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[发明专利]显示装置-CN201911117793.4在审
发明人：朴晋佑;郭源奎;金东煜;方铉喆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：所述显示装置包括：显示面板，包括多个晶体管并且在其前表面上显示图像；以及感测模块，位于显示面板的后表面上，其中，显示面板包括与感测模块叠置的第一区域以及不与感测模块叠置的第二区域，所述多个晶体管中的位于第一区域中的一个晶体管的W/L值大于所述多个晶体管中的位于第二区域中的另一晶体管的W/L值，W/L值通过将晶体管的沟道的宽度除以沟道的长度而获得。
显示装置

[实用新型]一种薄膜晶体管阵列基板-CN201320566401.4有效
发明人：王士敏;赵约瑟;郭志勇;朱泽力;钟荣苹;陈雄达;李绍宗 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板。所述薄膜晶体管阵列基板包括具有第一表面的基板、形成于所述基板的第一表面上的多条扫描线、多条信号线、多个薄膜晶体管以及多个像素电极；每一所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，所述扫描线及多个薄膜晶体管的栅极由一第一导电层经同一制程一并制成，所述像素电极及薄膜晶体管的源极、漏极由一第二导电层经同一制程一并制成。
一种薄膜晶体管阵列

[发明专利]一种GIP电路及驱动方法-CN202110087585.5在审
发明人：张桂瑜 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公布一种GIP电路及驱动方法，GIP电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12、晶体管T13和电容；晶体管T1连接晶体管T12、晶体管T2、晶体管T7、晶体管T4、晶体管T3和电容的第二极板；晶体管T6连接电容的第一极板；晶体管T2连接晶体管T8和晶体管T10；电压信号VGL1连接晶体管T12、晶体管T2、晶体管T11和晶体管T10；电压信号VGL2连接晶体管T5、晶体管T13和晶体管T3；上述技术方案中，通过电压信号VGL1和电压信号VGL2来控制容易发生漏电的晶体管，这样Q点就不受漏电的影响
一种 gip 电路驱动方法

[实用新型]一种GIP电路-CN202120179326.0有效
发明人：张桂瑜 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本实用新型公布一种GIP电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12、晶体管T13和电容；晶体管T1连接晶体管T12、晶体管T2、晶体管T7、晶体管T4、晶体管T3和电容的第二极板；晶体管T6连接电容的第一极板；晶体管T2连接晶体管T8和晶体管T10；电压信号VGL1连接晶体管T12、晶体管T2、晶体管T11和晶体管T10；电压信号VGL2连接晶体管T5、晶体管T13和晶体管T3；上述技术方案中，通过电压信号VGL1和电压信号VGL2来控制容易发生漏电的晶体管，这样Q点就不受漏电的影响。
一种 gip 电路

[发明专利]有机发光二极管显示器-CN201410524845.0有效
发明人：方铉喆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：有机发光二极管显示器包括衬底、形成于衬底上的扫描线和前一扫描线、与扫描线和前一扫描线相交的数据线和驱动电压线、耦合至扫描线和数据线的开关晶体管、耦合至开关晶体管的驱动晶体管、耦合至驱动晶体管的一端且被配置补偿驱动晶体管的阈值电压的补偿晶体管、被配置为将补偿晶体管的补偿半导体层耦合至驱动晶体管的驱动栅电极的连接构件、耦合至驱动晶体管的另一端的第一电极、位于第一电极上的有机发光层、以及位于有机发光层上的第二电极。连接构件和第一电极在衬底的平坦表面上彼此间隔。
有机发光二极管显示器

[发明专利]有机发光二极管显示器-CN201910420538.0有效
发明人：方铉喆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：有机发光二极管显示器包括衬底、形成于衬底上的扫描线和前一扫描线、与扫描线和前一扫描线相交的数据线和驱动电压线、耦合至扫描线和数据线的开关晶体管、耦合至开关晶体管的驱动晶体管、耦合至驱动晶体管的一端且被配置补偿驱动晶体管的阈值电压的补偿晶体管、被配置为将补偿晶体管的补偿半导体层耦合至驱动晶体管的驱动栅电极的连接构件、耦合至驱动晶体管的另一端的第一电极、位于第一电极上的有机发光层、以及位于有机发光层上的第二电极。连接构件和第一电极在衬底的平坦表面上彼此间隔。
有机发光二极管显示器

[发明专利]有机发光二极管显示器-CN201910420537.6有效
发明人：方铉喆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：有机发光二极管显示器包括衬底、形成于衬底上的扫描线和前一扫描线、与扫描线和前一扫描线相交的数据线和驱动电压线、耦合至扫描线和数据线的开关晶体管、耦合至开关晶体管的驱动晶体管、耦合至驱动晶体管的一端且被配置补偿驱动晶体管的阈值电压的补偿晶体管、被配置为将补偿晶体管的补偿半导体层耦合至驱动晶体管的驱动栅电极的连接构件、耦合至驱动晶体管的另一端的第一电极、位于第一电极上的有机发光层、以及位于有机发光层上的第二电极。连接构件和第一电极在衬底的平坦表面上彼此间隔。
有机发光二极管显示器

[发明专利]有稳定双极晶体管和肖特基二极管的半导体器件制造方法-CN96119206.2无效
发明人：西田拓生 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-10-19 - 公布日： 2002-04-17 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：一种制造LDD结构的MOS晶体管和双极晶体管[或肖特基Schottky)势至二极管(SBD)]，在MOS晶体管区和双极晶体管区(或SBD)上面，形成栅绝缘层(8)。然后，在MOS晶体管区上面，形成栅电极(G、G’)。在整个表面上面，形成绝缘层，利用反应离子腐蚀工艺，对其进行深腐蚀，以便形成侧壁隔离层(12)。利用栅电极和其侧壁隔离层作为掩模。通过湿腐蚀工艺、腐蚀MOS晶体管区和双极晶体管区。
稳定双极晶体管肖特基二极管半导体器件制造方法

[发明专利]异质外延输出器件阵列-CN201811589044.7有效
发明人：张国飙;于鑫 -专利权人：杭州海存信息技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：硅衬底氮化镓输出晶体管阵列含有多个小尺寸单体输出晶体管。硅衬底表面具有多重网状图形并在其上通过异质外延生长多块小尺寸单体氮化镓薄膜。每个小尺寸单体输出晶体管形成一块小尺寸单体氮化镓薄膜中。通过在生产或使用过程中禁用缺陷晶体管，可提高输出晶体管阵列的整体良品率/可靠性。
外延输出器件阵列

[发明专利]像素电路-CN202010208235.5在审
发明人：郑贸薰;洪嘉泽 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：一种像素电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、存储电容及有机发光二极管。第一晶体管、第三晶体管、第六晶体管及有机发光二极管串接于系统高电压与系统低电压。第二晶体管及第四晶体管串接于数据信号与第三晶体管的控制端。存储电容耦接于第一晶体管与第三晶体管的连接点与第二晶体管与第四晶体管的连接点。第五晶体管可传送重置电压至第三晶体管。第七晶体管及第八晶体管串接于系统高电压与参考电压，第七晶体管及第八晶体管的连接点耦接至第三晶体管的控制端。
像素电路

[发明专利]垂直型纤维基有机电化学晶体管及其制备方法-CN202211476473.X在审
发明人：王栋;王跃丹;陶洋;郝盼盼;李沐芳;江威;李梦杰 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直型纤维基有机电化学晶体管及其制备方法，晶体管包括导电纤维，导电纤维的一端表面设有第一导电层作为源极，导线纤维的表面设有绝缘层，绝缘层与导电纤维同轴设置；绝缘层的表面设有第二导电层作为漏极，漏极与源极之间设有源层作为沟道；该晶体管还包括第二导电纤维作为栅极，栅极与源极、漏极之间设有凝胶电解质。本发明通过制备垂直型晶体管结构，控制绝缘层的厚度实现沟道长度的调节，实现了短沟道有利于电子的传输与迁移的同时，减少了短沟道效应的发生；且该垂直型纤维基有机电化学晶体管相比于传统的纤维基晶体管，结构引起的陷阱减少，提高了晶体管的性能，该晶体管可广泛应用于智能可穿戴和生物传感器等领域。
垂直纤维有机电化学晶体管及其制备方法

[发明专利]晶体管结构-CN202010306915.0在审
发明人：卢超群;黄立平 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构包含一栅极、一间隔层、一通道区、一第一凹槽、以及一第一导电区。所述栅极位于一硅表面上方。所述间隔层位于所述硅表面上方且至少覆盖所述栅极的一侧壁。所述通道区位于所述硅表面下方。所述第一导电区至少部分地形成于所述第一凹槽内，其中所述晶体管结构旁的一相邻晶体管结构的导电区是至少部分地形成于所述第一凹槽内。相较于现有技术所公开的鳍式结构晶体管，本发明所公开的所述晶体管结构可以减少漏电流。
晶体管结构

[发明专利]具有电流传感器的半导体器件-CN201510583954.4有效
发明人： M·胡茨勒;M·罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：半导体本体包括负载晶体管部分和传感器晶体管部分。负载晶体管部分的第一源极区域和传感器晶体管的第二源极区域彼此电分离。在公共栅极沟槽中的公共栅极电极从第一表面延伸至半导体本体中，其中公共栅极沟槽的第一部分在负载晶体管部分中，并且公共栅极沟槽的第二部分在传感器晶体管部分中。在场电极沟槽中的场电极从第一表面延伸至半导体本体中。场电极沟槽的平行于第一表面的最大尺寸小于场电极沟槽的深度。
具有电流传感器半导体器件

[发明专利]功率半导体器件及其方法-CN200580000549.X有效
发明人：罗伯特·B·戴维斯;沃伦·L·西利;珍妮·S·帕维奥 -专利权人： HVVI半导体股份有限公司
申请日： 2005-01-06 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率晶体管包括多个晶体管单元。每一晶体管单元具有耦合至覆盖第一主表面的第一电极互连区域的第一电极，耦合至覆盖所述第一主表面的控制电极互连区域的控制电极，以及耦合至覆盖第二主表面的第二电极互连区域的第二电极。每一晶体管单元在沟道区内具有基本上恒定的掺杂浓度。采用介电平台作为外延层的边缘终端，从而在其中保持基本上为平面的等势线。所述功率晶体管在工作频率高于500兆赫，功耗超过5瓦的射频应用中具有独特的应用。设计所述半导体管芯和封装，使得所述功率晶体管可以在这样严峻的条件下高效地工作。
功率半导体器件及其方法

[发明专利]一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法-CN201210206510.5无效
发明人：林曦;王鹏飞;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法。本发明提出的集成阻变存储器的MOS晶体管结构包括在衬底上形成的MOS晶体管和阻变存储器，所述MOS晶体管的栅介质层延伸至所述MOS晶体管的漏区表面之上，所述延伸至MOS晶体管的漏区表面之上的栅介质层部分形成所述阻变存储器的阻变存储层本发明经过一次原子层淀积工艺来获得高质量的MOS晶体管的栅介质层与阻变存储器的阻变存储层，将阻变存储器与MOS晶体管集成在一起，工艺步骤简单，而且可以兼容浅沟槽隔离工艺或者场氧化层隔离工艺以及源、漏的离子注入或者扩散工艺
一种集成存储器 mos 晶体管结构及其制造方法