专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]双重镶嵌结构的制造方法-CN02140148.9有效
  • 黄义雄;黄俊仁;洪圭钧;严永松 - 联华电子股份有限公司
  • 2002-07-03 - 2003-05-28 - H01L21/768
  • 一种双重镶嵌结构的制造方法,此方法的步骤如下首先,在已形成导线的衬底上依序形成一第一、一第二与一底层防反射涂层与一涂式。然后,定义涂式、底层防反射涂层与第二,以于第二中形成一孔洞,于该涂式与该底层防反射涂层中形成一第一沟槽。以涂式与底层防反射涂层为掩膜,去除孔洞所暴露的第一,以形成暴露衬底的一通孔开口,同时去除第一沟槽所暴露的第二,以形成暴露第一的一第二沟槽。之后,去除涂式与该底层防反射涂层,以及依序于第二沟槽与通孔开口内形成一共形的阻挡以及一导体,且导体填满第二沟槽与通孔开口。
  • 双重镶嵌结构制造方法
  • [发明专利]局部空气隙的形成方法-CN201210567368.7在审
  • 胡正军 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2012-12-24 - 2013-04-03 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种局部空气隙的形成方法,该方法包括:在衬底上沉积超低材料形成超低薄膜,并去除部分超低材料形成第一金属;在所述第一金属之上沉积超低材料形成另一超低薄膜并经等离子体处理形成过渡;在所述过渡之上沉积涂超低材料形成薄膜,并去除部分涂超低材料形成第二金属以及去除所述部分另一超低薄膜含过渡形成互连通孔;刻蚀掉薄膜上除第二金属之外的涂材料,并沉积所述超低材料
  • 局部空气形成方法
  • [发明专利]记忆卡的结构与其方法-CN200810000793.1无效
  • 杨文焜;余俊辉;林志伟;周昭男 - 育霈科技股份有限公司
  • 2008-01-17 - 2008-07-30 - G06K19/077
  • 一第一形成于第一晶粒与基底之上。一第一重(re-distribution layer,RDL)形成于第一上,其中第一重层系耦合至第一晶粒与布线。一第二形成于第一重上。一第二晶粒配置于第二之上。一第三形成于第二与第二晶粒上。一第二重形成于第三上,其中第二重层系耦合至第二晶粒与第一重。一第四形成于第二重上。一第三晶粒形成于第四上并耦合至第二重。一第五形成于第三晶粒周围,并由一塑胶盖罩住第一、第二及第三晶粒。
  • 记忆结构与其方法
  • [发明专利]布线结构和其制造方法-CN202110281898.4在审
  • 黄文宏 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2021-03-16 - 2021-09-17 - H01L23/498
  • 所述布线结构包括上部导电结构、下部导电结构和重结构。所述上部导电结构包括至少一个和与所述接触的至少一个电路。所述下部导电结构包括至少一个和与所述接触的至少一个电路。所述重结构设置在所述上部导电结构与所述下部导电结构之间,以连接所述上部导电结构与所述下部导电结构。所述重结构包括结构和嵌入于所述结构中的重。所述重包括至少一个电路。所述重的所述电路的线宽小于所述上部导电结构的所述电路的线宽和所述下部导电结构的所述电路的线宽。
  • 布线结构制造方法
  • [发明专利]重布线路结构-CN201610757064.5有效
  • 李宗徽;郭宏瑞;何明哲;黄子芸 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-08-30 - 2020-08-04 - H01L23/544
  • 一种重布线路结构,性连接于位于其下方的至少一导体。重布线路结构包括、对位标记及重导电覆盖导体且包括用来暴露该导体的至少一接触开口。对位标记配置在上,对位标记包括位于上的基部及位于基部上的凸出部,其中凸出部的最大厚度与基部的厚度的比值小于25%。重导电配置在上,重导电包括导通孔,且导通孔通过接触开口性连接至导体。
  • 布线结构
  • [发明专利]金属箔积板、印刷电路板及金属箔积板的制法-CN201910886790.0有效
  • 黄仕颖;刘淑芬;林楷翔 - 台燿科技股份有限公司
  • 2019-09-19 - 2023-03-24 - B32B27/20
  • 本发明提供一种金属箔积板、应用该金属箔积板的印刷电路板及金属箔积板的制造方法,其中该金属箔积板包括:一第一,包括第一材料且不包括补强,其中第一材料包括20重量%至60重量%的第一氟高分子及40重量%至80重量%的第一填料;一第二,设置于第一的至少一侧,且包括补强及形成于该补强表面的第二材料,其中该补强的厚度不大于65微米,且第二材料包括55重量%至100重量%的第二氟高分子及0至45重量%的第二填料;以及一金属箔,设置于第二的与第一相对的另一侧。
  • 金属箔积层板印刷电路板制法
  • [发明专利]浅沟隔离结构的制备方法-CN200710128079.6无效
  • 杨能辉;赵海军 - 茂德科技股份有限公司
  • 2007-07-09 - 2009-01-14 - H01L21/762
  • 接着,在所述沟道的内壁处形成衬,再进行涂工艺以形成填满所述沟道并覆盖所述半导体衬底表面的。之后,局部去除所述半导体衬底表面和所述沟道上部的再进行高温氧化致密工艺,使得所述的表面低于所述半导体衬底的表面,并形成填满所述沟道并覆盖所述半导体衬底表面的沉积,再局部去除所述半导体衬底表面的沉积
  • 隔离结构制备方法
  • [实用新型]埋电容电路板叠结构-CN201020582996.9有效
  • 邓林全 - 江门盈骅光电科技有限公司
  • 2010-10-27 - 2011-05-18 - H05K1/03
  • 本实用新型公开一种埋电容电路板叠结构,包括埋电容线路板,于该电容器的两侧各设置有一电路板,以及,该埋电容线路板与两电路板之间各夹设有一玻璃纤维;该电容器包括有一中间和两导电箔,该中间夹设于两导电箔之间,该中间内部固设有一玻璃纤维;藉此,通过于中间内部固设有一玻璃纤维,利用该玻璃纤维可使得中间的强度大大增强,不易破碎,结构也很简单;以及,利用该中间的强度增强,可对埋电容线路板进双面蚀刻
  • 电容电路板结构
  • [发明专利]集成电路的制造方法-CN98107934.2无效
  • 张良冬;廖志成 - 世界先进积体电路股份有限公司
  • 1998-05-06 - 1999-11-10 - H01L21/82
  • 一种集成电路的制造方法包括步骤预备半导体基板,其上形成半导体元件结构;形成绝缘,在绝缘上形成第一导电,第一导电向下延伸穿过绝缘,与半导体元件结构之一接触;形成,其包括在第一导电上沉积第一;涂布涂玻璃;对旋涂玻璃回蚀刻,使涂玻璃上形成高分子堆积物;以氧等离子处理涂玻璃,去除高分子堆积物;并且在涂玻璃上沉积第二等步骤;在内蚀出通孔,通往第一导电;并沉积第二导电填入通孔内
  • 集成电路制造方法

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