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[发明专利]恒定GM电流源-CN202180083652.4在审
发明人：吴信达 -专利权人：北欧半导体公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种恒定gm电流源(102)，被布置为生成用于皮尔斯振荡器的供电电流(IPIERCE)。第一(P1)晶体管和第二(N1)晶体管具有分别连接到第一(AVDD)供电轨和第二(GND)供电轨的其源极端子，并且它们的漏极端子连接在一起并连接到第一晶体管(P1)的栅极端子。第三(P2)晶体管和第四(N2)晶体管具有分别连接到第一(AVDD)供电轨和第二(GND)供电轨的其源极端子，并且它们的漏极端子连接在一起并连接到第四晶体管(N2)的栅极端子。输出部分(N3、P4、P5)响应于第三晶体管和第四晶体管(P2、N2)的漏极端子处的电压而改变供电电流(IPIERCE)。第一(P1)晶体管和第三(P2)晶体管的栅极端子连接在一起并接收栅极电压(vgp)，并且第二晶体管(N1)和第四晶体管(N2)的栅极端子连接在一起。连接在第三晶体管(P2)的源极端子和第一供电轨(AVDD)之间的参考电阻元件(R1’)具有预定的电阻值。自动校准晶体管(R2,P6)的源极端子连接到第一供电轨(AVDD)并且其漏极端子连接到第一晶体管(P1)的源极端子。自动校准晶体管(R2,P6)的栅极端子被供应栅极电压(vgp)。
恒定 gm 电流

[发明专利]恒定电压生成电路-CN202180037505.3在审
发明人：住友弘典 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：例如，恒定电压生成电路包括第一晶体管和第二晶体管、被配置为连接在第一晶体管的栅极和源极之间的第一电阻器、被配置为其中流过电流的第二电阻器，所述电流的值与流过第一电阻器的电流的值相等。通过使用第一晶体管和第二晶体管的栅极‑源极电压之间的差和第二电阻器两端的端子到端子电压来生成第一恒定电压。
恒定电压生成电路

[发明专利]偏置电路、传感器设备以及无线传感器设备-CN202080098640.4在审
发明人：小岛友和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：电流镜电路(120)与电流生成电路(110a)经由第一节点(N1)和第二节点(N2)在电源节点(Nd)与接地节点(Ng)之间串联连接。构成电流镜电路(120)的晶体管(MP1、MP2)的栅极经由第一开关(S1)连接于供给该晶体管的截止电压(AVDD)的节点(Nd)，且经由第二开关(S2)连接于第二节点(N2)。第二节点(N2)经由第三开关(S3)连接于供给该晶体管的导通电压(AGND)的节点(Ng)。在电路启动前，第一开关(S1)和第三开关(S3)导通，而第二开关(S2)截止。在电路启动后，第一～第三开关(S1～S3)的导通截止被调换。
偏置电路传感器设备以及无线

[发明专利]恒定电压生成电路-CN202180014654.8在审
发明人：安坂信 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明提供一种输出电压精度高的恒定电压生成电路。恒定电压生成电路(1)具有：耗尽型的第一晶体管(M1)及增强型的第二晶体管(M2)，它们构成了ED型基准电压源；以及电阻(R1)，其连接在所述第一晶体管(M1)的栅极与源极之间。例如，所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)都是NMOSFET。此外，例如，所述第一晶体管(M1)的漏极与输入电压(VIN)的施加端连接，所述第二晶体管(M2)的源极与基准电位端连接，所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)各自的栅极以及所述第二晶体管(M2)的漏极都与恒定电压(VREF)的输出端连接。
恒定电压生成电路

[发明专利]可编程温度系数模拟二阶曲率补偿电压参考以及电压参考电路的微调技术-CN201880078670.1有效
发明人： U·R·卡马斯;J·K·詹宁斯;E·库伦;I·C·西卡尔;D·沃尔什 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种示例电压参考电路，包括参考电路(202)，其包括第一电路(308)，该第一电路(308)被配置为生成与温度成比例的电流和对应的第一控制电压，以及第二电路(316)，该第二电路(316)被配置为生成与温度互补的电流和对应的第二控制电压；第一电流源(5141)，其耦合到第一负载电路(512)，该第一电流源响应于第一控制电压和第二控制电压而生成与温度成比例的电流和与温度互补的电流的总和电流，该第一负载电路从总和电流生成零温度系数(Tempco)电压；以及第二电流源(7151)，其耦合到第二负载电路(718，720)，该第二电流源响应于第一控制电压和第二控制电压而生成与温度成比例的电流和与温度互补的电流的总和电流，该第二负载电路从总和电流和与温度互补的电流生成负Tempco电压。
可编程温度系数模拟曲率补偿电压参考以及电路微调技术

[发明专利]恒流电路-CN201910794631.8有效
发明人：松田贵志;前谷文彦 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：提供恒流电路，该恒流电路是制造成本较低且在高电压电路中具有良好的电流特性的恒流电路。构成为具备串联连接在第一端子与第二端子之间的高耐压的耗尽型NMOS晶体管和低耐压的耗尽型NMOS晶体管，低耐压的耗尽型NMOS晶体管具备串联连接的第一耗尽型NMOS晶体管和第二耗尽型NMOS晶体管，高耐压的耗尽型NMOS晶体管的栅极连接于第一耗尽型NMOS晶体管与第二耗尽型NMOS晶体管的连接点。
流电

[发明专利]参考电压产生电路和包括其的集成电路-CN201811358057.3有效
发明人：金柱成;金光镐;金赏镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：参考电压产生电路包括：运算放大器，包括连接到第一节点的第一输入端子和连接到第二节点的第二输入端子；第一晶体管，连接在接地端子和第一节点之间，其中第一电流在第一晶体管中流动；第二晶体管，连接到接地端子；第一可变电阻器，连接在第二晶体管和第二节点之间，其中第一可变电阻器具有用于基于由形成第一晶体管的工艺的变化引起的、第一晶体管的电流特性的改变来调整第一电流的第一电阻值。参考电压产生电路基于第一节点的电压和第一可变电阻器两端的电压提供参考电压。
参考电压产生电路包括集成电路

[发明专利]一种零开尔文基准电压的三结带隙电路-CN202011525397.8有效
发明人：苏杰;李孙华;徐祎喆;朱勇 -专利权人：重庆百瑞互联电子技术有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种零开尔文基准电压的三结带隙电路，属于集成电路技术领域。该电路包括：电压生成模块，电压自举模块以及电压求和模块。电压生成模块包括三个二极管，利用正温度系数电流以及恒定电流对三个二极管进行偏置得到三个二极管的输出电压；电压自举模块包括三个电压自举单元，三个电压自举单元的三个输入端对应连接电压生成模块中三个二极管的阴极，对三个二极管的输出电压进行增益得到三个增益电压；以及电压求和模块的三个输入端对应连接三个电压自举单元的输出端，对三个增益电压进行求和得到基准电压。本发明理想地消除了所有温度非线性，克服了现有技术中带隙电路的缺点，消除了基准输出电压的温度依赖性。
一种零开尔文基准电压三结带隙电路

[发明专利]电源供给电路-CN201910237255.2有效
发明人：渡边考太郎 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明涉及电源供给电路。电源供给电路具有串联调节器型降压电源电路、电荷泵型升压电源电路、以及被输入输入端子的电压和输出端子的电压并且输出输入端子的电压和输出端子的电压之中的更高的电压的电压选择电路，将在输出端子与接地端子之间连接的第1电阻和第2电阻的连接点连接于差动放大电路的输入，将差动放大电路的输出经由第1开关连接于输出晶体管的栅极端子，将电压选择电路的输出经由第2开关连接于输出晶体管的栅极端子，将电压选择电路的输出连接于所述输出晶体管的基板电极端子。
电源供给电路

[发明专利]高压栅极驱动电流源-CN201880071209.3有效
发明人： S·K·马诺哈尔;M·J·米尔斯;J·P·沃格特 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种用于USB电力输送的电力供应系统(100)包含电流源驱动电路(110)以控制功率FET(104)以调节沿功率路径(106、108)的功率的供应。所述电流源驱动电路(110)包含共源共栅电流源(120)和由源极跟随器(124)和反馈电压分压器(126)形成的共源共栅保护电路(122)。所述源极跟随器(124)可以是晶体管，其栅极连接到所述共源共栅电流源(120)的上级晶体管和下级晶体管之间的共源共栅节点。所述电压分压器(126)的分压器节点连接到所述下级晶体管所述的栅极。
高压栅极驱动电流

[发明专利]用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路-CN202011284745.7有效
发明人：李伟伟 -专利权人：四川科道芯国智能技术股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路，包括：第一NMOS管，第二NMOS管，第一电阻，第二电阻，由于本申请中用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路包括的元器件很少，其整体面积和功耗都很小。其中，第一NMOS管的漏端接入上位电路电流，源端接地；第二NMOS管的漏端接入上位电路电流，源端连接第一电阻第一端；第一电阻第二端连接第二电阻第一端；第二电阻第二端接地。当第一NMOS管和第二NMOS管两路接入的电流相等时，NMOS管的电子迁移率的温度系数为负，只需使第一电阻和第二电阻的温度系数为正，即可实现电路中的电流不随温度变化。
用于 nfc 芯片功耗 cmos 电流电路

[发明专利]用于使用箝位来进行数据保留和供给噪声缓解的装置-CN201780024205.5有效
发明人： P·A·迈内尔茨哈根;S·T·吉姆;A·A·塔佩洛;M·M·科拉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：提供了一种装置，该装置包括：第一功率栅晶体管，耦合至非栅控功率供给节点和栅控功率供给节点，该第一功率栅晶体管具有可由第一逻辑控制的栅极端子；以及第二功率栅，耦合至非栅控功率供给节点和栅控功率供给节点，该第二功率栅晶体管具有可由第二逻辑控制的栅极端子，其中，第一功率栅晶体管比第二功率栅晶体管大，并且其中，第二逻辑可操作以：弱导通第二功率栅，完全导通第二功率栅，断开第二功率栅，以及将第二功率栅连接为二极管。
用于使用箝位进行数据保留供给噪声缓解装置

[发明专利]动态热管理方法-CN201710891718.8有效
发明人：白仁焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种动态热管理方法包括：测量第一装置的当前温度；使用所述当前温度来计算允许功率；使用第一数据导出与所述当前温度及所述允许功率对应的允许频率，以及以所述允许频率来修改所述第一装置的工作频率。所述第一数据是与所述第一装置所属的第一群组相关的数据，且所述第一数据包括与温度及频率对应的功率值。
动态管理方法

[发明专利]恒流电路及半导体装置-CN202010304850.6在审
发明人：挽地友生;深井健太郎;飞冈孝明;小川洋平 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种恒流电路，具备漏极与恒流输出端子连接的耗尽型NMOS晶体管和设置在NMOS晶体管与接地端子之间的电阻元件，耗尽型NMOS晶体管由并联连接且以电流方向相差90度的方式配置的耗尽型第一及第二NMOS晶体管构成，电阻元件由以电流方向相差90度的方式配置的第一及第二电阻构成。
流电半导体装置

[发明专利]基准电压电路以及半导体装置-CN202010077657.3在审
发明人：坂口薰 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明提供基准电压电路以及半导体装置。基准电压电路具备第1MOS晶体管对和第2MOS晶体管对，其中，所述第1MOS晶体管对具备：第一导电型增强型的第1MOS晶体管，其栅极与漏极连接；和第一导电型耗尽型的第2MOS晶体管，其栅极与第1MOS晶体管的源极连接，源极与第1MOS晶体管的漏极连接，漏极与输出端子连接，所述第2MOS晶体管对具备：第一导电型增强型的第3MOS晶体管，其栅极和漏极与输出端子连接，源极与第2MOS晶体管的源极连接；和第一导电型耗尽型的第4MOS晶体管，其栅极与第3MOS晶体管的源极连接，源极与输出端子连接，全部MOS晶体管在弱反型区中工作。
基准电压电路以及半导体装置

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