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[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201710631999.3有效
发明人：胡双元;朱忻;黄勇;颜建;吴文俊;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供一种低温度漂移的霍尔元件及其制备方法，其中霍尔元件包括层叠设置的衬底层、半导体功能层和电极层；半导体功能层为N型掺杂的InxGa1‑xAs1‑2xP2x层，其中，x的值大于0.01且不大于0.5。半导体功能层为InxGa1‑xAs1‑2xP2x四元合金，温度稳定性高，使得霍尔元件的输出电压温度系数性能有了大幅改善，在霍尔元件应用电路中，不再需要配备温度补偿电路，简化霍尔元件的应用，提高整机的可靠性。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法-CN201910088517.3在审
发明人：朱忻;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及光纤通信传输技术领域，具体涉及一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法，旨在解决现有技术中铌酸锂波导芯片的尺寸较大、制备工艺较为复杂、封装工艺较为简陋的问题，其技术要点在于使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而减小铌酸锂光调制器上金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压低；通过调节氢化非晶硅的厚度在保证波导尺寸的前提下最大化器件的光电效应，通过控制二氧化硅的厚度以及金属电极的厚度，能够保证较好的射频匹配，而与外界连接的光纤接口通过在穿过波导层的波导线实现；完善的封装工艺可以降低漏电现象发生的概率，避免因环境潮湿而导致的短路现象的发生。
铌酸锂光调制器制备氢化非晶硅封装工艺波导减小封装光纤通信传输上金属电极铌酸锂波导波导结构短路现象二氧化硅高折射率光电效应光纤接口环境潮湿技术要点金属电极漏电现象制备工艺铌酸锂基波导层波导线电压低非晶硅最大化射频调制匹配芯片穿过保证概率

[发明专利]一种太赫兹波发射器-CN201810921732.2在审
发明人：韩浚源;和田修;肖金龙;翁海中;王福丽;杨跃德;黄永箴 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种太赫兹波发射器，该发射器主要包括微腔激光器、半导体光放大器和光电二极管混频器。三部分通过集成或部分集成形成不同结构的太赫兹波发射器。外部调制信号可以通过调制微腔激光器电流、半导体光放大器电流或光电二极管偏置电压输入太赫兹波发射器。
发射器太赫兹波半导体光放大器光电二极管微腔激光器外部调制信号偏置电压混频器调制

[实用新型]一种晶体外延结构-CN201721698988.9有效
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；晶格匹配层和第二晶格失配层，依次设置在所述第一表面上；第一晶格失配层，设置在所述第二表面上；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本实用新型中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。
晶格失配层晶体外延衬底本实用新型晶格匹配层第二表面第一表面半导体器件领域半导体器件性能单调递减单调递增晶格常数依次设置应变状态位错

[实用新型]一种半导体激光器-CN201721745092.1有效
发明人：马栋梁;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体激光器，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光器产生的热量通过金属层传递到半导体制冷器向外界吸热的冷端，相较于现有技术中单独为半导体激光器配备半导体制冷器，最终使封装的半导体激光器体积减小,提高激光器的性能。
半导体激光器半导体制冷器金属层封装本实用新型吸热体积减小整体封装激光器冷端芯片传递配备

[发明专利]一种半导体激光器-CN201711338382.9在审
发明人：马栋梁;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光器产生的热量通过金属层传递到半导体制冷器向外界吸热的冷端，相较于现有技术中单独为半导体激光器配备半导体制冷器，最终使封装的半导体激光器体积减小,提高激光器的性能。
一种半导体激光器

[发明专利]一种晶体外延结构及生长方法-CN201711294749.1在审
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构及生长方法，晶体外延生长方法包括以下步骤在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本发明中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。
一种晶体外延结构生长方法

[发明专利]齿条小齿轮式转向齿轮单元-CN201480016370.2有效
发明人：上野星治;和田修 -专利权人：日本精工株式会社
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： B62D3/12 文献下载
摘要：齿条小齿轮式转向齿轮单元包括齿条轴和筒部。将长条的金属板弯曲并使该金属板的宽度方向两端的边缘彼此对接而将齿条轴整体构成为中空管状。筒部外嵌在齿条轴的端部。
齿条小齿轮转向齿轮单元

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN201410817737.2有效
发明人：胡双元;朱忻;帕勒布.巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明所述的一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层和钝化层；钝化层中开设有暴露InP帽层部分区域的通孔，沿通孔内侧壁形成环形第二电极，第二电极的部分区域延伸至钝化层的上部，形成搭接区；搭接区上部直接设置有电极引线；沿通孔靠近接触区的一侧的任一切线方向，形成有贯通InP缓冲层、InGaAs光敏层以及InP帽层的沟道，并沿InP衬底的平行面方向，将三者分割为两部分；这就使得电极引线无法与其垂直下方的各半导体层形成电容结构，或者即使形成的电容结构也不能连接到光电探测器电路中，有效减少了电极引线形成的寄生电容，提高了光电探测器的响应速度。
一种光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种光电探测器-CN201420832879.1有效
发明人：胡双元;朱忻;帕勒布.巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型所述的一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层和钝化层；钝化层中开设有暴露InP帽层部分区域的通孔，沿通孔内侧壁形成环形第二电极，第二电极的部分区域延伸至钝化层的上部，形成搭接区；搭接区上部直接设置有电极引线；沿通孔靠近搭接区的一侧的任一切线方向，形成有贯通InP缓冲层、InGaAs光敏层以及InP帽层的沟道，并沿InP衬底的平行面方向，将三者分割为两部分；这就使得电极引线无法与其垂直下方的各半导体层形成电容结构，或者即使形成的电容结构也不能连接到光电探测器电路中，有效减少了电极引线形成的寄生电容，提高了光电探测器的响应速度。
一种光电探测器

[发明专利]一种具有透明电极的铟镓砷光电探测器-CN201410817679.3在审
发明人：胡双元;朱忻;帕勒布.巴特查亚;常瑞华;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有透明电极的InGaAs光电探测器，其中正面透明电极由石墨烯构成。石墨烯通过化学气相沉积转移法制备，置于InP帽层之上，作为环形正电极，取代传统的金属电极。石墨烯因其优越的透光性能，在相同光敏台面的情况下，可以大大提高器件的光谱响应度和耦合效率。
一种具有透明电极铟镓砷光电探测器

[发明专利]渐进屈光力眼镜片的设计方法-CN201110269249.9有效
发明人： 和田修;加贺唯之 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G02C7/02 文献下载
摘要：本发明提供渐进屈光力眼镜片的设计方法。在加入度(Add)大的情况下，减小渐进开始点(S)在主子午线上与配适点(F)的距离(d)，并且增大渐进带长度(L)，在加入度(Add)小的情况下，增大渐进开始点(S)在主子午线上与配适点(F)的距离(d)，并且减小渐进带长度(L)，由此设计渐进屈光力眼镜片。本发明提供能够提供无论是对于初次佩带者还是花眼严重的佩带者都便于使用的渐进屈光力眼镜片的设计方法。
渐进屈光力眼镜片设计方法

[发明专利]眼镜镜片选择方法以及眼镜镜片选择系统-CN201110145973.0无效
发明人： 和田修 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G02C7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种眼镜镜片选择方法以及眼镜镜片选择系统，测定眼球下转量Indih，根据该眼球下转量Indih、远用部区域的眼点高度Fh、渐进带长SPh以及近用部区域的眼点高度Nh，利用ΔE＝Indih-(Fh+SPh+Nh)的式子求出ΔE，根据该ΔE、镜片高度Bh、远用部区域的眼点高度Fh、渐进带长SPh、近用部区域的眼点高度Nh以及下部镜框高度Uh，利用Oh＝Bh-(Fh+SPh+Nh+ΔE+Uh)的式子求出Oh，选择满足0mm＜ΔE＜2mm且0mm＜Oh的条件的眼镜镜片。
眼镜镜片选择方法以及系统

[发明专利]眼镜镜片选择系统以及眼镜镜片选择方法-CN201110095201.0无效
发明人： 和田修 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G02C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种眼镜镜片选择系统以及眼镜镜片选择方法。眼镜镜片选择系统具有制造商侧终端以及设置于眼镜店等且经由互联网与制造商侧终端连接的多个商店侧终端。眼镜镜片选择系统将由眼镜店等测定出的包括眼球下转量和侧视量在内的各种参数从商店侧终端发送到制造商侧终端，制造商侧终端分析接收到的各种参数，选择最适合的渐进屈光力镜片，并将其结果发送到商店侧终端。
眼镜镜片选择系统以及方法

[发明专利]眼镜片佩戴状态参数测定装置和测定方法-CN201110078658.0无效
发明人： 和田修 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： G02C13/00 文献下载
摘要：本发明提供眼镜片佩戴状态参数测定装置和测定方法，该眼镜片佩戴状态参数测定装置测定制作眼镜而所需的佩戴状态参数，该装置具有：具有映出眼镜片佩戴者的佩戴状态的镜面的镜子；摄像用照相机，其同时拍摄所述佩戴者和映出所述佩戴者的所述镜面；以及计算装置，其根据由所述摄像用照相机拍摄的摄像图像数据，计算所述佩戴状态参数。
眼镜片佩戴状态参数测定装置方法

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