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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]掩模图案的制作方法-CN201710248133.4有效
发明人：陈立强;李甫哲;郭明峰;朱贤士;王程钰;庄于臻 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开一种掩模图案的制作方法，先在基底上形成多个掩模，在掩模之间分别定义出至少一较宽沟槽和一较窄沟槽，接着形成一掩模材料填入较宽沟槽和较窄沟槽，在较宽沟槽正上方的掩模材料上表面较在较窄沟槽正上方的掩模材料上表面低，然后在较宽沟槽正上方的掩模材料上设置光致抗蚀剂，然后蚀刻掩模材料，在蚀刻的同时上表面较低的掩模材料被保护。
掩模材料宽沟槽上表面窄沟槽掩模图案掩模蚀刻蚀刻掩模材料光致抗蚀剂基底填入制作

[发明专利]用于形成图案的方法-CN201911251894.0有效
发明人：李汉澈;崔原赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种用于形成图案的方法，包括：形成刻蚀阻挡叠层，其中第一牺牲材料、第一掩模线、第二牺牲材料以及与第一掩模线交叉的第二掩模线顺序地设置在刻蚀目标材料上；使用第二掩模线和第一掩模线作为刻蚀掩模来刻蚀第二牺牲材料和第一牺牲材料，以在第一牺牲材料中形成彼此隔离的岛状牺牲开口；形成岛状牺牲柱以填充岛状牺牲开口；刻蚀第一掩模线，以在第一掩模线与第二掩模线之间的交叉处形成岛状掩模；以及使用岛状掩模和岛状牺牲柱作为刻蚀掩模来刻蚀第一牺牲材料，以形成包括岛状开口的牺牲阻挡层，所述岛状开口彼此隔离以暴露刻蚀目标材料。
用于形成图案方法

[发明专利]一种材料填充保护光刻掩模及其制备方法-CN202210701458.4在审
发明人：罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;牟帅;谷雨;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种材料填充保护光刻掩模的制备方法，包括：S1，在掩模基底上沉积光刻掩模材料，制备掩模图形结构；S2，向掩模图形结构中填充透明介质材料；S3，对S2中所得掩模进行退火处理；S4，对S3中所得掩模的表面进行化学机械抛光，以显露出掩模图形结构，得到材料填充保护的光刻掩模。本公开通过在接触式光刻掩模图形加工过程中对掩模图形结构进行材料填充，增大掩模图形结构与感光材料之间的接触面积与强度，从而有效提升接触式光刻掩模版的使用寿命，同时降低了掩模加工成本，拓展了接触式光刻技术的应用范围
一种材料填充保护光刻及其制备方法

[发明专利]材料沉积设备、真空沉积系统及用以处理大面积基板的方法-CN201880096334.X在审
发明人：斯蒂芬·班格特;于尔根·亨里奇;安德里亚斯·索尔;马蒂亚斯·赫曼尼斯;塞巴斯蒂安·巩特尔·臧 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：说明了一种用以在真空腔室中沉积材料于基板上的材料沉积设备。这种材料沉积设备包括掩模传送轨道，掩模传送轨道的至少一部份设置于真空腔室中，掩模传送轨道经装配以支撑掩模载体来支承掩模组件，掩模组件具有掩模框架及掩模；掩模平台，经装配以支撑掩模组件；以及支承装置，耦接于掩模平台，及经装配以用于基本上垂直定向的掩模组件的移交或传送。
材料沉积设备真空系统用以处理大面积方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310943290.2在审
发明人：刘欣然;徐亚超;张瑞奇;严勋 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制备方法，其包括：提供衬底，衬底包括阵列区、第一外围区和第二外围区；在衬底上形成依次层叠的第一硬掩模层和第二硬掩模层，第一硬掩模层和第二硬掩模层均具有露出第一外围区的开口，第一硬掩模层的材料不同于第二硬掩模层的材料；以第二硬掩模层为掩模，在第一外围区上形成第一外延层，第一外延层的材料不同于衬底的材料；去除第二硬掩模层；以第一硬掩模层为掩模，在第一外延层上形成第二外延层，第二外延层的材料不同于第一外延层的材料；以及，去除第一硬掩模层。
半导体结构制备方法

[发明专利]等离子体处理系统中优化基片蚀刻的方法-CN200580008542.2有效
发明人：金智洙;比内特·沃尔沙姆;严必明;彼得·K·勒文哈德特 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2005-03-09 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：该基片具有半导体层、置于半导体层上的第一阻挡层、置于第一阻挡层上的低k层、置于低k层上的第三硬掩模层、置于第三硬掩模层上的第二硬掩模层、以及置于第二硬掩模层上的第一硬掩模层。该方法包括使用第一蚀刻剂和第二蚀刻剂选择性地蚀刻基片，其中第一蚀刻剂对于第一硬掩模层的第一硬掩模材料、第三硬掩模层的第三硬掩模材料、以及第一阻挡层的第一阻挡层材料具有低选择性，而对于第二硬掩模层的第二硬掩模材料具有高选择性；以及第二蚀刻剂对于第一硬掩模层的第一硬掩模材料、第三硬掩模层的第三硬掩模材料，以及第一阻挡层的第一阻挡层材料具有高选择性，以及第一蚀刻剂对于第二硬掩模层的第二硬掩模材料具有低选择性。
等离子体处理系统优化蚀刻方法

[发明专利]用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模-CN201610625703.2有效
发明人： J·M·霍尔登;W-S·类;B·伊顿;T·伊根;S·辛格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种方法包括形成多层掩模，该多层掩模包含位于半导体基板上的可溶于溶剂中的第一掩模材料层及位于该第一掩模材料层上的不溶于该溶剂中的第二掩模材料层。使用激光划线工艺对该多层掩模进行图案化以提供具有间隙的图案化掩模。图案化暴露基板介于IC之间的区域。随后，利用第二掩模材料层保护第一掩模材料层免受至少一部分等离子体蚀刻，对该基板进行等离子体蚀刻至贯穿图案化掩模中的间隙，以单体化IC。在单体化之后溶解可溶材料层以去除多层掩模。
用于激光等离子体蚀刻切割多层

[发明专利]用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模-CN201280027188.8有效
发明人： J·M·霍尔登;W-S·类;B·伊顿;T·伊根;S·辛格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种方法包括形成多层掩模，该多层掩模包含位于半导体基板上的可溶于溶剂中的第一掩模材料层及位于该第一掩模材料层上的不溶于该溶剂中的第二掩模材料层。使用激光划线工艺对该多层掩模进行图案化以提供具有间隙的图案化掩模。图案化暴露基板介于IC之间的区域。随后，利用第二掩模材料层保护第一掩模材料层免受至少一部分等离子体蚀刻，对该基板进行等离子体蚀刻至贯穿图案化掩模中的间隙，以单体化IC。在单体化之后溶解可溶材料层以去除多层掩模。
用于激光等离子体蚀刻切割多层

[发明专利]半色调掩模板及其制造方法-CN200710175648.2无效
发明人：刘圣烈;崔莹石 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半色调掩模板及其制造方法，半色调掩模板包括基板，基板设有非透射区域、半透射区域和透射区域，非透射区域设置有第一掩模材料层，半透射区域设置有可调节透射率的第二掩模材料层，第一掩模材料层位于基板的一面，第二掩模材料层位于基板的另一面。半色调掩模板的制造方法，括分别在基板的二面上形成作为非透射区域的第一掩模材料层和作为半透射区域的第二掩模材料层。本发明有效解决了半透射区域出现材料层重叠沉积的现象和蚀刻工艺中所使用的蚀刻物质和已形成的材料层产生化学反应的现象，从而提高了半色调掩模板的质量。
色调模板及其制造方法

[发明专利]用于形成特征定义的方法-CN200610149977.5无效
发明人：乔格·林茨 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种通过如下操作处理衬底的方法：在所述衬底的表面上沉积负性掩模材料；将所述负性掩模材料刻蚀到所述衬底表面，以形成负性掩模特征定义；在所述负性掩模特征定义中沉积抗蚀剂材料；抛光所述抗蚀剂材料，以暴露所述负性掩模材料；以及刻蚀所述负性掩模材料，以在所述抗蚀剂材料中形成特征定义。
用于形成特征定义方法

[发明专利]在电池电极上形成图案化表面的压制工艺-CN201810442622.8在审
发明人：吁志强;吴美远;顾文天;阙小超 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：提供了一种制造图案化电极材料的方法。该方法包括将具有第一图案的第一掩模设置在电极材料的第一表面上；将具有第二图案的第二掩模设置在电极材料的相对的第二表面上；通过第一掩模和第二掩模两者朝电极材料施加压力，其中第一掩模的第一图案被雕刻到电极材料的第一表面中，并且第二掩模的第二图案被雕刻到电极材料的第二表面中；以及从电极材料移除第一掩模和第二掩模以形成图案化电极材料。
掩模电极材料图案图案化电极第二表面第一表面雕刻图案化表面电池电极施加压力移除压制制造

[实用新型]用于掩模基板的装置或生产线-CN201821706659.9有效
发明人：斯蒂芬·詹姆斯·戴蒙德;周泽锋;吕海明;安德鲁·道格拉斯·皮尔森·格林;夏兰·约瑟夫·威尔森 -专利权人： P2I有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于掩模基板的装置或生产线，装置或生产线包括：供给的基板；供给的突片；供给的掩模材料；以及掩模机构，用于将掩模材料和突片施加到供给过程中的基板上，其中掩模材料覆盖突片，且突片突出超过掩模材料
掩模材料突片基板本实用新型供给过程掩模基板掩模机构施加覆盖

[发明专利]刻蚀方法和互连结构的形成方法-CN201410265014.6有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：刻蚀方法包括：在提供半导体衬底上形成介质层后，在介质层上形成硬掩模，硬掩模的材料为二氧化钛；以硬掩模为掩模刻蚀介质层，在介质层内形成通孔；之后，在通孔内填充满金属材料，形成金属插塞。以二氧化钛为硬掩模材料，相比于传统的如以氮化钛为材料的硬掩模材料，在刻蚀二氧化钛形成硬掩模时，在二氧化钛内产生应力较小，因而可有效降低刻蚀硬掩模材料形成硬掩模过程中硬掩模材料的形变量，从而提高形成的硬掩模精度，进而提高后续以硬掩模为掩模刻蚀介质层后形成于介质层内的通孔精度，以及后续在通孔内填充金属材料后，形成的金属插塞的结构形态，以改善金属插塞的性能。
刻蚀方法互连结构形成

[发明专利]一种使用复合材料制作的精细掩模版-CN202210845359.3在审
发明人：蒋畅;蔡姬妹;吴界煌 -专利权人：重庆翰博显示科技研发中心有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明掩模板技术领域，具体涉及一种使用复合材料制作的精细掩模版，包括以下步骤：S1：制备CMM掩模版基材与高分子结合的复合材料，在CMM掩模版基材的一面涂覆高分子材料，经高温环境固话后，冷却至室温；S2利用激光刻蚀的工艺在上述的CMM掩模版基材与高分子掩模版复合材料的高分子材料面上制备开口；S3：对CMM掩模版基材未涂高分子材料的Invar面，进行多次刻蚀，直到掩模版出现所需开口，过湿法刻蚀与激光刻蚀工艺在高分子材料上开口，解决了复合金属掩模版需要使用FMM掩模版材料短缺，同时提供了一种大尺寸OLED生产过程中，一种CMM掩模版与高分子材料复合而成的FMM。
一种使用复合材料制作精细模版

[发明专利]再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法-CN202110587063.1在审
发明人：车翰宣;张雄哲;陈昊 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供一种再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法，处理方法包括：1)提供一掩模基版，掩模基版包括透光基板以及位于透光基板上的掩模材料层；2)采用激光照射掩模材料层，使掩模材料层发生升华反应，以将掩模材料层自透光基板上去除，以形成再生掩模透光基板。本发明采用激光去除的方法，利用激光同时去除掩模基版上的光刻胶、金属膜、金属化合物膜等掩模材料，本发明在去除的过程中不需要使用湿法腐蚀溶液，解决了湿法腐蚀费用较高、工艺时间较长及环境污染等问题。本发明通过加工后获得的再生掩模透光基板，具有与原透光基板相同性能，有效实现了透光基板的可循环再利用。
再生透光处理方法掩模基版制造

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