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[发明专利]印刷掺杂层-CN200710142711.2有效
发明人：阿尔芬德·卡曼斯;詹姆斯·蒙太古·克里维斯;乔洛·洛肯博格;派崔克·史密斯;菲比欧·苏黎士 -专利权人：高菲欧股份有限公司
申请日： 2007-08-15 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种用以制造一电子装置，如一MOS晶体管的方法，其包含在一介电功能性基板上形成多个半导体岛，在这些半导体岛的一第一子集上或上方印刷一第一介电层并且选择地在这些半导体岛的一第二子集上或上方印刷一第二介电层该第一介电层包含一第一掺杂物，并且该第二介电层包含一与该第一掺杂物不同的第二掺杂物。这些介电层、这些半导体岛以及该基板充分地进行退火处理以将该第一掺杂物扩散进入这些半导体岛的该第一子集中，并且，当出现时，将该第二掺杂物扩散进入这些半导体岛的该第二子集中。
印刷掺杂

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110495701.7在审
发明人：亚伯拉罕·庾;金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在伪栅结构两侧的初始叠层结构中形成凹槽，剩余的初始叠层结构用于作为叠层结构；在凹槽侧壁的沟道层上形成子掺杂层，且叠层结构中，相邻沟道层上的子掺杂层相接触用于构成初始过渡掺杂层；在初始过渡掺杂层的表面的部分厚度材料中掺杂离子，适于减小初始过渡掺杂层的耐刻蚀度；去除掺杂有离子的初始过渡掺杂层，剩余的初始过渡掺杂层用于作为过渡掺杂层；在凹槽相对侧壁上的过渡掺杂层之间形成主掺杂层，主掺杂层的离子掺杂浓度大于过渡掺杂层的离子掺杂浓度，且主掺杂层用于与过渡掺杂层构成源漏掺杂层。本发明实施例提高源漏掺杂层的形成质量、减少源漏掺杂层内部的缺陷，提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310561220.7在审
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，所述蓝光发光层包括依次层叠的第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层，所述第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层的材质均为客体材料掺杂到主体材料中形成的混合材料，所述客体材料占所述第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层的质量分数分别为
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310561267.3在审
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、绿光发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，所述绿光发光层包括依次层叠的第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层，所述第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层的材质均为客体材料掺杂到主体材料中形成的混合材料，所述客体材料占所述第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层的质量分数分别为
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111242965.8在审
发明人：吴公一;吴小飞;徐亚超 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括：在一基底上形成接触孔；在接触孔的表面形成第一掺杂层，并对第一掺杂层进行退火处理；在第一掺杂层上形成至少一层第二掺杂层，并对每一第二掺杂层进行退火处理；在第二掺杂层上形成第三掺杂层，以填满接触孔；其中，第二掺杂层的厚度大于第三掺杂层的厚度，第三掺杂层的厚度大于第一掺杂层的厚度。退火处理不仅能够修复第一掺杂层/第二掺杂层内部的晶格失配和晶格缺陷问题，还能够改善第一掺杂层/第二掺杂层的表面粗糙度，使第一掺杂层/第二掺杂层的晶粒生长更加均匀，由此改善在形成第一掺杂层/第二掺杂层后就出现封口问题
半导体结构及其制造方法

[发明专利]电极结构与太阳电池结构-CN202010072891.7在审
发明人：廖士霆;罗俊杰;张瀚丞;黄建福;陈建勋 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极结构，包括多层掺杂多晶结构与电极。多层掺杂多晶结构包括第一掺杂多晶层、第二掺杂多晶层与第一掺杂介电层。第二掺杂多晶层位于第一掺杂多晶层上。第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层为相同掺杂型。第二掺杂多晶层的掺杂浓度大于第一掺杂多晶层的掺杂浓度。第一掺杂介电层位于第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层之间。电极位于第二掺杂多晶层的远离第一掺杂介电层的一侧。电极电性连接至多层掺杂多晶结构。上述电极结构可优化场效应、提升隐开路电压与降低片电阻。
电极结构太阳电池

[发明专利]一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法-CN201810716391.5有效
发明人：朱佳佳;郑霈霆;张昕宇;金浩;祁文杰 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法，提供经过预处理的硅片；对硅片进行第一次扩散，在硅片正面形成第一掺杂层；对硅片进行第二次扩散，在第一掺杂层上方形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉预设正面电极区域之间的第二掺杂层；在预设正面电极区域的第二掺杂层上方形成正面电极。由于第二掺杂层即重掺杂层和第一掺杂层即轻掺杂层是两次扩散形成的，因此，可以使轻掺杂层的掺杂浓度很低，使重掺杂层的掺杂浓度很高，进而可以增大重掺杂层和轻掺杂层的掺杂浓度差异，提升太阳能电池的转换效率。
一种太阳能电池及其选择性发射极结构制作方法

[发明专利]双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法-CN201210348006.9有效
发明人：王晓亮;王翠梅;肖红领;彭恩超;冯春;姜丽娟;陈竑 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂插入层上面；一非有意掺杂氮化铝插入层，该非有意掺杂氮化铝插入层制作在高迁移率层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201510134425.6在审
发明人：张首龙;孙泉钦;王丹名;周唐臣;李利芳;张旗 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括有源层(3)、掺杂层(2)和源/漏电极层(1)，掺杂层(2)位于有源层(3)与源/漏电极层(1)之间，掺杂层(2)至少包括两层子掺杂层，靠近源/漏电极层(1)的源/漏电极子掺杂层(4)的掺杂物的掺杂浓度大于靠近有源层(3)的有源子掺杂层(5)的掺杂物的掺杂浓度，有源子掺杂层(5)的掺杂物的掺杂浓度大于0。本发明解决了现有技术中不能同时降低掺杂层与源/漏电极层之间的接触电阻和掺杂层与有源层之间的接触电阻的技术问题，可应用于显示技术领域。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]发光元件-CN201410718708.0在审
发明人：洪文庆 -专利权人：锐晶科技有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括缓冲层、发光层、第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层以及调制掺杂半导体层。第一型掺杂半导体层位于缓冲层与发光层之间。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。调制掺杂半导体层位于缓冲层与第一型掺杂半导体层之间。调制掺杂半导体层中具有第一型掺质。第一型掺质的掺杂浓度随着调制掺杂半导体层的厚度变化而呈现周期性变化，且第一型掺质的平均掺杂浓度低于第一型掺杂半导体层的平均掺杂浓度。
发光元件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010026831.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：刻蚀第四掺杂材料层、第二半导体材料层、第三掺杂材料层、缓冲材料层、第二掺杂材料层以及第一半导体材料层，分别形成第四掺杂层、第二半导体柱、第三掺杂层、缓冲层、第二掺杂层以及第一半导体柱；第三掺杂层和第二掺杂层的掺杂离子的导电类型不同，在第一半导体柱的侧壁上形成第一栅极结构；形成第一栅极结构后，在第二半导体柱的侧壁上形成第二栅极结构。本发明实施例，缓冲层使得第三掺杂层和第二掺杂层不直接接触，使得第二掺杂层中的掺杂离子不易扩散至第三掺杂层中，第三掺杂层中的掺杂离子不易扩散至第二掺杂层中，优化了半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201110058501.1有效
发明人：胡雁程;李欣峯;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层设置于半导体基底上，且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式，且第二掺杂半导体层的掺杂浓度实质上介于掺杂接触区的掺杂浓度与第一掺杂半导体层的掺杂浓度之间。第一电极层对应于掺杂接触区。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种快恢复二极管-CN202110704234.4在审
发明人：朱辉;肖秀光;吕磊;潘恒 -专利权人：安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管，包括N型掺杂漂移区、重掺杂N型衬底区域以及位于N型掺杂漂移区与重掺杂N型衬底区域之间的N型掺杂缓冲层。N型掺杂缓冲层包括低掺杂电场缓冲层、电场终止层和反向恢复载流子存储层，低掺杂电场缓冲层与N型掺杂漂移区接触且低掺杂电场缓冲层的厚度较厚，低掺杂电场缓冲层的掺杂浓度高于N型掺杂漂移区的掺杂浓度；电场终止层位于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层之间，电场终止层的掺杂浓度高厚度薄，其掺杂浓度高于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层；反向恢复载流子存储层与所述重掺杂N型衬底区域接触，其浓度较低。
一种恢复二极管

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN201210238572.4有效
发明人：张源孝;卢怡安 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：一第一掺杂层；一第二掺杂层，其电性与所述第一掺杂层相同；一透明绝缘层，该透明绝缘层位于所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间；一第三掺杂层，该第三掺杂层位于相对该透明绝缘层的所述第二掺杂层的另一侧，且其电性与所述第二掺杂层相反；以及一导通结构，该导通结构贯穿所述第二掺杂层、所述第三掺杂层以及所述透明绝缘层，以电性耦合所述第一掺杂层以及所述第三掺杂层。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制作方法-CN202011356701.0在审
发明人：吴华德;姚铮;陈曦;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池具有分别设置于硅衬底受光面第一掺杂层与背光面第二掺杂层，第一掺杂层与第二掺杂层中的至少一个包含有至少两层层叠设置的掺杂膜，相邻两掺杂膜中，远离硅衬底的掺杂膜的掺杂浓度大于靠近硅衬底的掺杂膜的掺杂浓度；本发明中，第一掺杂层或/和第二掺杂层中靠近硅衬底的掺杂膜由于具有较低掺杂浓度，能够最大程度降低掺杂原子进入相应本征非晶层中，进而可以降低相应本征非晶层的缺陷密度；第一掺杂层或/和第二掺杂层中远离硅衬底的掺杂膜由于具有较高掺杂浓度，有利于场钝化，还能降低第一掺杂层或/和第二掺杂层与相应外层之间的接触电阻。
异质结太阳能电池及其制作方法

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