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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理方法-CN201310632816.1有效
发明人：中川显;冈崎雄介;早川欣延 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10‑1Pa)以下，将晶片W的温度设为‑10℃～‑20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层
处理方法

[发明专利]基板处理方法-CN201110080938.5有效
发明人：中川显;冈崎雄介;早川欣延 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层
处理方法

[发明专利]晶片清洗机的控制方法及晶片清洗机-CN202010413273.4在审
发明人：程壮壮;张明;王广永 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶片清洗机的控制方法及晶片清洗机，所述方法包括：检测晶片清洗机排风处的第一压差值和第一风速值，所述第一压差值为所述晶片清洗机排风处的内压与外压的差值；根据所述第一压差值、所述第一风速值、预设的基准压差值和预设的基准风速值，基于预设的控制模型，确定用于调整所述晶片清洗机过滤风机转速的第一控制量和用于调整所述晶片清洗机排风阀开合度的第二控制量；控制所述过滤风机基于所述第一控制量向所述晶片清洗机内输入气体，并控制所述排风阀的步进电机基于所述第二控制量调整所述排风阀开合度。通过本方法，可以通过对过滤风机和步进电机的控制，使晶片清洗机的气体环境处于稳定状态。
晶片清洗控制方法

[发明专利]一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺-CN202110902133.8在审
发明人：古新远;赵波;刘宏伟;高伟 -专利权人：保定通美晶体制造有限责任公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺，具体包括以下步骤，步骤一、晶片的初次蚀刻，初次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一；步骤二、晶片的打字作业，待加工的晶片送到打字工站，按照设计的打字标识进行打字作业；步骤三、晶片的二次蚀刻，打字结束的晶片重新送回研磨工站，进行第二次蚀刻，且第二次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一。本发明构思巧妙，将研磨的蚀刻作业拆分为两步，消除打字后字沟边缘的隆起，有效的保证了单面抛光晶片蚀刻后背面的表面质量，光滑平整，对于下一步抛光作业时的吸附垫形成保护，有效提高生产效率，降低了维修投入成本，并降低了因返修导致的晶片厚度低于规格下限的风险。
一种单面抛光晶片背面打字蚀刻工艺

[发明专利]一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法-CN200710041956.6有效
发明人：白兰萍;敖松泉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻机的监测系统，该监测系统包括能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统；所述能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统均包括若干晶片；所述能量稳定性监测系统与所述焦点稳定性监测系统共用一组晶片；该共用晶片组中的部分晶片完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。本发明揭示的光刻机的监测系统通过能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统共用若干片晶片，从而起到降低资源消耗的作用；同时，共用晶片的提出，也减少了监测系统中晶片的总体工作量，可以提高工作效率、减少人工操作量
一种光刻监测系统方法

[发明专利]在多站中的晶片弯曲度的控制-CN201710609934.9有效
发明人：爱德华·奥古斯蒂尼克;大卫·弗伦希;苏尼尔·卡普尔;崎山幸则;乔治·托马斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及在多站中的晶片弯曲度的控制。描述了在等离子体处理站中控制晶片弯曲度的系统。该系统包括提供低频RF信号的电路和提供高频RF信号的另一电路。该系统包括输出电路和站。输送到所述站中的一个的低频功率的量取决于晶片弯曲度，例如晶片的非平坦度。弯曲的晶片使输送到具有公共RF源的多站室中的站的低频功率下降。并联电感器与所述站中的一个并联耦合，以增加流向具有弯曲的晶片的站的电流量。因此，站功率对晶片弯曲度变得不太灵敏，从而使晶片弯曲度最小化。
中的晶片弯曲控制

[发明专利]在多站中的晶片弯曲度的控制-CN202010186094.1有效
发明人：爱德华·奥古斯蒂尼克;大卫·弗伦希;苏尼尔·卡普尔;崎山幸则;乔治·托马斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及在多站中的晶片弯曲度的控制。描述了在等离子体处理站中控制晶片弯曲度的系统。该系统包括提供低频RF信号的电路和提供高频RF信号的另一电路。该系统包括输出电路和站。输送到所述站中的一个的低频功率的量取决于晶片弯曲度，例如晶片的非平坦度。弯曲的晶片使输送到具有公共RF源的多站室中的站的低频功率下降。并联电感器与所述站中的一个并联耦合，以增加流向具有弯曲的晶片的站的电流量。因此，站功率对晶片弯曲度变得不太灵敏，从而使晶片弯曲度最小化。
中的晶片弯曲控制

[发明专利]磨削装置-CN202011396397.2在审
发明人：万波秀年 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提供磨削装置，不进行磨具更换而完成盒内所有晶片的磨削加工。磨削装置(1)具有：加工条件设定部(91)，其设定包含磨具品种和磨削进给速度在内的加工条件；消耗量数据(93)，其表示在所设定的加工条件下磨削一张晶片时的磨具(440)的消耗量；晶片张数设定部(95)，其设定收纳在盒中的晶片的张数；累积消耗量计算部(96)，其参照消耗量数据而计算对收纳在盒中的所有晶片进行磨削时的磨具的累积消耗量；剩余量识别部(92)，其识别磨具的剩余量；和判断通知部(99)，在加工开始前，如果所识别的磨具剩余量减去所计算的累积消耗量而得的值为磨具剩余量容许值以下，则判断为磨具会在盒内所有晶片磨削完成前耗尽并通知。
磨削装置

[发明专利]晶片的加工方法-CN202211395677.0在审
发明人：冈村卓;原田成规 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，能够在不增加切削屑混入器件的可能性的情况下降低清洗液的消耗量。一边向晶片的正面的中心提供清洗液并且通过使晶片进行旋转而形成覆盖晶片的正面的清洗液的膜，一边进行晶片的边缘修整。由此，能够防止晶片的正面的干燥而降低切削屑混入器件的可能性。另外，与一边向晶片的正面的整个区域提供帘状的清洗液一边进行晶片的边缘修整的情况相比，能够降低清洗液的消耗量。
晶片加工方法

[发明专利]基板的输送方法及其装置-CN02142211.7无效
发明人：内牧阳一;江川优子;加治哲德 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2002-08-23 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： B65G49/07 文献下载
摘要：台架100由该场合的平面形状为环状的单张输送线120和沿其长度输送方向(与台架间输送线400的输送方向交叉的方向)并列设置的处理装置101－106构成。在该场合，处理装置101－103在单张输送线120的一方侧各邻接配置1台地并列设置。另外，余下的处理装置104－106在另一方侧各邻接配置1台地并列设置。处理装置101－106分别具有输送机械手11－16。处理装置101－106具有每次处理1张即单张晶片W的腔室。这样，即使对在台架内的各处理装置来说晶片的处理不同的场合，也可防止台架内的晶片的输送和晶片输送装置与各处理装置的配合由其决定速度，这样，可防止处理量的下降。
输送方法及其装置

[发明专利]晶片处理装置、晶片处理方法、和半导体衬底制备方法-CN98105320.3无效
发明人：上原二三男;坂口清文;柳田一隆;原田贤一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-02-20 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：超声槽(30)置于晶片处理槽(10)的下面。将超声波从超声槽(30)传送到晶片处理槽(10)的同时处理晶片(40)。在将晶片(40)完全浸入晶片处理槽(10)，通过使用晶片旋转连杆(53)同时垂直提升晶片底部来旋转和垂直移动晶片的同时来处理晶片(40)。
晶片处理装置方法半导体衬底制备

[发明专利]晶片干燥方法和装置-CN03115530.8有效
发明人：林德成;刘玉仙;马赛罗;德拉皮埃 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-02-26 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明关于一种晶片干燥方法和装置，该方法包含：在一晶片处理箱中，将多个晶片垂直地承载于具有多个沟槽的晶片载器上；以去离子水(DIW)清洗晶片；传送含有异丙醇(IPA)蒸气的氮气至晶片处理箱内以移除在晶片上和在晶片处理箱内部表面的水份；在传送含有IPA蒸气的氮气至晶片处理箱一段时间后，传送加热氮气至晶片处理箱内以蒸发IPA和使晶片干燥；将含IPA的氮气排出晶片处理箱；和将晶片从处理箱中移出以进行晶片其它后续处理，其中该晶片相对于铅直方向具有一微倾角
晶片干燥方法装置

[发明专利]晶片处理方法-CN200410032114.0无效
发明人：菅野诚一郎;川原博宣;末広满;金井三郎;增田俊夫 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种晶片处理方法，配置用于对半导体晶片进行等离子处理的处理腔、用于在处理腔中产生等离子的装置和用于在其上承载半导体晶片以便对半导体晶片进行等离子处理的晶片平台，其中给晶片平台施加用于给半导体晶片施加偏置电压的高频电压和用于在半导体晶片和晶片平台之间产生电压差的直流电压，其中晶片平台可以改变为具有不同功能的晶片平台，以便处理半导体晶片。
晶片处理方法

[实用新型]一种晶片热处理装置-CN202221786899.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶片加工处理技术领域，具体公开了一种晶片热处理装置，包括中空石英管和晶片架；晶片架上设置有晶片槽，晶片槽用于承载容纳多对待进行热处理的晶片，且每对晶片在晶片槽内背面相对设置；晶片架用于插入中空石英管内部，以便晶片在中心石英管内进行热处理。本申请中的晶片热处理装置中设置有承载多个晶片的晶片架，并通过该晶片架将多个晶片置于中空石英管内，可以一次性实现多个晶片的热处理，相对于每次仅仅将两片晶片背靠背直接放入石英管进行热处理而言，本申请在很大程度上提升了中空石英管的空间利用率，从而在一定程度上提升了晶片热处理的工作效率。
一种晶片热处理装置

[发明专利]一种砷化镓晶片背面不良的去除方法-CN202210766182.8在审
发明人：田玉莲;孙美玉;王国超;周铁军;曾贵州;王金灵 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓晶片背面不良的去除方法，包括以下步骤：1)将背面不良的砷化镓晶片进行厚度分盘，每盘差异≤3μm，正面贴膜；2)对晶片的背面轻压研磨；3)采用含碱性金属清洗剂的水溶液浸泡，背面掉量8～10μm，水洗；4)采用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液进行漂洗后，水洗，干燥，得到处理后砷化镓晶片。该方法能够有效去除各生加工工序中造成的砷化镓晶片背面不良问题，如背面表面脏污、背划伤、背面水纹、背面药印等背面不良，达到客户要求，满足外延生长的要求。且背面不良的去除率较高。
一种砷化镓晶片背面不良去除方法

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