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[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201310398715.2有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有侧壁倾斜的伪鳍部，所述伪鳍部的顶部宽度小于底部宽度；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与伪鳍部的表面齐平；去除部分高度的伪鳍部，形成凹槽；在所述凹槽内沉积半导体材料形成外延层，所述外延层的表面与介质层的表面齐平。上述鳍式场效应晶体管的形成方法能够提高形成的鳍式场效应晶体管晶体管的性能。
场效应晶体管形成方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板-CN201710392164.7有效
发明人：刘晓伟;刘勃;黄中浩;樊超;王洋;安亚斌;刘正 -专利权人：福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，涉及显示技术领域，用于在减小薄膜晶体管尺寸的前提下，提高薄膜晶体管的良品率。所述薄膜晶体管形成在衬底基板，所述薄膜晶体管包括栅极和有源层；所述有源层面向所述衬底基板的表面设置第一信号金属层，所述有源层背离所述第一信号金属层的表面设置第二信号金属层；所述有源层包括导电沟道形成区，本发明提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板用于薄膜晶体管的小型化。
一种薄膜晶体管及其制作方法阵列

[发明专利]汽车交流发电机电压调节器模块-CN201910922165.7有效
发明人：郭玉洁;张旭;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H02H7/08 文献下载
摘要：一种汽车交流发电机电压调节器模块，包括导电散热过度片、励磁晶体管裸片、续流二极管裸片和电压调节器控制芯片。导电散热过度片用于导电及散热；励磁晶体管裸片位于导电散热过度片表面，控制发电机转子励磁电流的通断；续流二极管裸片位于导电散热过度片表面，与励磁晶体管裸片不直接接触，当励磁晶体管处于关闭状态时，消耗掉发电机转子中的电流；电压调节器控制芯片贴装在励磁晶体管裸片表面，电压调节器控制芯片的控制端子和励磁晶体管裸片的栅极使采用引线键合方式形成电连接，根据发电机的输出电压控制励磁晶体管打开和关闭，本发明采用三维堆叠结构将励磁晶体管裸片和和电压调节器控制芯片分开制造再集成
汽车交流发电机电压调节器模块

[发明专利]CMOS晶体管的制作方法-CN201210393118.6在审
发明人：韦庆松;于书坤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS晶体管的制作方法，包括：提供包括NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域的半导体衬底；在其上形成栅极结构；在NMOS晶体管区域的半导体衬底上形成掩膜层，形成PMOS晶体管LDD区；然后形成应力衬垫层，再在PMOS晶体管区域表面形成阻挡层，在NMOS晶体管区栅极结构两侧的半导体衬底内形成LDD区。本发明中，先进行PMOS晶体管的LDD离子注入，然后形成PMOS晶体管区域的应力衬垫层并进行原位掺杂，然后再进行NMOS晶体管的LDD离子注入，解决了现有技术的“前应力衬垫层工艺”中进行原位掺杂的过程中长时间的高温环境和
cmos 晶体管制作方法

[发明专利]显示装置-CN202110110824.4在审
发明人：陈嘉源;蔡宗翰;李冠锋 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请提供一种显示装置，包含基板、驱动层、发光元件以及遮光元件，基板具有表面，驱动层包含薄膜晶体管，薄膜晶体管设置于表面上，发光元件具有P端以及N端，发光元件设置于驱动层上且以连接P端及N端的虚拟线与表面平行的方式排列，遮光元件设置于发光元件与薄膜晶体管之间，以阻挡从发光元件发射的光线照射至薄膜晶体管。
显示装置

[发明专利]半导体器件-CN201110333626.0有效
发明人：岛昌司;西乡薰;三沢信裕;佐佐木孝朗 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：晶体管阵列，其包括多个晶体管，每个晶体管具有沿第一方向延伸的栅电极，所述多个晶体管沿与所述第一方向相交的第二方向布置；以及焊盘电极，沿所述晶体管阵列的所述第一方向布置并电连接至所述多个晶体管的源极区本发明的半导体器件在半导体衬底的表面侧具有高散热效率并且能够以低成本安装。
半导体器件

[发明专利]一种柔性薄膜晶体管及其制备方法-CN201710344614.5在审
发明人：刘翔 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性薄膜晶体管及其制造方法，包括柔性基底；设置在柔性基底上的无机绝缘层；以及设置在无机绝缘层上的薄膜晶体管；其中，无机绝缘层朝向薄膜晶体管一侧的表面设置有粗糙结构。本发明的柔性薄膜晶体管及其制备方法，通过在柔性基底上设置无机绝缘层，且该无机绝缘层朝向薄膜晶体管一侧的表面设置有粗糙结构，从而使得薄膜晶体管不易与柔性基底分离，进而提高器件的显示水平；并且可以有效提高器件的阻水汽性能
一种柔性薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]双视野显示装置、双视野显示面板及其制造方法-CN200810186704.7无效
发明人：黄建智;杨咏舜;林肇廉 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：一种双视野显示面板的制造方法包括下列步骤：将薄膜晶体管基板设置于彩色滤光片基板的一侧，其中薄膜晶体管基板具有第一表面及第二表面，彩色滤光片基板具有第一表面及第二表面，薄膜晶体管基板的第一表面与彩色滤光片基板的第一表面相对设置，且薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板之间形成液晶腔穴。将屏蔽元件设置于彩色滤光片基板的第二表面上或薄膜晶体管基板的第二表面上。本发明也公开了一种双视野显示面板及双视野显示装置。
视野显示装置显示面板及其制造方法

[发明专利]一种GIP电路及驱动方法-CN202011345449.3在审
发明人：谢建峰;熊克 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公布了一种GIP电路及驱动方法，GIP电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10和电容；所述晶体管T1的漏极连接FW，所述晶体管T1连接所述晶体管T2；所述晶体管T2连接晶体管T5、晶体管T4、晶体管T8和晶体管T6；晶体管T4连接Vg(n)和晶体管T7；晶体管T5连接晶体管T9；晶体管T8连接晶体管T10；晶体管T5、晶体管T8和晶体管T10连接BW。上述技术方案通过控制Q1节点的电压，使得晶体管T6和晶体管T8都不发生漏电，从而让Q节点没有了漏电路径，Q节点没有漏电产生，Vg(n)处的输出波形不会失真。改善显示屏的显示品质，提升显示屏的观感。
一种 gip 电路驱动方法

[实用新型]一种GIP电路-CN202022779958.9有效
发明人：谢建峰;熊克 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种GIP电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10和电容；所述晶体管T1的漏极连接FW，所述晶体管T1连接所述晶体管T2；所述晶体管T2连接晶体管T5、晶体管T4、晶体管T8和晶体管T6；晶体管T4连接Vg(n)和晶体管T7；晶体管T5连接晶体管T9；晶体管T8连接晶体管T10；晶体管T5、晶体管T8和晶体管T10连接BW。上述技术方案通过控制Q1节点的电压，使得晶体管T6和晶体管T8都不发生漏电，从而让Q节点没有了漏电路径，Q节点没有漏电产生，Vg(n)处的输出波形不会失真。可以改善显示屏的显示品质，提升显示屏的观感。
一种 gip 电路

[发明专利]制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法-CN200610168436.7有效
发明人：丁世汎;黄正同;吴劲昌;李坤宪;洪文瀚;郑礼贤;沈泽民;郑子铭;李年中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：首先提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一有源区域用以制备一第一晶体管以及一第二有源区域用以制备一第二晶体管。然后形成一第一栅极结构于该第一有源区域上、一第二栅极结构于该第二有源区域上以及一第一间隙壁于各栅极结构上，接着形成该第一晶体管与该第二晶体管的源极与漏极区域。随后移除该第一栅极结构与该第二栅极结构周围的第一间隙壁、覆盖一遮盖层于该第一晶体管及该第二晶体管表面以及去除该第二晶体管表面的该遮盖层。然后各形成一凹槽于该第二晶体管的栅极结构上及周围，接着于该凹槽内分别形成一外延层。
制作应变互补金属氧化物半导体晶体管方法

[发明专利]源极分开的单元-CN201680055213.1在审
发明人： S·萨胡;X·陈;V·伯纳帕里;H·B·利姆;M·库普塔;H·康;C·高;R·古塔尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种MOS器件包括第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有第一MOS晶体管源极、第一MOS晶体管漏极和第一MOS晶体管栅极。该MOS器件还包括第二MOS晶体管，该第二MOS晶体管具有第二MOS晶体管源极、第二MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管栅极。第二MOS晶体管源极和第一MOS晶体管源极耦合到第一电压源。该MOS器件包括第三MOS晶体管，该第三MOS晶体管具有第三MOS晶体管栅极，该第三MOS晶体管栅极在第一MOS晶体管源极与第三MOS晶体管源极之间，该第三MOS晶体管进一步具有第三MOS晶体管源极和第三MOS晶体管漏极，该第三MOS晶体管源极耦合到第一MOS晶体管源极，该第三MOS晶体管漏极耦合到第二MOS晶体管源极，该第三MOS晶体管栅极处于浮置。
分开单元

[发明专利]显示基板、显示面板及显示装置-CN202011165728.1在审
发明人：刘文渠;崔钊;张锋;姚琪;董立文;孟德天;宋晓欣;王利波;侯东飞;岳阳;黄海涛 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示基板、显示面板及显示装置，包括：衬底基板；多个第一晶体管和多个第二晶体管，位于衬底基板之上；多个超声波传感器，位于多个第一晶体管和多个第二晶体管背离衬底基板的一侧；多个超声波传感器与多个第一晶体管对应电连接，多个超声波传感器用于产生超声波并感测指纹按压衬底基板背离多个第一晶体管和多个第二晶体管一侧的表面时带来的超声波变化；多个像素电极，位于多个超声波传感器背离衬底基板的一侧，多个像素电极与多个第二晶体管一一对应电连接
显示面板显示装置

[发明专利]一种光电晶体管引脚拉直系统-CN202010153699.0有效
发明人：王凯盛 -专利权人：武汉哈撒给科技有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B21F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电晶体管引脚拉直系统，包括圆底盘、夹持模块、拉伸模块和光电晶体管，圆底盘的上表面设置有夹持模块，夹持模块的上方设置有拉伸模块，拉伸模块的顶端搭接有光电晶体管。本发明通过设置夹持模块，可以夹紧光电晶体管的引脚，并且可以循环夹持和松放，同时还可以对光电晶体管引脚的本身进行加热，达到软化引脚的目的，从而使本装置在拉伸过程中更加快捷，通过设置拉伸模块，可以适应不同光电晶体管的引脚的长度，同时可以对光电晶体管的引脚进行拉伸，从而解决光电晶体管引脚不直的问题。
一种光电晶体管引脚拉直系统

[实用新型]一种改良的晶体管-CN201220539366.2有效
发明人：施金佑 -专利权人：佛山市南海区宏乾电子有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种改良的晶体管，包括晶体管本体与管脚，其特点在于所述管脚的长度L做成为1.3cm。其中，所述管脚由金属铜材料制作而成，该管脚的表面还包覆有一层金属银材料层。所述管脚由固接部与针脚部构成，所述固接部与晶体管本体相固接一起。本实用新型通过将晶体管的管脚控制在1.3cm长的范围，既不影响到晶体管的正常安装使用，使晶体管安装应用起来更简便，无须进行裁剪多余的管脚，又可以有效地节省原材料，避免生产资源的过度浪费，降低晶体管的生产成本，提高了晶体管的市场竞争力。
一种改良晶体管