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[发明专利]半导体电路及半导体器件-CN96120188.6无效
发明人：牧田樹 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 1996-09-23 - 公布日： 2002-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有CMOS结构的半导体电路，此CMOS结构包括n沟道道晶体管和p沟道晶体管，它们都具有由硅薄膜形成的有源区，此硅薄膜具有位于一具有绝缘表面的衬底上的结晶性。n沟道道晶体管和p沟道晶体管互补地构成CMOS结构。p沟道晶体管包含可增强有源区中非晶薄膜结晶性的催化剂元素，n沟道晶体管有源区中催化剂元素的浓度低于p沟道晶体管有源区中催化剂元素的浓度。
半导体电路半导体器件

[发明专利]一种内嵌式显示屏的GIP驱动电路及其控制方法-CN202110212006.5在审
发明人：谢建峰;熊克 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明涉及GIP驱动电路技术领域，特别涉及一种内嵌式显示屏的GIP驱动电路及其控制方法，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12、晶体管T13、晶体管T14、晶体管T15、晶体管T16、晶体管T17、晶体管T18、晶体管T19、晶体管T20、晶体管T21和电容C1，晶体管T1的源极分别与晶体管T2的栅极、晶体管T3的漏极、晶体管T7的漏极、晶体管T21的栅极、晶体管T9的漏极、晶体管T18的漏极、晶体管T4的栅极和电容C1的一端电连接，这样能够提高显示屏的显示品质。
一种内嵌式显示屏 gip 驱动电路及其控制方法

[实用新型]一种内嵌式显示屏的GIP驱动电路-CN202120418134.0有效
发明人：谢建峰;熊克 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及GIP驱动电路技术领域，特别涉及一种内嵌式显示屏的GIP驱动电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12、晶体管T13、晶体管T14、晶体管T15、晶体管T16、晶体管T17、晶体管T18、晶体管T19、晶体管T20、晶体管T21和电容C1，晶体管T1的源极分别与晶体管T2的栅极、晶体管T3的漏极、晶体管T7的漏极、晶体管T21的栅极、晶体管T9的漏极、晶体管T18的漏极、晶体管T4的栅极和电容C1的一端电连接，这样能够提高显示屏的显示品质。
一种内嵌式显示屏 gip 驱动电路

[发明专利]一种三维堆叠的闪存结构及其制备方法-CN201810069437.9有效
发明人：金鎭湖;康太京 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维堆叠的闪存结构，包括：基板；支撑板，形成于基板的上表面，由半导体材料制备形成；第一侧面结构；第二侧面结构；第一侧面结构包括上下堆叠的多个第一晶体管控制结构，且相邻的第一晶体管控制结构之间通过第一隔离层相隔离；第二侧面结构包括上下堆叠的多个第二晶体管控制结构，且相邻的第二晶体管控制结构之间通过第二隔离层相隔离；每个第一晶体管控制结构与支撑板组成相连的多个第一晶体管；每个第二晶体管控制结构与支撑板组成相连的多个第二晶体管；能够形成三维堆叠的闪存结构，能够使得晶体管列的布局面积最小化，同时充分扩张晶体管的传送通道的长度，极大提高存储性能。
一种三维堆叠闪存结构及其制备方法

[发明专利]显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法-CN201611147799.2有效
发明人：楼均辉;吴天一 -专利权人：上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法，其中，阵列基板的制作方法包括：提供第一基板；在所述第一基板表面形成多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管具有与所述第一薄膜晶体管不同的绝缘阻挡层，以使所述第二薄膜晶体管的阈值电压高于所述第一薄膜晶体管的阈值电压。在利用所述薄膜晶体管形成栅极驱动电路时，可以利用阈值电压较高的第二薄膜晶体管作为所述栅极驱动电路的驱动信号输出薄膜晶体管，从而避免出现由于所述栅极驱动电路的驱动信号输出薄膜晶体管的阈值电压过小而使得所述栅极驱动电路出现输出多脉冲的异常
显示面板显示装置阵列及其制作方法

[发明专利]用于使用金属绝缘体转变装置来控制晶体管的辐射热的方法和电路-CN200880124527.8有效
发明人：金铉卓;李熔旭;金俸准;尹善真 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：提供了用于控制功率晶体管的热生成的方法和电路，其中可通过使用金属绝缘体转变(MIT)装置来防止功率晶体管的热生成而保护功率晶体管，该金属绝缘体转变装置可用作保险丝并且可以半持久地使用。所述用于控制晶体管的热生成的电路包括：金属绝缘体转变(MIT)装置，其中在预定的临界温度处发生突然MIT；以及功率晶体管，连接到驱动装置，并控制对驱动装置的功率供应，其中，所述MIT装置被附着到晶体管的表面或发热部分，并且从电路角度而言、被连接到晶体管的基极端子或栅极端子或者周围电路，以及其中，当晶体管的温度增加到等于或大于预定的临界温度的温度时，MIT装置减少或关断晶体管的电流，以便防止晶体管的热生成。
用于使用金属绝缘体转变装置控制晶体管辐射热方法电路

[发明专利]触控显示装置及其制备方法-CN201510632696.4在审
发明人：张迅;张伯伦;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触控显示装置，包括薄膜晶体管显示模组，所述薄膜晶体管显示模组包括薄膜晶体管基板及与薄膜晶体管基板间隔设置的彩色滤光片基板，所述触控显示装置还包括导电层及通过引线与所述导电层连接的石墨烯层，所述导电层层叠于所述薄膜晶体管基板表面，所述石墨烯层形成于所述彩色滤光片基板表面。
显示装置及其制备方法

[发明专利]降低源极/漏极的晶体管及其制造方法-CN200510115133.4无效
发明人：朱慧珑;L·克莱文格;O·H·多库马奇;O·格卢斯陈克夫;K·A·库马尔;C·J·拉登斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种新颖晶体管结构和用于制造该结构的方法。所述新颖晶体管结构包括第一和第二源极/漏极(S/D)区域，这些区域的上表面低于所述晶体管结构的沟道区域的上表面。用于制造所述晶体管结构的方法开始于平面半导体层和所述半导体层上的栅极叠层。接着，除去所述栅极叠层的相反侧上的所述半导体层的顶部区域。接着，掺杂所述除去的区域之下的区域，以形成所述晶体管结构的降低的S/D区域。
降低晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示设备-CN201380068063.4在审
发明人：权世烈;曹旻求;尹相天 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、以及包括薄膜晶体管的显示设备。薄膜晶体管包括在氧化物半导体层上形成的栅电极，使得氧化物半导体层的第一表面面对栅电极。源电极和漏电极分别电连接至氧化物半导体层。氧化物半导体层、栅电极、源电极和漏电极以共面晶体管构造布置。还布置光阻挡元件，以使氧化物半导体层的第二表面免遭受外部光。
薄膜晶体管及其制造方法以及包括显示设备

[发明专利]固态摄像装置及固态摄像装置的制造方法-CN201510740792.0在审
发明人：加藤雅纪;南孝明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：实施方式的固态摄像装置及固态摄像装置的制造方法具备半导体层、像素晶体管的栅极、周边电路晶体管的栅极、氮化硅膜、及侧壁。在半导体层设置有光电二极管与浮动扩散体。像素晶体管的栅极隔着栅极氧化膜设置于半导体层的表面。周边电路晶体管的栅极隔着栅极氧化膜设置于半导体层的表面。氮化硅膜隔着栅极氧化膜设置于半导体层中的光电二极管的上表面。侧壁设置于除像素晶体管的栅极的光电二极管侧的侧面以外的至少一个侧面。
固态摄像装置制造方法

[实用新型]晶体管的外延结构-CN202222104273.3有效
发明人：姜亚博;肖金平;贾利芳;闻永祥 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体管的外延结构，所述外延结构包括：衬底以及位于所述衬底表面上的外延层；所述外延层包括：位于所述衬底表面上的成核层；位于所述成核层表面上的缓冲层；位于所述缓冲层表面上的沟道层；位于所述沟道层表面上的插入层；位于所述插入层表面上的势垒层；位于所述势垒层表面上的间隔层；位于所述间隔层表面上的非故意掺杂层；位于所述非故意掺杂层表面上的P型层。本申请技术方案所述的外延结构，可以有效提高P沟道晶体管性能，并且同时集成N沟道晶体管与P沟道晶体管，可以用于GaN基晶体管构架互补型逻辑电路。
晶体管外延结构

[实用新型]一种晶体管固定组件-CN202020456603.3有效
发明人：李冬梅;王林祥;许韶健;李金焕;谢远清 -专利权人：广州华微电子有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体管固定组件,包括晶体管和固定板，所述固定板的前表面设有用于容纳晶体管的凹槽，所述凹槽内设有固定销，所述晶体管上设有与固定销相配合的固定孔，所述凹槽的左内壁和右内壁上分别固定有第一弹性卡紧件和第二弹性卡紧件，所述第一弹性卡紧件和第二弹性卡紧件分别卡紧晶体管的左侧边和右侧边。本实用新型通过第一弹性卡紧件和第二弹性卡紧件不断交替地对晶体管进行压缩和复原，避免了晶体管膨胀对凹槽的内壁产生挤压，造成晶体的破裂，延长了晶体管的使用寿命。
一种晶体管固定组件

[发明专利]晶体管连接结构及其制备方法-CN202211526498.6在审
发明人：华文宇;张帜 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管连接结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供一基底，所述基底包括阵列排列的多个垂直栅极晶体管；在所述基底的第一表面形成隔离层，部分刻蚀所述隔离层至暴露出所述垂直栅极晶体管，以形成电容孔，所述电容孔包括多个暴露出单个垂直栅极晶体管的第一电容孔、以及至少一暴露出多个相邻垂直栅极晶体管的第二电容孔；在所述第一电容孔和第二电容孔内分别形成第一电容和第二电容，每个所述第一电容串连接一个垂直栅极晶体管，每个所述第二电容孔连接多个相邻垂直栅极晶体管。本发明通过做出大尺寸的大电容，完成多个相邻晶体管源极的连接，可实现多个晶体管串联或并联。
晶体管连接结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201610214517.X有效
发明人：权大振;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：该半导体器件包括：SRAM单元，包括形成在衬底上的第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和第一传输晶体管；第一读缓冲晶体管，连接到第一上拉晶体管的栅极端子和第一下拉晶体管的栅极端子；以及第二读缓冲晶体管，与第一读缓冲晶体管共用漏极端子，其中第一读缓冲晶体管包括：第一沟道图案，在垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一栅电极，覆盖第一沟道图案的一部分；以及第一漏极图案，不接触第一栅电极，在第一方向上延伸，并电连接到第一沟道图案。
半导体器件

[发明专利]半导体器件以及集成电路-CN201611115120.1有效
发明人：梁孟松;石城大;裵金钟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：提供在基板上的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管至第三晶体管的每个包括彼此间隔开的源漏区域、在基板上在第一方向上延伸并插置在源漏区域之间的栅结构、以及将源漏区域连接到彼此的沟道区第二晶体管的沟道区和第三晶体管的沟道区的每个包括多个沟道部分，所述多个沟道部分在垂直于基板的上表面的第二方向上彼此间隔开并分别连接到源漏区域。第三晶体管的沟道部分在第一方向上的宽度大于第二晶体管的沟道部分在第一方向上的宽度。
半导体器件以及集成电路