“晶格失配结构”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9484646个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种晶体外延结构及生长方法-CN201811538579.1在审
发明人：胡双元;米卡·瑞桑 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种晶体外延结构及生长方法，旨在解决如何消除不匹配外延材料生长时的应变，晶体外延生长方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层，第一晶格失配层包括晶格渐变层和晶格稳定层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层，第二晶格失配层包括晶格过渡层和晶格失配功能层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减本发明第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。
晶格失配层晶体外延衬底晶格匹配层生长晶格半导体器件技术半导体器件性能晶格渐变层单调递减单调递增第二表面第一表面晶格常数晶格失配外延材料应变状态功能层过渡层稳定层位错匹配

[发明专利]一种晶体外延结构及生长方法-CN201711294749.1在审
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构及生长方法，晶体外延生长方法包括以下步骤在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本发明中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。
一种晶体外延结构生长方法

[实用新型]一种晶体外延结构-CN201721698988.9有效
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；晶格匹配层和第二晶格失配层，依次设置在所述第一表面上；第一晶格失配层，设置在所述第二表面上；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本实用新型中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。
晶格失配层晶体外延衬底本实用新型晶格匹配层第二表面第一表面半导体器件领域半导体器件性能单调递减单调递增晶格常数依次设置应变状态位错

[发明专利]降低硅衬底LED外延应力的方法以及结构-CN201010137778.9无效
发明人：汤英文;江风益;方文卿;王立 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低硅衬底LED外延应力的方法以及结构，用于解决镓回熔的问题，以及降低外延层与硅衬底之间的应力，以提高芯片的良率。本发明包括：在硅衬底上生长晶格失配层，晶格失配层为发光材料不会在其上成核、生长或相对缓冲层生长得更慢，且不与反应物中的气体物质发生反应的材料；对晶格失配层构图；在晶格失配层构图后的互补区域生长缓冲层；在缓冲层和晶格失配层上生长发光材料层，生长过程中，在晶格失配层上方形成空洞；将外延层转移到新的支撑衬底上，去除生长衬底，以及去除晶格失配层。
降低衬底 led 外延应力方法以及结构

[发明专利]一种体声波谐振器及其制作方法-CN202110831867.1在审
发明人：张智鹏;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：绍兴汉天下微电子有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种体声波谐振器及其制作方法，该方法包括：提供衬底，在衬底的内部或者表面形成声反射结构；在衬底的一侧形成第一电极，第一电极至少部分覆盖声反射结构；在第一电极背离衬底的一侧形成压电层，压电层内部或表面具有温度补偿层和至少一层第一晶格诱导层，任一第一晶格诱导层与压电层的晶格失配度小于温度补偿层与压电层的晶格失配度；在压电层背离衬底的一侧形成第二电极。由于第一晶格诱导层与压电层的晶格失配度小于温度补偿层与压电层的晶格失配度，因此，与温度补偿层相比，第一晶格诱导层与压电层的晶格更匹配，从而可以改善压电层与温度补偿层之间的晶格失配。
一种声波谐振器及其制作方法

[发明专利]晶格失配的多结太阳能电池结构-CN201910532221.6有效
发明人：吴真龙;李俊承;何胜;吴志明 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本申请提供一种晶格失配的多结太阳能电池结构，包括：衬底，至少一结与衬底的晶格常数失配的晶格失配子电池和生长在所述晶格失配子电池上的隧穿结；所述隧穿结包括：P型掺杂功能层和N型掺杂功能层；其中，所述P型掺杂功能层为掺杂本发明采用掺杂C的P型AlGaAsSb层或掺杂C的P型GaAsSb层，代替现有技术中掺杂C的p型(Al)InGaAs层，作为晶格失配太阳能电池的隧穿结结构的P型掺杂功能层。由于P型层中并不含有In组分，从而可以有效避免p型层因为C的掺杂反应源卤素气体抑制In组分并入，而导致的与太阳能电池中的体材料InGaAs晶格失配的问题。
晶格失配太阳能电池结构

[发明专利]一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法-CN201610801796.X有效
发明人：陆宏波;李欣益;张玮;张梦炎;郑奕;张华辉;陈杰;杨丞;张建琴 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法，该多结电池包含设置在多结电池末端的底电池，该底电池与衬底存在晶格失配。本发明通过在电池结构末端引入小失配底电池，降低了底电池材料的禁带宽度，提高了底电池光生电流，弥补了因底电池电流不足导致的多结电池电流失配。与此同时，小失配生长的底电池由于处于外延生长的末期，因晶格失配产生的晶格质量变差并不会对其它子电池产生影响。
一种含有末端失配电池太阳电池及其制备方法

[发明专利]具有降低了的位错缺陷密度的晶格失配的半导体结构和相关的器件制造方法-CN200680023212.5有效
发明人：安东尼·J·洛赫特费尔德;马修·T·柯里;程志渊;詹姆斯·菲奥里扎;格林·布雷恩维特;托马斯·A·郎杜 -专利权人：琥珀波系统公司
申请日： 2006-05-17 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种利用具有基本上耗尽了的线位错的上部的有限面积区域制造单片晶格失配的半导体异质结构的方法，以及基于这种晶格失配异质结构制造半导体器件的方法。
具有降低缺陷密度晶格失配半导体结构相关器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02809544.8无效
发明人：尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫 -专利权人：尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫
申请日： 2002-05-07 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的方法从生长在有不同晶格常数的衬底顶部的，原来位错和/或富于缺陷的晶格失配层，产生相干无位错区域，而不包含在晶格失配层生长之前或以后的任何处理步骤。该过程优选地在位错层的顶部原地形成一层帽层。该帽层最好有和下面衬底接近的晶格参数，而与在无应变状态下的晶格失配层的晶格参数不同。在这些条件下，该帽层在位错附近的区域受到弹性排斥，因为在该处晶格参数和衬底的晶格参数差别最大。当帽层比起下面的晶格失配层有一个较低的热蒸发率时，晶格失配层包含位错的那些区域就在足够高的温度下被选择性地蒸发，而在衬底上只留下原先富于位错的晶格失配层的相干、无缺陷区。在本发明的一个实施方案中，在无衬底上形成的无缺陷区的尺寸被优选地调到30－1000nm范围，这依赖于退火条件，帽层的厚度和晶格失配。也同时公开了用本方法制作的器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]LED芯片外延结构及其制备方法-CN202110851289.8有效
发明人：赖玉财;李森林;毕京锋 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片外延结构及其制备方法，其中，所述LED芯片外延结构从下至上依次包括：形成于衬底上的晶格缓冲层、底部缓冲层以及外延层，所述晶格缓冲层包括至少两层Al组分含量不同的结构层，且所述晶格缓冲层的晶格常数介于所述衬底与底部缓冲层之间本发明通过在衬底和底部缓冲层之间形成晶格缓冲层，利用晶格缓冲层不仅可以解决衬底与外延结构之间存在的热失配和晶格失配问题，还能阻挡衬底中的杂质进入外延结构中，以获得高质量的外延结构。
led 芯片外延结构及其制备方法

[发明专利]基于局域相位补偿原理的二维光学超晶格设计方法-CN200810124172.4无效
发明人：张超;秦亦强;朱永元 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：一种基于局域相位补偿原理的二维光学超晶格设计方法：先根据光程叠加原理计算超晶格不同位置的局域相位失配量，然后根据各点的局域相位失配量来直接设计超晶格结构；所需的超晶格结构由公式(1)获得；其中F(x,y
基于局域相位补偿原理二维光学晶格设计方法

[发明专利]一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法-CN202010363571.7有效
发明人：周勋;詹雯慧;王鹏 -专利权人：成都英飞睿技术有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本申请提供一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法，采用背入式p‑i‑i‑n或n‑i‑i‑p的延伸波长探测器结构，也即，所述探测器结构包括双本征吸收层结构，所述双本征吸收层结构包括晶格匹配本征吸收层和晶格微失配本征吸收层，将两种本征吸收层相结合；其中，晶格匹配本征吸收层用以提升整体量子效率，晶格微失配本征吸收层的厚度控制在晶格弛豫临界厚度范围内，以达到完全应变，显著降低失配位错缺陷，实现在扩展响应截止波长的同时也可有效抑制探测器暗电流
一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法

[发明专利]应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层-CN201910677591.9在审
发明人：刘建庆;高熙隆;文宏;刘雪珍;刘恒昌 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底(或与衬底晶格常数相同的外延层)之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本发明将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中，既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度，又可以充分发挥反射镜的作用，同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗，有利于降低成本
晶格失配晶格渐变缓冲层半导体材料层太阳能电池晶格常数外延材料复合两层原材料损耗衬底晶格反射波段工艺步骤梯度变化外延生长应变补偿有机融合生长反射镜外延层折射率衬底叠置对叠宽谱失配时长位错反射引入应用

[实用新型]应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层-CN201921181179.X有效
发明人：刘建庆;高熙隆;文宏;刘雪珍;刘恒昌 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底(或与衬底晶格常数相同的外延层)之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本实用新型将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中，既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度，又可以充分发挥反射镜的作用，同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗，有利于降低成本
应用于晶格失配太阳能电池外延生长渐变缓冲

[实用新型]一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构-CN201821861341.8有效
发明人：高熙隆;刘建庆;刘雪珍;宋欣慰;刘恒昌 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构，为叠置于晶格渐变缓冲层之上的GaInNAs/AlGaInAs周期结构，GaInAs子电池叠置于该GaInNAs/AlGaInAs周期结构之上，GaInNAs/AlGaInAs周期结构的GaInNAs折射率较AlGaInAs折射率高，且GaInNAs与AlGaInAs之间及GaInNAs与GaInAs子电池的基区材料GaInAs之间存在晶格失配，失配度不超过3％，这种应变补偿结构有助于应力的释放和位错滑移。本实用新型可以降低失配引入的外延层中的缺陷密度，提高材料质量，可以提升GaInAs子电池抗辐照性能，增加电池的整体短路电流、开路电压、填充因子等技术指标，提高电池整体光电转换效率。
晶格失配周期结构子电池多结太阳能电池本实用新型折射率电池晶格渐变缓冲层光电转换效率抗辐照性能短路电流基区材料技术指标开路电压填充因子应变补偿失配度外延层滑移失配位错应用释放引入

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条