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[发明专利]有机半导体器件-CN03157007.0无效
发明人：永山健一;中村健二 -专利权人：先锋株式会社
申请日： 2003-09-08 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种有机半导体器件设有一形成在一对相对的电极之间的载流子迁移有机半导体层。该有机半导体器件还设有一个插在所述电极对中至少一个电极和与之相接触的有机半导体层之间的缓冲层。该缓冲层具有在相接触的电极的功函数值和有机半导体层电离电位值之间的一功函数或电离电位。
有机半导体器件

[发明专利]有机半导体器件-CN03146488.2无效
发明人：永山健一 -专利权人：先锋株式会社
申请日： 2003-07-16 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种有机半导体器件，其包含位于一对相互面对的电极对之间的具有载流子迁移性的有机半导体层。至少一个所述的电极含有载流子传送层和传导层，该载流子传送层与有机半导体层接触，其逸出功接近或等于有机半导体层的电离电势，该传导层位于载流子传送层上，并具有比载流子传送层低的电阻率。
有机半导体器件

[发明专利]有机半导体器件-CN202310356852.3在审
发明人：沼田智子;尾坂晴惠;川上祥子;新宫崇史;多田杏奈;吉安唯;新仓泰裕;青山绘梨子;桥本直明;濑尾哲史 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：提供一种高清晰且可靠性良好的有机半导体器件。该有机半导体器件是形成在绝缘层上的多个发光器件中的一个，包括第一电极、第二电极及有机化合物层，上述有机化合物层位于第一电极与第二电极之间，上述有机化合物层包括包含第一化合物的层，上述第一化合物为在差示扫描热量测定中在从通过第一加热而熔化的状態进行冷却并继续第二加热时在上述冷却过程中观察不到发热峰且在上述第二加热过程中观察不到发热峰及熔点峰的物质
有机半导体器件

[发明专利]有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法-CN201580038837.8有效
发明人：酒井正俊;工藤一浩;贞光雄一 -专利权人：日本化药株式会社
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。
有机半导体薄膜形成方法以及使用有机半导体器件及其制造

[发明专利]有机半导体器件用喷墨记录介质、有机半导体器件用构件及有机半导体器件的制造方法-CN202210170446.3在审
发明人：高秀雄;泉伦生;及川和博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供用于采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件。另外，提供使用有该有机半导体器件用喷墨记录介质的、能够采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件的制造方法。本发明的有机半导体器件用喷墨记录介质是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，上述墨容纳层在上述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离上述电极的表面向上述电极浸透的墨到达上述电极
有机半导体器件喷墨记录介质构件制造方法

[发明专利]有机半导体器件和有机半导体薄膜-CN200780000602.5无效
发明人：胜原真央;鹈川彰人;宫本佳洋;国清敏幸 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供有机半导体薄膜基有机半导体器件，该器件包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料可在低温如室温下溶解于有机溶剂并且适用于涂布工艺。该有机半导体器件包括沟道形成区，该沟道形成区包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料具有基于两个π－电子单位的氧化或还原机制并且具有二维或三维传导路径。
有机半导体器件有机半导体薄膜

[发明专利]一种高电负性有机半导体-CN201410194423.1在审
发明人：李晓常;曾纪森 -专利权人：江西冠能光电材料有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：一种高电负性有机半导体应用于有机半导体器件，所述的有机半导体涉及双嘧啶化合物I，可作为有机半导体器件的电子传输材料，提供有利于改善有机发光器件性能，获得高效、稳定和低工作电压的有机半导体器件。
一种电负性有机半导体

[发明专利]有机半导体器件、有机EL器件、发光装置、电子设备以及照明装置-CN202211639564.0在审
发明人：山崎舜平;川上祥子;大泽信晴;山根靖正;铃木恒德;青山智哉;桥本直明;竹田恭子;吉安唯;高畑正利 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/84 文献下载
摘要：在具有在有机半导体层上以与该有机半导体层接触的方式形成氧化铝膜的工序的有机半导体器件、有机EL器件、发光装置、电子设备以及照明装置中抑制高电压化。本发明提供一种有机半导体器件，其包括第一电极、第二电极、有机半导体层以及缓冲层，有机半导体层位于第一电极与第二电极之间，缓冲层位于有机半导体层与第二电极之间，有机半导体层的侧面与缓冲层的侧面大致对齐。
有机半导体器件 el 器件发光装置电子设备以及照明

[发明专利]一种有机半导体器件特性测量仪-CN201010162152.3有效
发明人：彭应全;王颖 -专利权人：兰州大学
申请日： 2010-04-04 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：有机半导体器件的研究已非常广泛，对于其特征曲线的测量，目前大多使用原有针对无机半导体器件设计的仪器。与无机半导体器件相比，有机半导体器件不仅工作电压高，而且由于工作机制更复杂而使参数种类更多。本发明涉及一种有机半导体器件的测量仪。有机半导体器件测量仪包括数据采集板组、高输出电压直流放大电路、电流放大电路、放大倍数自动调节电压放大电路和程控限流电路。测量仪不仅适用于有机半导体器件，也适用于传统无机半导体器件的测量。
一种有机半导体器件特性测量仪

[发明专利]一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法-CN201410283265.7无效
发明人：卢年端;李泠;刘明;孙鹏霄 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法，包括：计算有机半导体器件中载流子的跃迁速率，并选择一种状态密度来表示载流子的分布状况；根据计算的有机半导体器件中载流子的跃迁速率和选择的状态密度，确定能量空间中没有被载流子占据的空位置数；根据确定的能量空间中没有被载流子占据的空位置数，确定载流子跃迁的距离；根据确定的载流子跃迁的距离计算有机半导体器件的电流密度，并以该电流密度来表征有机半导体器件的弛豫现象。本发明计算过程简单，可广泛应用于各种无序的半导体材料和器件，如有机半导体，非晶半导体等驰豫现象的表征。
一种表征有机半导体器件现象方法

[发明专利]有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板-CN202011339789.5有效
发明人：申丽萍;邢汝博;陈伟伟 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本申请实施例提供的有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板，涉及半导体器件技术领域。通过在掩膜层上形成有机半导体层，再通过移除该掩膜层的方式形成有机半导体沟道层。上述形成有机半导体沟道层的方式相对于光刻形成有机半导体沟道层的方式，因形成过程不会涉及高温烘烤光刻胶层的工艺步骤，所形成的有机半导体沟道层中载流子的迁移率较高，有机薄膜晶体管器件的电学特性相对稳定。同时，上述形成有机半导体沟道层的方式，有效规避了制程环境因素(光、高温)对有机半导体沟道层形成的影响，有机半导体沟道层图形化过程更加简单，图形化效果更好。
有机薄膜晶体管器件制备方法显示面板

[发明专利]碱金属铷化合物作为缓冲层或电子注入层的有机半导体器件-CN201210179120.3无效
发明人：李传南;张健;崔国宇;高志杨;刘川;赵毅 -专利权人：吉林大学
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体器件技术领域，具体涉及一种应用碱金属铷化合物作为阴极缓冲层材料或电子注入层N型掺杂材料的有机半导体器件。本发明将Rb的化合物形成单一阴极缓冲层或与有机材料共掺杂制作在有机半导体器件中有机层和阴极之间，有效地增强了有机半导体器件的电子注入和传输，进而提高有机半导体器件的各项性能。
碱金属化合物作为缓冲电子注入有机半导体器件

[发明专利]半导体器件及使用该半导体器件的显示装置-CN201010524862.6无效
发明人：野元章裕;小野秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及使用该半导体器件的显示装置。所述半导体器件使用了薄膜晶体管。另外，所述半导体器件具有：所述薄膜晶体管的栅极电极；形成得覆盖住所述栅极电极的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的有机半导体层；形成在所述有机半导体层上的结构体；起始于所述栅极绝缘膜的上表面并终止于所述有机半导体层的上表面的源极电极及漏极电极本发明的半导体器件能够高精度地被形成为具有预定通道长度的器件，并能够提高显示装置的性能、增大半导体器件的产率。另外，还能够减少半导体器件的设计余量、使半导体器件小型化，从而增大在显示装置中所使用的像素数量。
半导体器件使用显示装置

[发明专利]一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法-CN201711088797.5有效
发明人：郭立雪;朱映光;谢静;胡永岚 -专利权人：固安翌光科技有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本申请公开了一种有机发光器件结构，包括：基板、形成于基板上的电极和有机器件，以及封装结构，所述封装结构包括至少三层且其中一层为无机半导体层，所述无机半导体层与所述有机器件间隔至少一层绝缘层；所述无机半导体层电连接至所述封装结构外部基于此设计，当有机发光器件的某些区域产生较高的温度时，过高的温度会影响无机半导体层的实际电阻值，通过控制单元持续测定无机半导体层的电阻阻值，并通过查找该无机半导体层的电阻‑温度曲线，即可获得无机半导体层的实时温度值，也即有机发光器件的内部温度值。
一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法

[发明专利]有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件-CN200910009844.1有效
发明人：李芳璘;韩国珉;李恩庆;金渡桓;文炫植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-01-24 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可由下式1表示。有机电子器件可包括上述有机半导体共聚物。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可提供改善的溶解性、加工性能和薄膜性能。因此，该有机半导体共聚物可用在多种电子器件中。合适的电子器件可为有机薄膜晶体管。当有机薄膜晶体管的有源层包含该有机半导体共聚物时，可获得更高的电荷迁移率和更低的断路泄漏电流。
有机半导体共聚物包括有机电子器件

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