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[发明专利]动态控制量测中的工件的方法及系统-CN200580034049.8有效
发明人： M·A·珀迪;C·W·尼克斯克 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明大致关于动态控制量测中之工件(metrology work inprogress)之各种方法及系统。在一个实施例中，该方法包括设置适合控制量测工作流于至少一个量测工具(14)的量测控制单元(12)；识别于量测队列内之多个晶片组(23)，其中所述晶片组(23)将由该至少一个量测工具(14)处理，且其中该量测控制单元(12)选择所述晶片组(23)中的至少一个晶片组用于在该至少一个量测工具(14)内的量测处理，并且根据在该至少一个量测工具(14)内的选择的至少一个晶片组(23)的量测处理而选择将要从量测队列中移除的多个晶片组(23)中的至少另一个晶片组。
动态控制中的工件方法系统

[发明专利]量测校准方法及监控量测设备稳定性方法-CN202310146572.X在审
发明人：金秀龙;翟冬梅;张戎;罗昺寰;张云;李仲禹 -专利权人：上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供了一种量测校准方法及监控量测设备稳定性的方法，该量测校准方法包括：制备表面覆盖介质膜的标准晶片；对标准晶片进行预处理；获取预处理后的标准晶片表面的空气分子污染层的生长公式；根据空气分子污染层的生长公式，对与标准晶片具有相同存放环境的待测晶片的表面的介质膜的量测厚度进行校准，以获取待测晶片表面的介质膜的校准厚度；标准晶片和待测晶片的表面具有相同类型的介质膜。该量测校准方法通过对晶片表面空气分子污染吸附和生长规律进行动态监测，然后通过其规律修正晶片的介质膜厚度，实现了介质膜量测厚度的校准，提高了获取介质膜厚度的精度。
校准方法监控设备稳定性

[发明专利]硅晶片的翘曲量的预测方法及硅晶片的制备方法-CN201880090382.8有效
发明人：高奉均;高田康佑 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提出可考虑氧的影响而预测对硅晶片实施热处理时产生的翘曲量的方法和硅晶片的制备方法。预测在对硅晶片实施热处理时产生的翘曲量的方法，其特征在于，根据上述热处理中的硅晶片的应变的变化率和可动位错密度的变化率求得可动位错密度、应力和应变的时间演变，将其作为翘曲量，基于求得的应变的时间演变求得硅晶片的塑性变形量，设A、L0：常数，ΔOi：热处理开始时用于硅晶片中的氧析出物的氧的浓度，L：热处理开始时所述硅晶片中的氧析出物的平均尺寸，热处理开始时的可动位错密度Ni由[数学式1]给出。
晶片翘曲量预测方法制备

[发明专利]基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统-CN201810769287.2在审
发明人：早川诚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统。即使在不设置具有调节送出时的晶片的方向的功能的处理装置，也能够在小型的基片处理系统中短时间且低成本进行旋转式处理时的晶片的对位。本方法包括：由抗蚀剂涂敷装置实施EBR处理的旋转式处理步骤；由检查装置的拍摄装置对被实施了旋转处理的晶片进行拍摄的拍摄步骤；获取预先存储的、使晶片从抗蚀剂涂敷装置移动至检查装置期间晶片的方向发生变化的量的信息即变化量信息的变化量信息获取步骤；基于拍摄步骤的拍摄结果，获取沿晶片的周向的抗蚀剂膜的除去宽度的信息作为实施结果信息的结果信息获取步骤；和基于变化量信息和实施结果信息，修正EBR处理时的基片的位置的修正步骤。
晶片基片处理系统变化量信息结果信息抗蚀剂涂敷装置存储介质基片位置检查装置旋转式拍摄修正处理装置抗蚀剂膜拍摄结果拍摄装置旋转处理预先存储低成本小型的对位送出移动

[发明专利]处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备-CN201010003512.5有效
发明人：张奕斌;赖东隆;黄循康 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备，该处理晶片的方法包括：测量表示晶片翘曲量的数据；根据翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过用以夹持上述晶片的静电式晶片座将控制电压施加至晶片的相应位置；以及当在晶片上执行工艺时，施加至少两个不同的控制电压，用以夹持晶片的相应位置。避免了晶片翘曲的非理想效应。
处理晶片方法使用半导体制造设备

[发明专利]旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置-CN200480041470.7有效
发明人：土屋正人;小笠原俊一 -专利权人：三益半导体工业株式会社
申请日： 2004-03-22 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种即使各种条件的晶片，也可以实现蚀刻处理的蚀刻量的均匀化，并且可使蚀刻后的晶片间的厚度均匀的旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置。本发明首先在蚀刻处理前，以1/1000g单位来测定晶片的重量测定，接着，由旋转蚀刻部来进行规定的蚀刻处理。接着，在晶片的冲洗干燥处理后，再度进行1/1000g单位的重量测定，由晶片的蚀刻前后的差额重量来算出实际蚀刻量，每次确认蚀刻液的蚀刻速率，以控制蚀刻时间。
旋转蚀刻工序管理方法装置

[发明专利]一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法-CN202211194544.7有效
发明人：高飞;张弛;王英民;李晖;王健;霍晓青;李宝珠;程红娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启双面研磨机对晶片进行研磨，研磨结束后去除晶片表面的磨料；将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；对晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗去除粘贴剂；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，做好标记为；测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为通过差减法计算晶片表面同一点研磨前后的厚度变化量，得到双面研磨过程中晶片上表面、下表面、边缘的去除量，提高了测量准确度。
一种确定双面研磨晶片上下表面去除方法

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202180005331.2在审
发明人：江藤宗一郎;冈本翔;中元茂;臼井建人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子处理装置以及方法对配置于真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置以及方法中，在所述处理对象的晶片的处理中的给定的多个时刻从所述晶片表面接受多个波长的光，在使用将表示该接受到多个波长的光的强度的信息和表示预先取得的所述多个波长的光的强度的数据进行比较的结果来检测所述处理对象的晶片的处理中的处理的量的情况下，基于表示预先在多个晶片各自的所述处理中取得的来自各个该晶片的表面的光的所述多个波长的光的强度的数据，将各晶片彼此之间的相似度数值化，将对应于被数值化的所述相似度而选择的至少1个数据和表示在所述处理对象的晶片的处理中得到的所述多个波长的光的强度的数据进行比较，来检测所述处理的量。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]太阳能电池用硅晶片的制造方法-CN201410667607.5在审
发明人：阿部秀司;铃木龙畅;大沼光男 -专利权人：日本化成株式会社
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明在于提供一种太阳能电池用硅晶片的制造方法，作为硅晶片，使用将多晶硅锭以固定磨料线锯方式切片得到的多晶硅晶片，作为蚀刻法采用湿式蚀刻，并且，不需要喷砂处理等前处理，能够将晶片的表面充分粗面化。用硫酸浓度为55～85重量％、硝酸浓度为4～21重量％、氢氟酸浓度为2～10重量％、水分浓度为2～14重量％(其中，这些的合计量为100重量％)且水/硫酸的重量比率为0.20以下的蚀刻剂，对利用激光显微镜测得的立体表面粗糙度为1.0～1.3的多晶硅晶片表面进行各向同性蚀刻。
太阳能电池晶片制造方法

[发明专利]用于半导体反应室的保护涂层-CN202080098814.7在审
发明人：阿隆·加纳尼;达斯汀·扎卡里·奥斯丁;雷切尔·巴策尔;阿希尔·辛格哈尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了用于在反应室的内表面上沉积保护层的处理方法和装置。一种方法可以包括：在具有内表面的反应室中不存在晶片时，将第一保护材料层沉积到所述内表面上，并且所述内表面包括第一材料；在沉积所述第一层之后，在反应室内处理批次晶片的一部分；测量在处理所述批次晶片的所述一部分期间所述反应室中的所述第一材料的量或在所述批次晶片的所述一部分中的一个晶片上的所述第一材料的量；确定所述第一量超过阈值；以及响应于确定所述第一量超过所述阈值并且当所述反应室中不存在晶片时，将所述第二保护材料层沉积到所述反应室的所述内表面上。
用于半导体反应保护涂层

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN200610064817.0有效
发明人：田原慈;西野雅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种利用含有碳和卤素原子的气体进行蚀刻时，能够提高蚀刻处理在基板面内的均匀性的蚀刻方法。该方法从气体供给部(4)向晶片(W)供给含有1分子中碳原子数为2以下的碳和氟的第一气体的处理气体进行蚀刻时，以第一气体室(45)的供给量多于第二气体室(46)的供给量的方式供给处理气体，另外、向晶片(W)供给含有1分子中碳原子数为3以上的碳和氟的第二气体的处理气体进行蚀刻时，以第二气体室(46)的供给量多于第一气体室(45)的供给量的方式供给处理气体。该气体供给部(4)能够从与作为基板的半导体晶片(W)中心区域相对的第一气体室(45)和与晶片(W)周边区域相对的第二气体室(46)，独立地向晶片(W)供给处理气体。
蚀刻方法装置

[发明专利]硅晶片的电阻率测量方法-CN201810833673.3有效
发明人：斋藤广幸;木村珠美;松村尚 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：具备：求出硅晶片（W）具有的氧浓度与热施主量的关系式的步骤；对于收容在纵型船形容器（1）中的制造对象的硅晶片（W）实施通过用纵型热处理炉（2）进行热处理而将热施主消除的施主消除处理、将前述纵型船形容器从前述纵型热处理炉以前述既定速度出炉后、测量硅晶片的电阻率和氧浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的电阻率求出包括掺杂剂和热施主的载流子浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的氧浓度借助前述关系式求出前述硅晶片具有的热施主量的步骤；求出从前述求出的载流子浓度减去前述求出的热施主量后的掺杂剂量的步骤
晶片电阻率测量方法

[发明专利]晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统和监控方法-CN03142879.7有效
发明人：张世昌;王兴仁;邱泉桦;张杰钧;郭培伟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-06-16 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片处理炉每小时晶片处理量监控系统，其包括一数据库、一分析装置、一比对装置和一输出装置。数据库包括晶片处理炉的两个或更多个处理历史记录。分析装置连接到数据库。分析装置包括逻辑元件，此逻辑元件会检索数据库中至少一处理历史记录，且确定所检索处理历史记录的标准处理时间和规范值域，并且接收当前处理过程的当前处理时间。而连接到分析装置的比对装置包括逻辑元件，此逻辑元件会将标准处理时间和规范值域与当前处理时间相比对。另外，连接到比对装置的输出装置包括逻辑元件，此逻辑元件会输出比对结果。本发明还提供了一种晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控方法。
晶片处理每小时参数监控系统方法

[发明专利]减小SOI结构中的未接合区的宽度的方法以及由该方法制造的晶片和SOI结构-CN201180010887.7有效
发明人： J·A·皮特尼;吉村一朗;L·费 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2011-02-07 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及具有减小的未接合区的绝缘体上硅结构的制备以及通过使处理晶片和供体晶片的滚降量（ROA）最小化来制造这样的晶片的方法。还提供用于抛光晶片的方法。
减小 soi 结构中的接合宽度方法以及制造晶片

[发明专利]外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片-CN201811284957.8在审
发明人：川岛正;野中直哉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种在添加有磷的硅晶片的表面设置有外延膜的外延硅晶片的制造方法，其中，预先求出与硅晶片的电阻率对应的磷的扩散量，并基于与外延生长处理前的所述硅晶片的面内电阻分布对应的扩散量，调整形成于该表面上的所述外延膜的面内厚度分布
外延晶片制造方法

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