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[发明专利]掩膜坯料的制造方法及光掩膜的制造方法-CN200810090895.7有效
发明人：浅川敬司;宫田凉司 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司
申请日： 2008-04-09 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种带有抗蚀膜的掩膜坯料的制造方法，其包括抗蚀剂涂敷，在该抗蚀剂涂敷工序中，从具有向一方向延伸的抗蚀液供给口的涂敷喷嘴喷出抗蚀液，同时沿与所述一方向交差的方向使所述涂敷喷嘴及基板的被涂敷面相对移动，在所述被涂敷面上涂敷所述抗蚀液。在本制造方法中，尤其是，涂敷后的抗蚀剂的干燥从相对于抗蚀剂的涂敷膜表面平行的方向供给清洁气体而进行。
坯料制造方法光掩膜

[发明专利]涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机能够读取的存储介质-CN200880008386.3有效
发明人：吉原孝介;井关智弘;高柳康治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机能够读取的存储介质。在涂敷工序中，使基板高速旋转，在此状态下从第一喷嘴向基板的中心部喷出抗蚀剂液，在基板上涂敷抗蚀剂液。接着，在平坦化工序中，使基板的旋转减速，使基板以低速旋转，使基板上的抗蚀剂液平坦化。此时，涂敷工序中的第一喷嘴进行的抗蚀剂液的喷出持续进行至平坦化工序的中途，在该平坦化工序中在使抗蚀剂液的喷出结束时，使第一喷嘴移动，使抗蚀剂液的喷出位置从基板的中心部移动。采用本发明，能够在基板面内均匀地涂敷抗蚀剂液。
处理方法装置计算机能够读取存储介质

[发明专利]光致抗蚀剂用溶剂以及采用它的狭缝涂敷用光致抗蚀剂组合物-CN200710146009.3有效
发明人：拉尔夫·格罗滕穆勒;沃尔夫冈·察恩;高桥修一 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2007-09-03 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种光致抗蚀剂用溶剂以及采用它的狭缝涂敷用光致抗蚀剂组合物。提供不降低固体成分含量、能够进行狭缝涂敷的高速涂敷的光致抗蚀剂用溶剂，以及能够通过狭缝涂敷进行高速涂敷的光致抗蚀剂组合物。该溶剂是可以通过狭缝涂敷法涂敷于基板的光致抗蚀剂组合物中使用的光致抗蚀剂用溶剂，其特征在于，基于该溶剂的重量，10重量％以上为20℃下粘度为1.1cp以下的低粘度溶剂。该光致抗蚀剂组合物含有上述溶剂、碱可溶性树脂以及光敏性物质。
光致抗蚀剂用溶剂以及采用狭缝敷用光致抗蚀剂组合

[发明专利]掩模坯料的制造方法及光掩模的制造方法-CN200810099160.0无效
发明人：浅川敬司;宫田凉司 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种掩模坯料的制造方法，其是具有从具有在一方向上延伸的抗蚀剂液供给口的涂敷喷嘴喷出抗蚀剂液，同时，使所述涂敷喷嘴及基板的被涂敷面在与所述一方向交叉的方向上相对扫描，并在所述被涂敷面上涂敷所述抗蚀剂液的抗蚀剂液涂敷工序的带有抗蚀剂膜的掩模坯料的制造方法，其特征在于，包括：在使基板的被涂敷面和所述涂敷喷嘴的前端部靠近，使所述抗蚀剂液与所述被涂敷面接触时，以将所述涂敷喷嘴的前端部和所述被涂敷面的间隔设为相对小的状态开始液体接触，然后，将所述涂敷喷嘴的前端部和所述被涂敷面的间隔扩大至相对大的状态
坯料制造方法光掩模

[发明专利]在导电性基板上形成抗蚀剂层的装置-CN03131213.6无效
发明人：坂东了太 -专利权人：关西涂料株式会社
申请日： 2003-03-13 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本发明在导电性基板上形成抗蚀剂层的装置，可提高涂敷附着率，其特征在于该装置包括：运送导电性基板的运送装置；用于在该运送装置运送的导电性基板上涂敷液状抗蚀剂的喷涂装置；在过喷涂之后回收和再使用未在基板上涂敷附着的液状抗蚀剂的装置
导电性基板上形成抗蚀剂层装置

[发明专利]掩模坯料的制造方法以及光掩模的制造方法-CN200910133541.0无效
发明人：宫田凉司;浅川敬司 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模坯料的制造方法以及光掩模的制造方法，其包含如下工序，即，使从收容有液状的抗蚀剂的液槽在毛细管现象的作用下通过涂敷喷嘴而到达喷嘴前端开口部的抗蚀剂与具有用于形成复制图案的薄膜的基板的被涂敷面接触，同时使基板和涂敷喷嘴进行相对移动，由此在所述被涂敷面上涂敷抗蚀剂而形成抗蚀剂膜。在所述抗蚀剂膜形成工序中，在涂敷喷嘴通过所述相对移动到达了基板的涂敷结束位置附近时，改变涂敷条件而使所述被涂敷面上的涂敷量减少。
坯料制造方法以及光掩模

[发明专利]图形形成方法和半导体器件的制造方法-CN200510056975.7无效
发明人：加藤宽和;大西廉伸;河村大辅 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图形形成方法，包括：在衬底上形成抗蚀剂膜；将能量线选择照射到所述抗蚀剂膜，以便在所述抗蚀剂膜中形成潜像；将显影液供给所述抗蚀剂膜，以便由形成了所述潜像的抗蚀剂膜形成抗蚀剂图形；将清洗液供给所述衬底，以便将衬底上的显影液置换为清洗液；将涂敷膜用材料供给到衬底，以便将衬底上的清洗液的至少一部分置换为包含有溶剂和与所述抗蚀剂膜不同的溶质的涂敷膜用材料；使所述涂敷膜用材料中的溶剂挥发，以便在衬底上形成覆盖抗蚀剂膜的涂敷膜；使所述涂敷膜的表面的至少一部分后退，以便露出所述抗蚀剂图形上表面的至少一部分并形成由所述涂敷膜构成的掩模图形；以及用所述掩模图形来加工所述衬底。
图形形成方法半导体器件制造

[发明专利]涂敷方法及涂敷装置-CN200610151489.8有效
发明人：池田文彦;池本大辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种涂敷方法及涂敷装置，在非旋转方式中以稳定的动作再现性良好地进行涂敷膜的膜厚控制，特别是涂敷扫描终端部的膜厚均匀化。在抗蚀剂喷嘴(78)经过通过点(X₁)的时刻(t₁)停止抗蚀剂泵，在经过一定延迟时间之后的时刻点(t_a)，抗蚀剂喷嘴(78)的吐出压力开始衰减另一方面，在时间上与此接近，相对基板(G)的抗蚀剂喷嘴(78)的上升移动与扫描速度的减速分别在规定时刻(t₂、t₃)开始。这样，抗蚀剂喷嘴(78)的吐出压力正在衰减时，抗蚀剂喷嘴(78)上升移动，且扫描速度减速。
方法装置

[发明专利]联机式涂敷装置-CN200710087395.3有效
发明人：金健佑;吴相泽 -专利权人：显示器生产服务株式会社
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于对基板涂敷照相平版印刷用光致抗蚀剂的涂敷作业，且可防止光致抗蚀剂的不良涂层，并能实现整个平版印刷工艺联机化的联机式涂敷装置。本发明包括：作业平台，其作业面长度足以在基板输送过程中完成涂敷作业；悬浮台，其通过气体喷射压力使基板水平悬浮在作业面上；输送装置，其用于吸附及固定悬浮状基板，同时通过驱动源的传动力，沿作业面输送基板；狭缝式涂敷装置，其具有细长的切口即吐出口，并通过吐出口对沿着作业面移动的基板涂敷光致抗蚀剂；吐出调整装置，其具有可分离地接触在吐出口端部的平整面，并以与平整面面接触的状态推压粘接在吐出口端部上的光致抗蚀剂，使光致抗蚀剂沿吐出口的切开方向均匀分布
联机式涂敷装置

[发明专利]涂敷处理装置和涂敷液捕集构件-CN201810998096.3有效
发明人：上村良一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：一种涂敷处理装置和涂敷液捕集构件。提供如下技术：在使供给有高粘度的涂敷液的基板旋转而进行涂敷处理时，对涂敷处理中飞散的涂敷液进行捕集而去除，并且抑制生产率的降低。在使晶圆旋转而涂敷抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷装置中，在沿着杯体的周向设置的排气路径设置有捕集由于晶圆的旋转而产生的线状的涂敷液的涂敷液捕集构件，在涂敷液捕集构件设置有溶剂积存部。因此，在对晶圆进行了背面侧溶剂供给处理时从晶圆甩开的溶剂落到涂敷液捕集构件，积存于溶剂积存部。并且，通过设为溶剂积存到溶剂积存部的状态，能够在对接下来的晶圆进行了抗蚀剂涂敷处理时也在抗蚀剂涂敷处理期间溶解去除被涂敷液捕集构件捕集的线状的涂敷液，能够抑制生产率的降低。
处理装置涂敷液捕集构件

[实用新型]涂敷处理装置和涂敷液捕集构件-CN201821405221.7有效
发明人：上村良一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：一种涂敷处理装置和涂敷液捕集构件。提供如下技术：在使供给有高粘度的涂敷液的基板旋转而进行涂敷处理时，对涂敷处理中飞散的涂敷液进行捕集而去除，并且抑制生产率的降低。在使晶圆旋转而涂敷抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷装置中，在沿着杯体的周向设置的排气路径设置有捕集由于晶圆的旋转而产生的线状的涂敷液的涂敷液捕集构件，在涂敷液捕集构件设置有溶剂积存部。因此，在对晶圆进行了背面侧溶剂供给处理时从晶圆甩开的溶剂落到涂敷液捕集构件，积存于溶剂积存部。并且，通过设为溶剂积存到溶剂积存部的状态，能够在对接下来的晶圆进行了抗蚀剂涂敷处理时也在抗蚀剂涂敷处理期间溶解去除被涂敷液捕集构件捕集的线状的涂敷液，能够抑制生产率的降低。
涂敷液捕集构件溶剂晶圆积存部捕集涂敷涂敷处理装置抗蚀剂涂敷积存线状去除抗蚀剂涂敷装置处理期间基板旋转抗蚀剂液排气路径溶剂供给周向设置高粘度杯体飞散背面溶解

[发明专利]涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置-CN201611007784.6有效
发明人：吉原孝介;丹羽崇文 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：本发明提供涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置。当在晶片上涂敷涂敷液而进行成膜时对形成的膜的膜厚进行调整，在旋涂法中，在通过高速旋转而使抗蚀剂液在晶片(W)上扩散之后，进行低速旋转，一边使晶片(W)的表面均匀，一边向晶片(W)的表面供给干燥气体而降低抗蚀剂液的流动性，之后提升晶片(W)的旋转速度而使抗蚀剂膜干燥，通过向晶片(W)的表面供给干燥气体而降低抗蚀剂液的流动性，能够加厚抗蚀剂膜的膜厚。因此，在通过晶片(W)的转速的调整而实现的膜厚的调整的基础上，能够通过向晶片(W)的表面供给干燥气体来调整膜厚，能够利用一个抗蚀剂液形成更广范围的膜厚的膜。
涂敷膜形成方法装置

[实用新型]抗蚀剂层的薄膜化装置-CN201520724767.9有效
发明人：丰田裕二;后闲宽彦;中川邦弘 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本实用新型的课题在于提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，在具备通过浸渍槽中的薄膜化处理液使抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元的抗蚀剂层的薄膜化装置中，通过将基板上表面的抗蚀剂层表面的薄膜化处理液的覆盖量分布抑制在最小限度，能够解决抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀的问题。抗蚀剂层的薄膜化装置的特征在于，薄膜化处理单元具有用于向基板下表面的抗蚀剂层赋予薄膜化处理液的浸渍槽，设有用于通过辊涂敷向基板上表面的抗蚀剂层赋予薄膜化处理液的涂敷辊。通过上述抗蚀剂层的薄膜化装置能够解决问题。
抗蚀剂层薄膜化装

[发明专利]涂敷及显影装置、涂敷及显影方法-CN201010202685.X有效
发明人：原圭孝;香月信吾 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。
显影装置方法

[发明专利]涂敷·显影装置和涂敷·显影方法-CN200480042660.0有效
发明人：山本太郎;京田秀治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种涂敷·显影装置和涂敷·显影方法。在对应用液浸曝光的基板进行处理时，抑制从抗蚀剂溶出的成分的影响，从而进行高精度且面内均匀性高的涂敷、显影。构成为由涂敷单元在基板的表面涂敷抗蚀剂，然后利用第1清洗机构例如清洗喷嘴来清洗基板，之后再进行曝光。在该情况下，即使当曝光时在基板的表面形成使光透过的液层，由于从抗蚀剂溶出的成分较少，所以也可以进行线宽精度高的曝光处理，作为结果，可以在显影后的基板上形成精度高且面内均匀性高的抗蚀剂图形。
涂敷显影装置方法

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