0有效
发明人：刘玉萍;魏世祯 -专利权人：武汉华灿光电有限公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，未掺杂的氮化镓高温缓冲层，氮化铝镓/氮化镓超晶格结构，未掺杂的氮化镓高温缓冲层、N型接触层、N型氮化镓导电层、发光层多量子阱结构MQW、P型氮化铝镓电子阻挡层、P型氮化镓导电层、P型接触层，本发明在未掺杂的氮化镓高温缓冲层中插入了一氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构。氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构的插入能有效改善材料的晶体质量，从而提高氮化镓基发光二极管抗静电能力，提高器件的可靠性和稳定性。
一种提高氮化发光二极管抗静电能力方法

[发明专利]常关型氮化镓元件的制造方法-CN202210077729.3在审
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种常关型氮化镓元件的制造方法，包括于基板上形成信道层，于所述信道层上形成阻挡层，于所述阻挡层上形成氮化镓层。所述氮化镓层具有一预设区域，其中所述氮化镓层的材料为P型氮化镓或未掺杂氮化镓。然后，根据氮化镓层的材料种类，利用选择性离子注入，使所述预设区域内的氮化镓层为P型氮化镓层，且所述预设区域以外的氮化镓层为N型氮化镓层、隔离区或未掺杂氮化镓层。
常关型氮化元件制造方法

[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法-CN201310305879.6在审
发明人：李哉勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。在一种氮化物基半导体器件中，在氮化铝镓（AlGaN）层上形成未掺杂氮化镓（GaN）层，并且在未掺杂氮化镓层上形成硅氮化碳（SixC1-xN）功能层。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有周期性碳掺杂的氮化镓的高电子迁移率晶体管-CN201510155907.X在审
发明人： J·C·拉默;K·克尼里姆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及具有周期性碳掺杂的氮化镓的高电子迁移率晶体管。公开了一种具有多个一层或多层未掺杂的氮化镓层和一层或多层碳掺杂的氮化镓层的交替层的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的形成方法，和通过所述方法形成的HEMT器件。在一个实施方案中，该方法包括在基板上形成沟道层叠层，沟道层叠层具有多个一层或多层未掺杂的氮化镓层和一层或多层碳掺杂的氮化镓层的交替层。该方法进一步包括在沟道层叠层上形成阻挡层。在一个实施方案中，沟道层叠层通过在抑制碳在氮化镓中的引入的生长条件下生长一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层和在促进碳在氮化镓中的引入的生长条件下生长一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层来形成。
具有周期性掺杂氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201810353183.3在审
发明人：王志敏;黄丽凤 -专利权人：如皋市大昌电子有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱发光层、空穴提供层和P型氮化镓层，所述衬底的顶部设置有缓冲层，所述缓冲层的顶部设置有未掺杂氮化镓层，所述未掺杂氮化镓层的顶部设置有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层的顶部设置有多量子阱发光层，所述多量子阱发光层的顶部设置有空穴提供层，所述空穴提供层的顶部设置有P型氮化镓层，包括如下步骤：步骤一，固定及切割
顶部设置多量子阱发光层未掺杂氮化镓层空穴缓冲层发光二极管外延片衬底制备清洗退火研磨倒角分档切割腐蚀检测

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法-CN201810826982.8有效
发明人：葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上；有源层包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置；量子垒包括M个未掺杂的氮化钪铝层和(M+1)个未掺杂的氮化镓层，M个氮化钪铝层和(M+1)个氮化镓层交替层叠设置，M为正整数。本发明通过在未掺杂的氮化镓层中插入至少一个未掺杂的氮化钪铝层作为量子垒，氮化钪铝层和氮化镓层配合，可以缓解蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，提高LED的内量子效率，进而提高LED的发光效率。
一种氮化发光二极管外延及其制作方法

[实用新型]一种阶梯型源漏极欧姆接触氮化镓场效应管-CN201621248459.4有效
发明人：崔敬峰;张杨;毛明明;李煜炜;刘振奇 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阶梯型源漏极欧姆接触氮化镓场效应管，包括衬底，衬底外延生长过渡层，过渡层表面外延生长氮化镓层，氮化镓层表面外延生长有未掺杂铝镓氮层作为隔离层，未掺杂铝镓氮层表面外延生长有N型掺杂铝镓氮层，氮化镓层与未掺杂铝镓氮层之间形成有二维电子气，N型掺杂铝镓氮层和未掺杂铝镓氮层的边缘刻蚀形成为具有阶梯形状的侧壁，侧壁表面形成有源极和漏极，源极和漏极表面形成有多金属薄膜结构，N型掺杂铝镓氮层的表面形成有栅极
一种阶梯型源漏极欧姆接触氮化场效应

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法-CN201811287249.X有效
发明人：葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个周期结构，每个所述周期结构包括依次层叠的量子阱和量子垒；所述量子垒中插入有多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的P型掺杂的氮化镓层、未掺杂的氮化铝镓层和N型掺杂的氮化镓层。本发明通过在量子垒层中插入多个复合结构，每个复合结构包括依次层叠的P型掺杂的氮化镓层、未掺杂的氮化铝镓层和N型掺杂的氮化镓层，可以形成良好的二维电子气，增加电流的扩展。
一种氮化发光二极管外延及其制作方法

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